SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
DSI30-08AS-TUB IXYS DSI30-08AS-TUB 2.9700
RFQ
ECAD 8779 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB DSI30 标准 TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.29 V @ 30 A 40 µA @ 800 V -40°C〜175°C 30a 10pf @ 400V,1MHz
MDA600-16N1 IXYS MDA600-16N1 -
RFQ
ECAD 7358 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 底盘安装 模块 MDA600 标准 模块 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 1600 v 883a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1600 V -40°C〜150°C
MDA600-18N1 IXYS MDA600-18N1 -
RFQ
ECAD 4998 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 底盘安装 模块 MDA600 标准 模块 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 1800 v 883a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1800 V -40°C〜150°C
MDA600-20N1 IXYS MDA600-20N1 -
RFQ
ECAD 9014 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 底盘安装 模块 MDA600 标准 模块 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 2000 v 883a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 mA @ 2000 V -40°C〜150°C
MDA950-16N1W IXYS MDA950-16N1W -
RFQ
ECAD 2729 0.00000000 ixys - 托盘 积极的 底盘安装 模块 MDA950 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 1600 v 950a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1600 V -40°C〜150°C
MDD950-14N1W IXYS MDD950-14N1W -
RFQ
ECAD 8536 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 底盘安装 模块 MDD950 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1400 v 950a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1400 V -40°C〜150°C
MDK600-14N1 IXYS MDK600-14N1 -
RFQ
ECAD 5779 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 底盘安装 模块 MDK600 标准 模块 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1400 v 883a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1400 V -40°C〜150°C
MDK600-18N1 IXYS MDK600-18N1 -
RFQ
ECAD 1053 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 底盘安装 模块 MDK600 标准 模块 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1800 v 883a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1800 V -40°C〜150°C
MDK950-14N1W IXYS MDK950-14N1W -
RFQ
ECAD 6808 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 底盘安装 模块 MDK950 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1400 v 950a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1400 V -40°C〜150°C
MDK950-16N1W IXYS MDK950-16N1W -
RFQ
ECAD 1449 0.00000000 ixys - 托盘 积极的 底盘安装 模块 MDK950 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1600 v 950a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1600 V -40°C〜150°C
MDK950-20N1W IXYS MDK950-20N1W -
RFQ
ECAD 8793 0.00000000 ixys - 托盘 积极的 底盘安装 模块 MDK950 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 2000 v 950a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 mA @ 2000 V -40°C〜150°C
MDK950-22N1W IXYS MDK950-22N1W -
RFQ
ECAD 2308 0.00000000 ixys - 托盘 在sic中停产 底盘安装 模块 MDK950 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 2200 v 950a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 2200 V -40°C〜150°C
MDO1200-22N1 IXYS MDO1200-22N1 -
RFQ
ECAD 6974 0.00000000 ixys - 托盘 过时的 底盘安装 Y1-CU MDO1200 标准 Y1-CU - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2200 v - -
MPK95-06DA IXYS MPK95-06DA 35.2839
RFQ
ECAD 5185 0.00000000 ixys - 管子 积极的 底盘安装 TO-240AA MPK95 标准 TO-240AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 95a 1.73 V @ 50 A 35 ns 1.3 ma @ 600 V -40°C〜150°C
2W005G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2W005G-E4/51 0.8200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 2W005 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1.1 V @ 2 A 5 µA @ 50 V 2 a 单相 50 V
2W02G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2W02G-E4/51 0.8000
RFQ
ECAD 364 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 2W02 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1.1 V @ 2 A 5 µA @ 200 V 2 a 单相 200 v
2W08G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2W08G-E4/51 0.8200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 2W08 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1.1 V @ 2 A 5 µA @ 800 V 2 a 单相 800 v
3KBP02M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP02M-E4/51 -
RFQ
ECAD 9244 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 3KBP02 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 200 V 3 a 单相 200 v
B125C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B125C800G-E4/51 0.3424
RFQ
ECAD 7764 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 B125 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 900 MA 10 µA @ 200 V 900 MA 单相 200 v
B250C1000G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B250C1000G-E4/51 0.6100
RFQ
ECAD 5880 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 B250 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 1 A 10 µA @ 400 V 1 a 单相 400 v
B250C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B250C800G-E4/51 0.6100
RFQ
ECAD 7729 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 B250 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 900 MA 10 µA @ 400 V 900 MA 单相 400 v
B380C1500G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B380C1500G-E4/51 0.8200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 B380 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 1.5 A 10 µA @ 600 V 1.5 a 单相 600 v
B80C1000G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B80C1000G-E4/51 0.6100
RFQ
ECAD 635 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 B80 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 1 A 10 µA @ 125 V 1 a 单相 125 v
B80C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B80C800G-E4/51 0.6100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 B80 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 900 MA 10 µA @ 125 V 900 MA 单相 125 v
G2SB60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB60-E3/51 -
RFQ
ECAD 7521 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl G2SB60 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 750 MA 5 µA @ 200 V 1.5 a 单相 600 v
G3SBA60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60-E3/51 0.8303
RFQ
ECAD 8158 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU G3SBA60 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 2 A 5 µA @ 600 V 2.3 a 单相 600 v
G3SBA60L-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60L-E3/51 -
RFQ
ECAD 6752 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU G3SBA60 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 2 A 5 µA @ 600 V 2.3 a 单相 600 v
GBL005-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL005-E3/51 0.7456
RFQ
ECAD 9723 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBL005 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 400 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V 3 a 单相 50 V
GBLA02-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBLA02-E3/51 0.6630
RFQ
ECAD 8630 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBLA02 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 400 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 200 V 3 a 单相 200 v
GBLA04-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBLA04-E3/51 0.6630
RFQ
ECAD 2385 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBLA04 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V 3 a 单相 400 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库