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（BJT）（35082）

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2N1890S	20.6815	RFQ	3203	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3		800兆	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		80 V	500 MA	10NA（ICBO）	NPN	5V @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N5153	15.6408	RFQ	6024	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3		1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		80 V	50 µA	50µA	PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
BD1396STU	-	RFQ	7061	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD139	1.25 w	TO-126-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,920		80 V	1.5 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
2SC5087YTE85LF	-	RFQ	9624	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	SC-61AA	2SC5087	150MW	smq	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	13DB	12V	80mA		NPN		120 @ 20mA，10v	7GHz			1.1db @ 1GHz
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MMSTA05-7	-	RFQ	5342	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	MMSTA05	200兆	SOT-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		60 V	500 MA	100NA	NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
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DTC143ZSATP	-	RFQ	3727	Rohm半导体	-	（TB）	过时的		通过洞	SC-72形成铅	DTC143	300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000		50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
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BC81740NMMTF	-	RFQ	2214	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817	310 MW	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		45 v	800 MA	100NA	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
BCW68HTA	0.4300	RFQ	16	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW68	330兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		45 v	800 MA	20NA	PNP	300mv @ 10mA，100mA	250 @ 100mA，1V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（BJT）（35082）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²