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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PS11015 | - | ![]() | 3901 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | 40-PowerDip 模块(2.835英寸,72.00mm),33条线索 | IGBT | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2 | 3期 | 20 a | 600 v | 2500vrms | ||||
![]() | AOZ5117QI-01 | 2.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5117 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 60 a | - | |||
![]() | FBS-GAM02P-C-PSE | 633.6000 | ![]() | 6378 | 0.00000000 | EPC Space,LLC | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 18-smd模块 | - | - | 3(168)) | 4107-FBS-GAM02P-C-PSE | 0000.00.0000 | 12 | 3期 | 50 V | - | ||||||
![]() | IRSM636-015MBTR | 6.6497 | ![]() | 9267 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | - | IRSM636 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | - | - | |||||
![]() | 2SD315AINPSA1 | - | ![]() | 2701 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||
![]() | AOZ5311NQI_1 | - | ![]() | 3376 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5311 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AOZ5311NQI_1TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 50 a | - | ||
![]() | STGIB20M60TS-E | - | ![]() | 3603 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Sllimm™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块(1.327英寸,33.70mm) | IGBT | STGIB20 | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 156 | 3相逆变器 | 25 a | 600 v | 1500vrms | ||||
![]() | IRAM538-1065AS | - | ![]() | 3604 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | - | IGBT | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001538574 | 过时的 | 0000.00.0000 | 130 | 3期 | 10 a | 600 v | - | |||
![]() | 附件23073NOSA1 | - | ![]() | 2237 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 附件2 | - | 到达不受影响 | 448-Accessory23073NOSA1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||
![]() | PP300T120 | - | ![]() | 8419 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 电源模块 | IGBT | pp300 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 3期 | 300 a | 1.2 kV | 2500VDC | ||||
FNA40860B2 | - | ![]() | 8516 | 0.00000000 | Onmi | MOTIONSPM®45 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块(1.024英寸,26.00mm) | IGBT | FNA40860 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 72 | 3期 | 8 a | 600 v | 2000vrms | |||
IGCM04G60GAXKMA1 | 8.0632 | ![]() | 8870 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 24-PowerDip 模块(1.028英寸,26.10mm) | IGBT | IGCM04 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 280 | 3期 | 4 a | 600 v | 2000vrms | |||
![]() | NFAP1060L3TT | 15.6600 | ![]() | 3967 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 不适合新设计 | 通过洞 | 29-Powerssip模块,21个线索,形成铅 | IGBT | NFAP1060 | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 120 | 3相逆变器 | 10 a | 600 v | 2000vrms | ||
![]() | PM10CZF120 | - | ![]() | 1066 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IntelliMod™ | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 电源模块 | IGBT | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8504.40.9580 | 2 | 3期 | 10 a | 1.2 kV | 2500vrms | ||||
![]() | IRAM256-1067A3 | - | ![]() | 4540 | 0.00000000 | Infineon技术 | Imotion™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 29-Powerssip模块,21个线索,形成铅 | IGBT | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001591176 | Ear99 | 8542.39.0001 | 80 | 3期 | 10 a | 600 v | 2000vrms | |||
![]() | PM50B6LA060 | - | ![]() | 5644 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IntelliMod™ | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 电源模块 | IGBT | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8504.40.9580 | 10 | H桥 | 50 a | 600 v | 2500VDC | |||||
![]() | FSBB15CH60B | - | ![]() | 1483 | 0.00000000 | Onmi | Motion-SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) | IGBT | FSBB15 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | 3期 | 15 a | 600 v | 2500vrms | |||
![]() | IMIC21V02X6SA1 | - | ![]() | 4631 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 托盘 | 积极的 | imic21 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001689246 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||
![]() | PSM03S93E5-A | 13.4000 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 托盘 | 在sic中停产 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块(1.134英寸,28.80mm) | MOSFET | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 835-1154 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 3期 | 3 a | 500 v | 1500vrms | |||
![]() | PM50RSD060 | - | ![]() | 5875 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IntelliMod™ | 大部分 | 在sic中停产 | 底盘安装 | 电源模块 | IGBT | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8504.40.9580 | 1 | 3期 | 50 a | 600 v | 2500VDC | |||
![]() | IM111X6Q1BAUMA1 | 12.0300 | ![]() | 4905 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,CIPOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 39-PowerVQFN | MOSFET | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | H桥 | 12 a | 600 v | 1500vrms | |||
![]() | FS28MR12W1M1HB11HPSA1 | 138.1300 | ![]() | 8168 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | FS28MR12 | - | rohs3符合条件 | 448-FS28MR12W1M1HB11HPSA1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 24 | ||||||||||
![]() | FVP12030IM3LEG1 | - | ![]() | 6581 | 0.00000000 | Onmi | SPM® | 托盘 | 过时的 | 通过洞 | 19-powerdip 模块(1.205英寸,30.60毫米) | IGBT | FVP120 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | 半桥 | 120 a | 300 v | 1500vrms | |||
![]() | PM800HSA120 | - | ![]() | 8974 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IntelliMod™ | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 电源模块 | IGBT | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 半相逆变器 | 800 a | 1.2 kV | 2500vrms | |||
![]() | FSBB20CH60B | - | ![]() | 6572 | 0.00000000 | Onmi | Motion-SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) | IGBT | FSBB20 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | 3期 | 20 a | 600 v | 2500vrms | |||
![]() | AOZ5279QI | 3.2800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 39-PowerVFQFN | MOSFET | AOZ5279 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 60 a | 20 v | - | ||
![]() | GA10SICP12-247 | - | ![]() | 7683 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | - | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 10 a | 1.2 kV | - | |||||
![]() | FBM502H10S001A | - | ![]() | 1078 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 模块 | - | FBM502 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | |||||
IFCM15P60GDXKMA1 | 18.3800 | ![]() | 276 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 24-PowerDip 模块(1.028英寸,26.10mm) | IGBT | IFCM15 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 14 | 3相逆变器 | 30 a | 650 v | 2000vrms | |||
FSB50450AT | - | ![]() | 7758 | 0.00000000 | Onmi | MOTIONSPM®5 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 23-PowerDip 模块( 0.748“,19.00mm) | MOSFET | FSB50450 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 180 | 3期 | 1.5 a | 500 v | 1500vrms |
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