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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SS210-E3/52T | 0.4400 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SS210 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 750 MV @ 1 A | 30 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | ||||||
![]() | SS210HE3/52T | - | ![]() | 1622 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SS210 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 750 MV @ 1 A | 30 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | ||||||
![]() | SS22S-E3/61T | 0.1002 | ![]() | 3881 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SS22 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 550 mv @ 2 a | 200 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||
![]() | SS23S-E3/61T | 0.4700 | ![]() | 7927 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SS23 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 550 mv @ 2 a | 200 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||
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![]() | VB10150S-E3/4W | 0.5524 | ![]() | 5921 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | VB10150 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 1.2 V @ 10 A | 150 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||
![]() | VB20150C-E3/4W | 1.7500 | ![]() | 6234 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | VB20150 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 10a | 1.2 V @ 10 A | 150 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | VB30120S-E3/4W | 0.8529 | ![]() | 7930 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | VB30120 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 120 v | 1.1 V @ 30 A | 500 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | 30a | - | ||||||
![]() | VB30120SG-E3/4W | 0.7100 | ![]() | 3293 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | VB30120 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 120 v | 1.28 V @ 30 A | 500 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | 30a | - | ||||||
![]() | VB30150C-E3/4W | 0.9691 | ![]() | 5827 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | VB30150 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 15a | 1.36 V @ 15 A | 200 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | VF20100R-E3/4W | - | ![]() | 3663 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | VF20100 | 肖特基 | ITO-220AB | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 150 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | VF20100SG-E3/4W | 0.5958 | ![]() | 4677 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | VF20100 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.07 V @ 20 A | 350 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 20a | - | ||||||
![]() | VF30100C-E3/4W | 1.7500 | ![]() | 8209 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | VF30100 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 15a | 800 mv @ 15 A | 500 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | VI20200C-E3/4W | 0.9219 | ![]() | 7171 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | VI20200 | 肖特基 | TO-262AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 1.6 V @ 10 A | 150 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | VI20200G-E3/4W | 0.8569 | ![]() | 4105 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | VI20200 | 肖特基 | TO-262AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 1.7 V @ 10 A | 150 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | ||||||
VSIB10A20-E3/45 | - | ![]() | 6453 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GSIB-5 | VSIB10 | 标准 | GSIB-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 1 V @ 5 A | 10 µA @ 200 V | 10 a | 单相 | 200 v | ||||||||
VSIB10A60-E3/45 | - | ![]() | 6245 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GSIB-5 | VSIB10 | 标准 | GSIB-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 1 V @ 5 A | 10 µA @ 600 V | 10 a | 单相 | 600 v | ||||||||
VSIB1520-E3/45 | - | ![]() | 8882 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GSIB-5 | VSIB15 | 标准 | GSIB-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 950 MV @ 7.5 A | 10 µA @ 200 V | 3.5 a | 单相 | 200 v | ||||||||
VSIB15A20-E3/45 | - | ![]() | 9697 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GSIB-5 | VSIB15 | 标准 | GSIB-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 200 V | 3.5 a | 单相 | 200 v | ||||||||
VSIB15A60-E3/45 | - | ![]() | 6273 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GSIB-5 | VSIB15 | 标准 | GSIB-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 600 V | 3.5 a | 单相 | 600 v | ||||||||
VSIB2060-E3/45 | - | ![]() | 5503 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GSIB-5 | VSIB2060 | 标准 | GSIB-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 1 V @ 10 A | 10 µA @ 600 V | 3.5 a | 单相 | 600 v | ||||||||
VSIB2560-E3/45 | - | ![]() | 9102 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GSIB-5 | VSIB2560 | 标准 | GSIB-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 600 V | 3.5 a | 单相 | 600 v | ||||||||
VSIB680-E3/45 | - | ![]() | 4282 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GSIB-5 | VSIB68 | 标准 | GSIB-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 950 mv @ 3 a | 10 µA @ 800 V | 2.8 a | 单相 | 800 v | ||||||||
VSIB6A20-E3/45 | - | ![]() | 3486 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GSIB-5 | VSIB6A | 标准 | GSIB-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 200 V | 2.8 a | 单相 | 200 v | ||||||||
VSIB6A80-E3/45 | - | ![]() | 7163 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GSIB-5 | VSIB6A | 标准 | GSIB-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 800 V | 2.8 a | 单相 | 800 v | ||||||||
![]() | MBRF10H100CT-E3/45 | 0.8983 | ![]() | 3823 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | MBRF10 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 5a | 760 mv @ 5 a | 3.5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | ||||||
![]() | MBRF10H100HE3/45 | - | ![]() | 9163 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | MBRF10 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 770 mv @ 10 A | 4.5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 10a | - | ||||||
![]() | MBRF10H150CT-E3/45 | - | ![]() | 5240 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF10 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 5a | 880 mv @ 5 a | 5 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | ||||||
![]() | MBRF10H45-E3/45 | - | ![]() | 7798 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | MBRF10 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 630 MV @ 10 A | 100 µA @ 45 V | -65°C〜175°C | 10a | - | ||||||
![]() | MBRF10H90CT-E3/45 | - | ![]() | 6771 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF10 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 90 v | 5a | 760 mv @ 5 a | 3.5 µA @ 90 V | -65°C〜175°C |
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