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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
SS210-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS210-E3/52T 0.4400
RFQ
ECAD 135 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SS210 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 750 MV @ 1 A 30 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1.5a -
SS210HE3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS210HE3/52T -
RFQ
ECAD 1622 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 DO-214AA,SMB SS210 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 750 MV @ 1 A 30 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1.5a -
SS22S-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS22S-E3/61T 0.1002
RFQ
ECAD 3881 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SS22 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 550 mv @ 2 a 200 µA @ 20 V -55°C〜150°C 2a -
SS23S-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS23S-E3/61T 0.4700
RFQ
ECAD 7927 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SS23 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 550 mv @ 2 a 200 µA @ 30 V -55°C〜150°C 2a -
V40100C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40100C-E3/4W 2.4400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V40100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 20a 730 mv @ 20 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
VB10150S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB10150S-E3/4W 0.5524
RFQ
ECAD 5921 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB10150 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.2 V @ 10 A 150 µA @ 150 V -55°C〜150°C 10a -
VB20150C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20150C-E3/4W 1.7500
RFQ
ECAD 6234 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB20150 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 10a 1.2 V @ 10 A 150 µA @ 150 V -55°C〜150°C
VB30120S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30120S-E3/4W 0.8529
RFQ
ECAD 7930 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB30120 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 120 v 1.1 V @ 30 A 500 µA @ 120 V -40°C〜150°C 30a -
VB30120SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30120SG-E3/4W 0.7100
RFQ
ECAD 3293 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB30120 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 120 v 1.28 V @ 30 A 500 µA @ 120 V -40°C〜150°C 30a -
VB30150C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30150C-E3/4W 0.9691
RFQ
ECAD 5827 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB30150 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 15a 1.36 V @ 15 A 200 µA @ 150 V -55°C〜150°C
VF20100R-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF20100R-E3/4W -
RFQ
ECAD 3663 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF20100 肖特基 ITO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 900 mv @ 10 a 150 µA @ 100 V -40°C〜150°C
VF20100SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF20100SG-E3/4W 0.5958
RFQ
ECAD 4677 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF20100 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.07 V @ 20 A 350 µA @ 100 V -40°C〜150°C 20a -
VF30100C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF30100C-E3/4W 1.7500
RFQ
ECAD 8209 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF30100 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 800 mv @ 15 A 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
VI20200C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20200C-E3/4W 0.9219
RFQ
ECAD 7171 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI20200 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 1.6 V @ 10 A 150 µA @ 200 V -40°C〜150°C
VI20200G-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20200G-E3/4W 0.8569
RFQ
ECAD 4105 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI20200 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 1.7 V @ 10 A 150 µA @ 200 V -40°C〜150°C
VSIB10A20-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSIB10A20-E3/45 -
RFQ
ECAD 6453 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GSIB-5 VSIB10 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 1 V @ 5 A 10 µA @ 200 V 10 a 单相 200 v
VSIB10A60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSIB10A60-E3/45 -
RFQ
ECAD 6245 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GSIB-5 VSIB10 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 1 V @ 5 A 10 µA @ 600 V 10 a 单相 600 v
VSIB1520-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSIB1520-E3/45 -
RFQ
ECAD 8882 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GSIB-5 VSIB15 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 950 MV @ 7.5 A 10 µA @ 200 V 3.5 a 单相 200 v
VSIB15A20-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSIB15A20-E3/45 -
RFQ
ECAD 9697 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GSIB-5 VSIB15 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 1 V @ 7.5 A 10 µA @ 200 V 3.5 a 单相 200 v
VSIB15A60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSIB15A60-E3/45 -
RFQ
ECAD 6273 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GSIB-5 VSIB15 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 1 V @ 7.5 A 10 µA @ 600 V 3.5 a 单相 600 v
VSIB2060-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSIB2060-E3/45 -
RFQ
ECAD 5503 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GSIB-5 VSIB2060 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 1 V @ 10 A 10 µA @ 600 V 3.5 a 单相 600 v
VSIB2560-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSIB2560-E3/45 -
RFQ
ECAD 9102 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GSIB-5 VSIB2560 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 1 V @ 12.5 A 10 µA @ 600 V 3.5 a 单相 600 v
VSIB680-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSIB680-E3/45 -
RFQ
ECAD 4282 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GSIB-5 VSIB68 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 950 mv @ 3 a 10 µA @ 800 V 2.8 a 单相 800 v
VSIB6A20-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSIB6A20-E3/45 -
RFQ
ECAD 3486 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GSIB-5 VSIB6A 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 1 V @ 3 A 10 µA @ 200 V 2.8 a 单相 200 v
VSIB6A80-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSIB6A80-E3/45 -
RFQ
ECAD 7163 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GSIB-5 VSIB6A 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 1 V @ 3 A 10 µA @ 800 V 2.8 a 单相 800 v
MBRF10H100CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF10H100CT-E3/45 0.8983
RFQ
ECAD 3823 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 MBRF10 肖特基 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 5a 760 mv @ 5 a 3.5 µA @ 100 V -65°C〜175°C
MBRF10H100HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF10H100HE3/45 -
RFQ
ECAD 9163 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 MBRF10 肖特基 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 770 mv @ 10 A 4.5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 10a -
MBRF10H150CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF10H150CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 5240 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF10 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 5a 880 mv @ 5 a 5 µA @ 150 V -65°C〜175°C
MBRF10H45-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF10H45-E3/45 -
RFQ
ECAD 7798 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 MBRF10 肖特基 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 630 MV @ 10 A 100 µA @ 45 V -65°C〜175°C 10a -
MBRF10H90CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF10H90CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6771 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF10 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 90 v 5a 760 mv @ 5 a 3.5 µA @ 90 V -65°C〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库