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（BJT）（35082）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
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2SC4695-TB-E	0.3100	RFQ	75	Onmi	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
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BCX51-10115	1.0000	RFQ	3209	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载						0000.00.0000	1
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pn2906a tre pbfree	-	RFQ	9293	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-PN2906ATREPBFREETR	Ear99	8541.21.0075	2,000	60 V	600 MA	50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	200MHz
DTC114TE	0.0230	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-523	DTC114	150兆	SOT-523	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-DTC114TETR	Ear99		3,000	50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
P2N2222ARL1G	-	RFQ	5457	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	P2N222	625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	40 V	600 MA	10NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
BC69-16PAS115	-	RFQ	8452	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
JANTX2N3507AU4	-	RFQ	9513	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	50 V	1 µA	1µA	NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	35 @ 500mA，1V	-
PDTD143XU115	0.0300	RFQ	123	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
buv21g	14.4700	RFQ	100	Sanyo	SwitchMode™	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AE		250 w	TO-204（TO-3）	下载					Ear99	8541.29.0095	21	200 v	40 a	3MA	NPN	1.5V @ 3a，25a	20 @ 12a，2v	8MHz
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PBRP123YT-QR	0.0687	RFQ	1556年	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBRP123	250兆	TO-236AB	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-PBRP123YT-QRTR	Ear99	8541.21.0095	3,000	40 V	600 MA	500NA	pnp-预先偏见	750mv @ 6mA，600mA	230 @ 300mA，5V		2.2 kohms	10 kohms
DTC115ECAT116	0.2800	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC115	200兆	SST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	82 @ 5mA，5V	250 MHz	100 kohms	100 kohms
BCR183WH6327	-	RFQ	6838	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR183	250兆	PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	7,123	50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
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DXT5551P5Q-13	0.5900	RFQ	4163	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerDi™5	DXT5551	2.25 w	PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	5,000	160 v	600 MA	50NA（iCBO）	NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	130MHz
2SA715VC	0.4300	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
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RN1407，LXHF	0.3400	RFQ	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1407	200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
MMBT5551	0.0150	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		300兆	SOT-23	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-MMBT5551TR	Ear99		3,000	160 v	600 MA	50NA（iCBO）	NPN	200mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，5v	100MHz
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提示131	-	RFQ	9609	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示131	2 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	80 V	8 a	500µA	npn-达灵顿	3V @ 30mA，6a	1000 @ 4A，4V	-
S8550-C-BP	-	RFQ	2703	微商业公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	S8050	625兆	到92	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		353-S8550-C-BP	Ear99	8541.21.0075	1,000	25 v	500 MA	200NA	PNP	600mv @ 50mA，500mA	120 @ 50mA，1V	150MHz
KSB1015OTU	-	RFQ	9779	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSB10	25 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	60 V	3 a	100µA（ICBO）	PNP	1V @ 300mA，3a	60 @ 500mA，5V	9MHz
mpsw01g	0.1700	RFQ	55	Sanyo	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）		1 w	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	5,000	30 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	60 @ 100mA，1V	50MHz
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（BJT）（35082）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²