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2148）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 当前 -收集器截止（最大） | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PBSS4230PANP，115 | 0.1600 |  | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-UFDFN暴露垫 | PBSS4230 | 510MW | 6-Huson（2x2） | 下载 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,868 | 30V | 2a | 100NA（ICBO） | NPN，PNP | 290mv @ 200mA，2a | 200 @ 1A，2V | 120MHz | |||||
| 2N5796U/tr | 63.1883 | | 3134 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/496 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，没有铅 | 2N5796 | 6-SMD | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-2N5796U/TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 10µA（ICBO） | 2 PNP （双） | 1.6V @ 50mA，500mA | 100 @ 150mA，10V | - | |||||
| 2N5795AU | 71.0700 | | 3058 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，没有铅 | 2N5795 | 600MW | 你 | - | 到达不受影响 | 150-2N5795AU | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 600mA | 10µA（ICBO） | 2 PNP （双） | 1.6V @ 50mA，500mA | 40 @ 150mA，10v | - | |||
 | BCM856BSHX | - | | 7555 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q101 | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | BCM856 | 200MW | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 1727-BCM856BSHX | 过时的 | 1 | 65V | 100mA | 15NA（icbo） | 2 PNP （双） | 400mv @ 5mA，100mA | 200 @ 2mA，5v | 175MHz | |||
 | BC847PN-TPQ2 | 0.0592 | | 7824 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | BC847 | 200MW | SOT-363 | 下载 | 353-BC847PN-TPQ2 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45V | 100mA | 15NA（icbo） | NPN，PNP | 600mv @ 5mA，100mA / 650mv @ 5mA，100mA | 200 @ 2mA，5v / 220 @ 2mA，5V | 100MHz | ||||
 | SBC857BDW1T1G-M02 | - | | 6518 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101，SBC857BDW1T1G | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SBC857 | 380MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | - | 到达不受影响 | 488-SBC857BDW1T1G-M02 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45V | 100mA | 15NA（icbo） | 650mv @ 5mA，100mA | 220 @ 2mA，5V | |||||
| PMBT2227ARES-QH | 0.0620 | | 6956 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | PMBT2227 | 250MW | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1727-PMBT2227AYS-QHTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40V | 600mA | 10NA（ICBO） | NPN，PNP | 1V @ 50mA，500mA / 1.6V @ 50mA，500mA | 100 @ 150mA，10V | 300MHz，200MHz | ||
| 2N2975 | 33.4200 | | 5445 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 2N297 | - | 到达不受影响 | 150-2N2975 | 1 | |||||||||||||||||
 | PBSS4160DSH | 0.4000 | | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车，AEC-Q100 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | SC-74，SOT-457 | PBSS4160 | 290MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60V | 870mA | 100NA（ICBO） | 2 NPN （双） | 250mv @ 100mA，1a | 200 @ 500mA，5V | 220MHz | ||
 | DME201010R | - | | 3793 | 0.00000000 | 松下电子组件 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 在sic中停产 | 150°C（TJ） | 表面安装 | SC-74A，SOT-753 | DME20101 | 300MW | mini5-g3-b | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100µA | NPN，PNP （发射器耦合） | 300mv @ 10mA，100mA / 500mv @ 10mA，100mA | 210 @ 2mA，10v | 150MHz | |||
| 2N3726 | 17.6550 | | 7413 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 2N372 | - | 到达不受影响 | 150-2N3726 | 1 | |||||||||||||||||
| 2n2903a | 40.8750 | | 9843 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 2N2903 | - | 到达不受影响 | 150-2N2903A | 1 | |||||||||||||||||
| ZXTC6717MCQTA | 0.3864 | | 5658 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | ZXTC6717 | 1.13W | W-DFN3020-8 | 下载 | 到达不受影响 | 31-ZXTC6717MCQTATR | Ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 15V，12V | 4.5a，4a | 100NA | NPN，PNP互补 | 310mv @ 50mA，4.5a / 310mv @ 150mA，4A | 300 @ 200ma，2V / 300 @ 100mA，2V | 120MHz，110MHz | |||
 | BC 856S E6433 | - | | 4768 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 在sic中停产 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | BC 856 | 250MW | PG-SOT363-PO | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 65V | 100mA | 15NA（icbo） | 2 PNP （双） | 650mv @ 5mA，100mA | 200 @ 2mA，5v | 250MHz | ||
| SG2024J-883B | - | | 5841 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C（TA） | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | SG2024 | - | 16-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG2024J-883B | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 95V | 500mA | - | 7 NPN达灵顿 | 1.6V @ 500µA，350mA | 1000 @ 350mA，2V | - | ||
| BCM846SE6327HTSA1 | - | | 2952 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | BCM846 | 250MW | PG-SOT363-PO | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100mA | 15NA（icbo） | 2 NPN （双） | 650mv @ 5mA，100mA | 200 @ 2mA，5v | 250MHz | |||
 | BC847CDLP-7 | 0.3700 | | 13 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | BC847 | 350MW | x2-dfn1310-6（b型） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 15NA | 2 NPN （双） | 600mv @ 5mA，100mA | 420 @ 2mA，5V | 100MHz | ||
 | BC846BS_R1_00001 | 0.2400 | | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | BC846 | 250MW | SOT-363 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 3757-BC846BS_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100mA | 15NA（icbo） | 2 NPN （双） | 300mv @ 5mA，100mA | 200 @ 2mA，5v | 100MHz | |
 | BCM847BS-AQ | 0.0734 | | 5793 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | BCM847 | 250MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 2721-BCM847BS-AQTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 45V | 100mA | 15NA（icbo） | 2 NPN （双） | 600mv @ 5mA，100mA | 200 @ 2mA，5v | 100MHz | |||
| BC856S E6433 | 0.0300 | | 8372 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | BC856 | 250MW | SOT-363 | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,666 | 65V | 100mA | 15NA（icbo） | 2 PNP （双） | 650mv @ 5mA，100mA | 200 @ 2mA，5v | 250MHz | ||
 | Jan2n5794a | 105.1208 | | 7946 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/495 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N5794 | 600MW | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600mA | 10µA（ICBO） | 2 NPN （双） | 900mv @ 30mA，300mA | 100 @ 150mA，10V | - | |||
| HN4B102J（TE85L，F） | 0.6100 | | 6062 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | SC-74A，SOT-753 | HN4B102 | 750MW | SMV | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 30V | 1.8a，2a | 100NA（ICBO） | NPN，PNP | 140mv @ 20mA，600mA / 200mv @ 20mA，600mA | 200 @ 200ma，2V | - | |||
 | umh3nfhatn | 0.3500 | | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | UMH3 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA（ICBO） | 2 NPN- 预偏（双重） | 300mv @ 250µA，5mA | 100 @ 1mA，5V | 250MHz | ||
| JANS2N3810L | 88.5404 | | 8440 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/336 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N3810 | 350MW | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50mA | 10µA（ICBO） | 2 PNP （双） | 250mv @ 100µA，1mA | 150 @ 1mA，5V | - | |||
 | CEN876 | - | | 3090 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | CEN8 | - | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | ||
 | QST8TR | 0.6400 | | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | SOT-23-6薄，TSOT-23-6 | QST8 | 1.25W | TSMT6（SC-95） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 12V | 1.5a | 100NA（ICBO） | 2 PNP （双） | 200mv @ 25mA，500mA | 270 @ 200ma，2V | 400MHz | ||
| SG2821J-883B | - | | 1561年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C（TA） | 通过洞 | 18-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | SG2821 | - | 18-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG2821J-883B | Ear99 | 8541.29.0095 | 21 | 95V | 500mA | - | 8 npn达灵顿 | 1.6V @ 500µA，350mA | 1000 @ 350mA，2V | - | ||
 | ULN2803A | 1.1000 | | 18 | 0.00000000 | UMW | UMW | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 18-SOIC（0.295（7.50mm） | ULN2803 | - | 18 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | - | 500mA | 20µA | 8 npn达灵顿 | 1.6V @ 500µA，350mA | - | - | |||
| JAN2N5795 | - | | 9833 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/496 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N5795 | 600MW | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 600mA | 10µA（ICBO） | 2 PNP （双） | 1.6V @ 50mA，500mA | 40 @ 150mA，10v | - | |||
 | SLA6026 | 3.4200 | | 25 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 管子 | 过时的 | 150°C（TJ） | 通过洞 | 12-SIP裸露的选项卡 | Sla60 | 5W | 12-sip | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Sla6026 dk | Ear99 | 8541.29.0075 | 18 | 60V | 10a | 10µA（ICBO） | 3 NPN，3 pnp darlington （3相桥） | 1.5V @ 12mA，6a | 2000 @ 6a，4v | 50MHz |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
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