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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FSBS15CH60AA | 13.2800 | ![]() | 82 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||
![]() | FSB50550T | 10.5600 | ![]() | 410 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®5 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 23-PowerDip 模块( 0.748“,19.00mm) | MOSFET | FSB505 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 29 | 3期 | 1.8 a | 500 v | 1500vrms | ||
![]() | FSBB20CH60SL | 17.8000 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Motion-SPM® | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) | IGBT | FSBB20 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 20 a | 600 v | 2500vrms | ||
![]() | FSB70450F | 5.4300 | ![]() | 796 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®7 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 27-Powerlqfn模块 | MOSFET | FSB704 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 3相逆变器 | 4.8 a | 500 v | 1500vrms | ||
![]() | IRAMS06UP60B-2 | 1.0000 | ![]() | 7804 | 0.00000000 | 国际整流器 | Imotion™ | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 23-Powersip模块,19条线索,形成铅 | IGBT | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 6 a | 600 v | 2000vrms | |||
![]() | FSB50450L | 5.1200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®5 | 大部分 | 积极的 | MOSFET | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | 3相逆变器 | |||||||||
![]() | FNB51060T1 | 7.5500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®55 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 20-PowerDip 模块(1.220英寸,31.00mm) | IGBT | FNB51 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 13 | 3相逆变器 | 10 a | 600 v | 1500vrms | ||
![]() | FPDB30PH60 | 29.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PFCSPM®3 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) | IGBT | FPDB30 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2期 | 20 a | 600 v | 2500vrms | ||
![]() | FSAM30SM60A | 62.5600 | ![]() | 398 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®2 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 32-PowerDip 模块(1.370英寸,34.80mm) | IGBT | FSAM30 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 30 a | 600 v | 2500vrms | ||
![]() | IRAMS06UP60A | - | ![]() | 1022 | 0.00000000 | 国际整流器 | Imotion™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 23-Powersip模块,19条线索,形成铅 | IGBT | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 6 a | 600 v | 2000vrms | |||
![]() | IFS100B12N3E4B31BDLA1 | 1.0000 | ![]() | 5368 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||
![]() | FSBS15CH60L | 15.4800 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) | IGBT | FSB15 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 20 | 3期 | 15 a | 600 v | 2500vrms | ||
![]() | AOZ5332QI_1 | - | ![]() | 8568 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5332 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AOZ5332QI_1TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 50 a | - | ||
![]() | AOZ5311NQI_1 | - | ![]() | 3376 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5311 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AOZ5311NQI_1TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 50 a | - | ||
![]() | AOZ5332QI_5 | - | ![]() | 7808 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5332 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AOZ5332QI_5TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 50 a | - | ||
![]() | IM393X6FPXKLA1 | - | ![]() | 5114 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 26-Powersip模块,22条线索,形成铅 | IGBT | IM393x6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 15 | 3相逆变器 | 20 a | 600 v | 2000vrms | ||
![]() | IM393L6FPXKLA1 | - | ![]() | 8868 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 26-Powersip模块,22条线索,形成铅 | IGBT | IM393L6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 540 | 3相逆变器 | 15 a | 600 v | 2000vrms | ||
![]() | FSBB15CH60C | 1.0000 | ![]() | 8353 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | motionspm®3 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) | IGBT | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 15 a | 600 v | 2500vrms | ||||||
![]() | FNB81060T3 | 10.5500 | ![]() | 78 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®8 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块( 0.815英寸,20.70mm) | IGBT | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 29 | 3期 | 10 a | 600 v | 1500vrms | ||||||
![]() | FSB50660SFS | - | ![]() | 5766 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | motionspm®5Superfet® | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 23-powersmd模块,鸥翼 | MOSFET | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 3.1 a | 600 v | 1500vrms | ||||||
![]() | IRAMX16UP60B | 1.0000 | ![]() | 1728年 | 0.00000000 | Onmi | Imotion™ | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | 23-Powersip模块,19条线索,形成铅 | IGBT | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 3期 | 16 a | 600 v | 2000vrms | |||||||
![]() | FSB70325 | 5.0900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®7 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 27-Powerlqfn模块 | MOSFET | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 4.1 a | 250 v | 1500vrms | ||||||
STGIB15CH60TS-LZ | 17.7000 | ![]() | 2285 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Sllimm™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块(1.146英寸,29.10mm) | IGBT | STGIB15 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-STGIB15CH60TS-LZ | Ear99 | 8542.39.0001 | 13 | 3相逆变器 | 20 a | 600 v | 1500vrms | ||
STGIB10CH60TS-LZ | 14.2600 | ![]() | 3965 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Sllimm™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块(1.146英寸,29.10mm) | IGBT | STGIB10 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-STGIB10CH60TS-LZ | Ear99 | 8542.39.0001 | 13 | 3相逆变器 | 15 a | 600 v | 1500vrms | ||
![]() | FAM65V05DF1 | 41.0100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | spm® | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块(0.300英寸,7.62mm) | IGBT | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 50 a | 650 v | 2500vrms | ||||||
![]() | BM63575S-VC | 28.6300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块(1.327英寸,33.70mm) | IGBT | BM63575 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-BM63575S-VC | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 20 a | 600 v | 1500vrms | |
![]() | BM63375S-VA | 28.6300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块(1.134英寸,28.80mm) | IGBT | BM63375 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-BM63375S-VA | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 20 a | 600 v | 1500vrms | |
![]() | BM63374S-VC | 24.6300 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块(1.327英寸,33.70mm) | IGBT | BM63374 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-BM63374S-VC | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 15 a | 600 v | 1500vrms | |
![]() | BM63375S-VC | 28.6300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块(1.327英寸,33.70mm) | IGBT | BM63375 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-BM63375S-VC | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 20 a | 600 v | 1500vrms | |
![]() | BM63373S-VC | 21.4000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块(1.327英寸,33.70mm) | IGBT | BM63373 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-BM63373S-VC | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 10 a | 600 v | 1500vrms |
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