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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
SBLF2040CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLF2040CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 1479年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 SBLF2040 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 10a 600 mv @ 10 a 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
SBLF25L25CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLF25L25CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 2730 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 SBLF25L25 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 25 v 12.5a 490 mv @ 12.5 A 900 µA @ 25 V -55°C〜150°C
SBLF25L30CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLF25L30CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 6167 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 SBLF25L30 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SBLF25L30CTHE3_A/p Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 12.5a 490 mv @ 12.5 A 900 µA @ 30 V -55°C〜150°C
U20DCT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division U20DCT-E3/4W -
RFQ
ECAD 9326 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 U20 标准 TO-220-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 1 V @ 10 A 80 ns 15 µA @ 200 V -55°C〜150°C
U8BT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division U8BT-E3/4W -
RFQ
ECAD 8579 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB U8 标准 TO-263AB(D²Pak) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.02 V @ 8 A 20 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 8a -
U8CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division U8CT-E3/4W -
RFQ
ECAD 6020 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB U8 标准 TO-263AB(D²Pak) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.02 V @ 8 A 20 ns 10 µA @ 150 V -55°C〜150°C 8a -
U8DT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division U8DT-E3/4W -
RFQ
ECAD 1193 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB U8 标准 TO-263AB(D²Pak) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.02 V @ 8 A 20 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 8a -
UB16BCT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division UB16BCT-E3/4W -
RFQ
ECAD 3690 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB UB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 8a 1.1 V @ 8 A 80 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C
UB30BCT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division UB30BCT-E3/4W -
RFQ
ECAD 7594 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB UB30 标准 TO-263AB(D²Pak) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 1.05 V @ 15 A 45 ns 20 µA @ 100 V -55°C〜150°C
UB8DT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division UB8DT-E3/4W -
RFQ
ECAD 4337 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB UB8 标准 TO-263AB(D²Pak) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.02 V @ 8 A 20 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 8a -
UF10CCT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF10CCT-E3/4W -
RFQ
ECAD 5537 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 UF10 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 5a 1.1 V @ 5 A 25 ns 5 µA @ 150 V -55°C〜150°C
UF8BT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF8BT-E3/4W -
RFQ
ECAD 3733 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 UF8 标准 ITO-220AC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.02 V @ 8 A 20 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 8a -
UG10CCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG10CCT-E3/45 0.5341
RFQ
ECAD 3759 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 UG10 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 5a 1.1 V @ 5 A 25 ns 10 µA @ 150 V -40°C〜150°C
UG12JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG12JT-E3/45 -
RFQ
ECAD 9674 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 UG12 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.75 V @ 12 A 50 ns 30 µA @ 600 V 150°C (最大) 12a -
UG18ACTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG18ACTHE3/45 -
RFQ
ECAD 4777 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 UG18 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 18a 1.1 V @ 9 A 30 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C
UG18BCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG18BCT-E3/45 -
RFQ
ECAD 9541 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 UG18 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 18a 1.1 V @ 9 A 30 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C
UG18BCTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG18BCTHE3/45 -
RFQ
ECAD 1953年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 UG18 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 18a 1.1 V @ 9 A 30 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C
UG30APT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG30APT-E3/45 -
RFQ
ECAD 5803 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 UG30 标准 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 30a 1.15 V @ 30 A 35 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C
UG30BPT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG30BPT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6315 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 UG30 标准 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 30a 1.15 V @ 30 A 35 ns 15 µA @ 100 V -65°C〜150°C
UG5HT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG5HT-E3/45 -
RFQ
ECAD 3991 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 UG5 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.75 V @ 5 A 50 ns 30 µA @ 500 V -55°C〜150°C 5a -
UG5JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ug5jthe3/45 -
RFQ
ECAD 4721 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 UG5 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.75 V @ 5 A 50 ns 30 µA @ 600 V -55°C〜150°C 5a -
UG8ATHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8ATHE3/45 -
RFQ
ECAD 5499 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 UG8 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1 V @ 8 A 30 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 8a -
UG8BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8BT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4864 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 UG8B 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 8 A 30 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 8a -
UG8BTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8BTHE3/45 -
RFQ
ECAD 4026 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 UG8 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 8 A 30 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 8a -
UG8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8DT-E3/45 -
RFQ
ECAD 2118 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 UG8D 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1 V @ 8 A 30 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 8a -
UG8DTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8DTHE3/45 -
RFQ
ECAD 9854 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 UG8 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1 V @ 8 A 30 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 8a -
UG8HCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8HCT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4603 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 UG8 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 500 v 4a 1.75 V @ 4 A 50 ns 30 µA @ 500 V -55°C〜150°C
UG8HTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8HTHE3/45 -
RFQ
ECAD 1367 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 UG8 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.75 V @ 8 A 50 ns 30 µA @ 500 V -55°C〜150°C 8a -
UG8JCTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8JCTHE3/45 -
RFQ
ECAD 3820 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 UG8 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 4a 1.75 V @ 4 A 50 ns 30 µA @ 600 V -55°C〜150°C
UG8JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8JT-E3/45 -
RFQ
ECAD 5652 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 UG8J 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.75 V @ 8 A 50 ns 30 µA @ 600 V -55°C〜150°C 8a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库