SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 获得 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
UNR52ANG0L Panasonic Electronic Components UNUR52ANG0L -
RFQ
ECAD 5421 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-85 UNUR52A 150兆 smini3-f2 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 80 ma 500NA npn-预先偏见 250mv @ 300µA,10mA 80 @ 5mA,10v 150 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
PBSS5240V,115 Nexperia USA Inc. PBSS5240V,115 0.4800
RFQ
ECAD 9850 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 150°C(TJ) 表面安装 SOT-563,SOT-666 PBSS5240 900兆 SOT-666 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 4,000 40 V 1.8 a 100NA PNP 530mv @ 200mA,2a 300 @ 100mA,5V 150MHz
BU407HTU onsemi BU407HTU -
RFQ
ECAD 1242 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BU407 60 W TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 150 v 7 a 5mA NPN 1V @ 800mA,5a - 10MHz
BD680AS onsemi BD680AS -
RFQ
ECAD 3520 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 BD680 14 W TO-126-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 80 V 4 a 500µA pnp-达灵顿 2.8V @ 40mA,2a 750 @ 2a,3v -
2SC3851 Sanken 2SC3851 1.8500
RFQ
ECAD 676 0.00000000 桑肯 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 25 w TO-220F 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 2SC3851 DK Ear99 8541.29.0095 1,000 60 V 4 a 100µA(ICBO) NPN 500mv @ 200mA,2a 40 @ 1A,4V 15MHz
TIP50 onsemi 提示50 -
RFQ
ECAD 3385 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 提示50 2 w TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 200 400 v 1 a 1ma NPN 1V @ 200mA,1a 30 @ 300mA,10v 10MHz
2N3440L Microchip Technology 2N3440L 26.6665
RFQ
ECAD 5504 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-205AA,TO-5-3金属可以 2N3440 800兆 TO-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 250 v 1 a 2µA NPN 500mv @ 4mA,50mA 40 @ 20mA,10v -
DTD123TKT146 Rohm Semiconductor DTD123TKT146 0.5400
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DTD123 200兆 SMT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 40 V 500 MA 500NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 2.5mA,50mA 100 @ 50mA,5V 200 MHz 2.2 kohms
DTA114EEFRATL Rohm Semiconductor DTA114EEFRATL 0.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-75,SOT-416 DTA114 150兆 EMT3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 20 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 20 @ 5mA,5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
MMBTA55-TP Micro Commercial Co MMBTA55-TP 0.2000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBTA55 225兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 60 V 500 MA 100NA PNP 250mv @ 10mA,100mA 100 @ 100mA,1V 50MHz
JAN2N2919U Microchip Technology JAN2N2919U 43.0920
RFQ
ECAD 3582 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/355 大部分 积极的 200°C(TJ) 表面安装 3-SMD,没有铅 2N2919 350MW 3-SMD - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 30mA 10µA(ICBO) 2 NPN (双) 300mv @ 100µA,1mA 150 @ 1mA,5V -
2SB1030ARA Panasonic Electronic Components 2SB1030ARA -
RFQ
ECAD 9725 0.00000000 松下电子组件 - (CT) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 3-SIP 2SB1030 300兆 NS-B1 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 5,000 50 V 500 MA 1µA PNP 600mv @ 30mA,300mA 120 @ 150mA,10V 120MHz
MPSH10_D74Z onsemi mpsh10_d74z -
RFQ
ECAD 1773年 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) MPSH10 350MW TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 - 25V 50mA NPN 60 @ 4mA,10v 650MHz -
JANSD2N3500 Microchip Technology JANSD2N3500 41.5800
RFQ
ECAD 7506 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/366 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 到205AD,TO-39-3 1 w TO-39((TO-205AD) - 到达不受影响 150-JANSD2N3500 1 150 v 300 MA 10µA(ICBO) NPN 400mv @ 15mA,150mA 40 @ 150mA,10v -
2C3440 Microchip Technology 2C3440 9.0307
RFQ
ECAD 5315 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-2C3440 1
FZT603TA Diodes Incorporated FZT603TA 0.6800
RFQ
ECAD 37 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA FZT603 2 w SOT-223-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 80 V 2 a 10µA npn-达灵顿 1.13V @ 20mA,2a 5000 @ 500mA,5V 150MHz
MJE18006 onsemi MJE18006 -
RFQ
ECAD 2122 0.00000000 Onmi SwitchMode™ 管子 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MJE18 100 W TO-220 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 450 v 6 a 100µA NPN 700mv @ 600mA,3a 6 @ 3a,1V 14MHz
JAN2N2604UB/TR Microchip Technology JAN2N2604UB/TR -
RFQ
ECAD 7872 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/354 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 表面安装 4-SMD,没有铅 2N2604 400兆 UB - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN2N2604UB/TR Ear99 8541.21.0095 1 60 V 30 ma 10NA PNP 300mv @ 500µA,10mA 60 @ 500µA,5V -
BD439S onsemi BD439S -
RFQ
ECAD 1743年 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 BD439 36 W TO-126-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2832-BD439 Ear99 8541.29.0095 2,000 60 V 4 a 100µA(ICBO) NPN 800mv @ 200mA,2a 20 @ 10mA,5v 3MHz
MJD340T4 onsemi MJD340T4 -
RFQ
ECAD 7713 0.00000000 Onmi - (CT) 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MJD34 15 W DPAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 300 v 500 MA 100µA NPN - 30 @ 50mA,10v -
BC558 onsemi BC558 -
RFQ
ECAD 6824 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) BC558 500兆 TO-92-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 110 @ 2mA,5V 150MHz
2SC5198-O(S1,E Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5198-O(s1,e -
RFQ
ECAD 4257 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 2SC5198 100 W to-3p n(n) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 2SC5198-O (S1E Ear99 8541.29.0075 25 140 v 10 a 5µA(ICBO) NPN 2V @ 700mA,7a 55 @ 1A,5V 30MHz
FJN4306RTA onsemi FJN4306RTA -
RFQ
ECAD 4023 0.00000000 Onmi - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) FJN430 300兆 TO-92-3 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 68 @ 5mA,5V 200 MHz 10 kohms 47科姆斯
BD682G onsemi BD682G 0.9200
RFQ
ECAD 5765 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 BD682 40 W TO-126 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 100 v 4 a 500µA pnp-达灵顿 2.5V @ 30mA,1.5a 750 @ 1.5A,3V -
BC858W,115 NXP USA Inc. BC858W,115 1.0000
RFQ
ECAD 2509 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 200兆 SOT-323 下载 Ear99 8541.21.0075 1 30 V 100 ma 15NA(icbo) PNP 600mv @ 5mA,100mA 125 @ 2mA,5V 100MHz
BD680A STMicroelectronics BD680A -
RFQ
ECAD 3802 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 BD680 40 W SOT-32-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 80 V 4 a 500µA pnp-达灵顿 2.8V @ 40mA,2a 750 @ 2a,3v -
JANTX2N3441 Microchip Technology JANTX2N3441 -
RFQ
ECAD 6503 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/369 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-213AA,TO-66-2 2N3441 3 W TO-66(TO-213AA) - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 140 v 3 a - NPN 1V @ 50mA,500mA 25 @ 500mA,4V -
2N3772G onsemi 2n3772g 7.7000
RFQ
ECAD 56 0.00000000 Onmi - 托盘 过时的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 2N3772 150 w TO-204(TO-3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 60 V 20 a 10mA NPN 4V @ 4A,20A 15 @ 10a,4v 200kHz
TTC008(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC008 Q(Q) 0.8400
RFQ
ECAD 6705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA TTC008 1.1 w PW-mold2 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TTC008Q Ear99 8541.29.0095 200 285 v 1.5 a 10µA(ICBO) NPN 1V @ 62.5mA,500mA 80 @ 1mA,5V -
2SC6017-TL-E onsemi 2SC6017-TL-E 0.9000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 2SC6017 950兆 TP-FA - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 700 50 V 10 a 10µA(ICBO) NPN 360mv @ 250mA,5a 200 @ 1A,2V 200MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库