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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电压-DC 反向((vr)(VR)) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EGP30BHE3/73 | - | ![]() | 6833 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | EGP30 | 标准 | GP20 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 3a | - | |||||
![]() | EGP30CHE3/73 | - | ![]() | 4255 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | EGP30 | 标准 | GP20 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65°C〜150°C | 3a | - | |||||
![]() | EGP30G-E3/73 | - | ![]() | 3213 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | EGP30 | 标准 | GP20 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 3 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 3a | - | |||||
![]() | EGP50CHE3/73 | - | ![]() | 7722 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | EGP50 | 标准 | GP20 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 5 a | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65°C〜150°C | 5a | 95pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | EGP50F-E3/73 | - | ![]() | 3242 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | EGP50 | 标准 | GP20 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.25 V @ 5 A | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65°C〜150°C | 5a | 75pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | GBPC1502W-E4/51 | 5.3000 | ![]() | 9029 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC1502 | 标准 | GBPC-W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 200 V | 15 a | 单相 | 200 v | |||||||
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![]() | GBPC1510-E4/51 | 5.3000 | ![]() | 196 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC1510 | 标准 | GBPC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | GBPC1510E451 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 1000 V | 15 a | 单相 | 1 kV | ||||||
![]() | GBPC2508-E4/51 | 5.3000 | ![]() | 4621 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC2508 | 标准 | GBPC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 800 V | 25 a | 单相 | 800 v | |||||||
![]() | GBU4D-E3/51 | 1.9500 | ![]() | 137 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU4 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | GBU4DE351 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 200 V | 3 a | 单相 | 200 v | ||||||
![]() | GBU4G-E3/51 | 1.9500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU4 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 400 V | 3 a | 单相 | 400 v | |||||||
![]() | GBU6B-E3/51 | 2.2100 | ![]() | 655 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU6 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 100 V | 3.8 a | 单相 | 100 v | |||||||
![]() | GBU6G-E3/51 | 2.1600 | ![]() | 4096 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU6 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 400 V | 3.8 a | 单相 | 400 v | |||||||
![]() | GBU8G-E3/51 | 2.0600 | ![]() | 2302 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU8 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 400 V | 3.9 a | 单相 | 400 v | |||||||
![]() | GBU8J-E3/51 | 2.0600 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU8 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 600 V | 3.9 a | 单相 | 600 v | |||||||
![]() | GBU8M-E3/51 | 2.1400 | ![]() | 734 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU8 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 1000 V | 3.9 a | 单相 | 1 kV | |||||||
KBU4M-E4/51 | 3.3700 | ![]() | 284 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU4 | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBU4ME451 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 1000 V | 4 a | 单相 | 1 kV | |||||||
KBU6A-E4/51 | 3.0205 | ![]() | 2581 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU6 | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 50 V | 6 a | 单相 | 50 V | ||||||||
KBU6B-E4/51 | 4.8200 | ![]() | 232 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU6 | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBU6BE451 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 100 V | 6 a | 单相 | 100 v | |||||||
KBU6M-E4/51 | 4.8200 | ![]() | 416 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU6 | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | kbu6me451 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 1000 V | 6 a | 单相 | 1 kV | |||||||
![]() | 1N3613GP-E3/73 | - | ![]() | 9428 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3613 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1 V @ 1 A | 2 µs | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||
![]() | 1N4001GPHE3/73 | - | ![]() | 4402 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4001 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | IN4001GPHE3/73 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | 1N4002-E3/73 | 0.2400 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4002 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | 1N4002GP-E3/73 | - | ![]() | 6241 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4002 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | 1N4002GPEHE3/73 | - | ![]() | 3445 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4002 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | 1N4004GPE-E3/73 | - | ![]() | 5449 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4004 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | IN4004GPE-E3/73 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | 1N4005GPHE3/73 | - | ![]() | 4042 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4005 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | 1N4006GP-E3/73 | - | ![]() | 5650 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4006 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | 1N4006GPHE3/73 | - | ![]() | 3994 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4006 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | 1N4007GP-E3/73 | 0.5400 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (CT) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4007 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz |
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