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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 获得 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) | 噪声系数(dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMST2222AT146 | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMST2222 | 200毫W | SMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 600毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 1V@50mA、500mA | 100@150mA,10V | 300兆赫 | ||||||
![]() | 2SA2127-AE | - | ![]() | 3268 | 0.00000000 | onsemi | - | 切带 (CT) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体(成型套管) | 2SA2127 | 1W | 3-MP | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 50V | 2A | 1μA(ICBO) | 国民党 | 400mV@50mA,1A | 200@100mA,2V | 420兆赫 | |||||||
![]() | MJD32CT4-A | 1.1100 | ![]() | 3913 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MJD32 | 15W | DPAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | 100伏 | 3A | 50微安 | 国民党 | 1.2V@375mA,3A | 10 @ 3A,4V | - | ||||||
![]() | BCX5616TA | 0.4000 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | BCX5616 | 1W | SOT-89-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80V | 1A | 100nA(ICBO) | NPN | 500毫伏@50毫安,500毫安 | 100@150mA,2V | 150兆赫 | ||||||
![]() | MPSW51A-BP | - | ![]() | 4916 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | MPSW51 | 625毫W | TO-92 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 353-MPSW51A-BP | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 40V | 1A | 100nA(ICBO) | 国民党 | 700mV@100mA,1A | 60@100mA,1V | 50兆赫 | ||||||
![]() | PZTA14/ZLX | - | ![]() | 9930 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-261-4、TO-261AA | 1.25W | SOT-223 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 934070725115 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 30V | 500毫安 | 100纳安 | NPN-达林顿 | 1.5V@100μA,100mA | 20000@100mA,5V | 125兆赫 | ||||||
![]() | 2PA1576R,135 | 0.0299 | ![]() | 3266 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 2PA1576 | 200毫W | SOT-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50V | 150毫安 | 100nA(ICBO) | 国民党 | 500毫伏@5毫安,50毫安 | 180@1mA,6V | 100兆赫兹 | ||||||
![]() | MPSW56 | - | ![]() | 4689 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | MPSW56 | 1W | TO-226-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,500人 | 80V | 1A | 500纳安 | 国民党 | 500mV@10mA、250mA | 50@250mA,1V | 50兆赫 | |||||||
![]() | DTA114EUAT106 | 0.2600 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | DTA114 | 200毫W | UMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 50毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 30@5mA,5V | 250兆赫 | 10欧姆 | 10欧姆 | |||||
| 2N5192 | - | ![]() | 7305 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-225AA、TO-126-3 | 2N51 | 40W | SOT-32-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80V | 4A | 1毫安 | NPN | 1.4V@1A、4A | 20 @ 1.5A,2V | 2兆赫兹 | |||||||
![]() | 2SC5751-A | - | ![]() | 6780 | 0.00000000 | 西尔 | - | 条 | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-343F | 205毫W | - | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 16分贝 | 6V | 50毫安 | NPN | 75@20mA,3V | 15GHz | 1.7dB@2GHz | ||||||||
| MMST3906-7-F | 0.2400 | ![]() | 第202章 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | MMST3906 | 200毫W | SOT-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200毫安 | - | 国民党 | 300毫伏@5毫安,50毫安 | 100@10mA,1V | 300兆赫 | |||||||
![]() | BUJ100,412 | - | ![]() | 4524 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | BUJ1 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | |||||||||||||||||||
![]() | 2N6249T1 | - | ![]() | 3143 | 0.00000000 | 美高森美公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65℃~200℃ | 通孔 | TO-254-3、TO-254AA | 2N6249 | 6W | TO-254AA | 下载 | 不符合RoHS标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 200V | 10A | 1毫安 | NPN | 1.5V@1A、10A | 10@10A,3V | - | |||||||
![]() | PQMB11Z | 0.3400 | ![]() | 9467 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 6-XFDFN 裸露焊盘 | PQMB11 | 230毫W | DFN1010B-6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50V | 100毫安 | 1微安 | 2 PNP - 预偏置(双) | 150mV@500μA,10mA | 30@5mA,5V | 180兆赫 | 10k欧姆 | 10k欧姆 | |||||
![]() | 30A02MH-TL-H | - | ![]() | 7539 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 3-SMD,写入 | 600毫W | 3-MCPH | - | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2156-30A02MH-TL-H-600039 | 1 | 30V | 700毫安 | 100纳安 | 国民党 | 220毫伏@10毫安、200毫安 | 200@10mA,2V | 520兆赫 | |||||||||
![]() | ZXTN19060CW | - | ![]() | 3540 | 0.00000000 | 分散公司 | * | 大部分 | 过时的 | - | 31-ZXTN19060CW | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2405 | 1919.19 | ![]() | 5309 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-2N2405 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | JANSD2N2218AL | 98.4404 | ![]() | 3372 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/251 | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-205AA、TO-5-3金属罐 | 800毫W | TO-5AA | - | REACH 不出行 | 150-JANSD2N2218AL | 1 | 50V | 800毫安 | 10纳安 | NPN | 1V@50mA、500mA | 40@150mA,10V | - | ||||||||||
![]() | MVR2N2222AUA/TR | 159.2276 | ![]() | 3768 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 650毫W | UA | - | REACH 不出行 | 150-MVR2N2222AUA/TR | 100 | 50V | 800毫安 | 50纳安 | NPN | 1V@50mA、500mA | 100@150mA,10V | - | ||||||||||
![]() | JANS2N3810U | 108.4106 | ![]() | 1404 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/336 | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | 2N3810 | 350毫W | 6-SMD | - | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50毫安 | 10μA(ICBO) | 2 PNP(双) | 250mV@100μA,1mA | 150@1mA,5V | - | ||||||||
![]() | 布尔51 | - | ![]() | 9369 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 管子 | 过时的 | 200°C(太焦) | 安装结构 | TO-204AA、TO-3 | 布尔51 | 350W | TO-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 200V | 60A | 1毫安 | NPN | 1.5V@5A、50A | 20@5A,4V | 16兆赫 | ||||||
![]() | BC847BQCZ | - | ![]() | 7320 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装,可湿侧面 | 3-XDFN 裸露焊盘 | 360毫W | DFN1412D-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 45V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | 400毫伏@5毫安、100毫安 | 200@2mA,5V | 100兆赫兹 | ||||||||
![]() | BC338 | - | ![]() | 7664 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | BC338 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25V | 800毫安 | 100纳安 | NPN | 700毫伏@50毫安,500毫安 | 100@100mA,1V | 100兆赫兹 | |||||||
| KSH44H11TF | - | ![]() | 6490 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | KSH44 | 1.75W | D-帕克 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 80V | 8A | 10微安 | NPN | 1V@400mA,8A | 40@4A,1V | 50兆赫 | |||||||
![]() | 2N4403 无PB | 0.4900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,500人 | 40V | 600毫安 | - | 国民党 | 750mV@50mA、500mA | 100@150mA,2V | 200兆赫 | |||||||
![]() | MJE15030 | 1.7100 | ![]() | 第531章 | 0.00000000 | NTE电子公司 | - | 包 | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 50W | TO-220 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2368-MJE15030 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150伏 | 8A | 100微安 | NPN | 500mV@100mA,1A | 20@4A,2V | 30兆赫兹 | ||||||||
![]() | 2N2918A | 9.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2383-2N2918A | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | ||||||||||||||||||
![]() | MJD2955T4G | 0.7300 | ![]() | 第547章 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MJD2955 | 1.75W | DPAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | 60V | 10A | 50微安 | 国民党 | 8V@3.3A、10A | 20 @ 4A、4V | 2兆赫兹 | ||||||
![]() | 2SA2030T2L | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-723 | 2SA2030 | 150毫W | VMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 12V | 500毫安 | 100nA(ICBO) | 国民党 | 250mV@10mA、200mA | 270@10mA,2V | 260兆赫 |

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