SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N5348A/TR12 Microchip Technology 1N5348A/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 7742 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5348 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 5 µA @ 8 V 11 V 2.5欧姆
1N5348CE3/TR13 Microchip Technology 1N5348CE3/TR13 1.3350
RFQ
ECAD 3533 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5348 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 5 µA @ 8 V 11 V 2.5欧姆
1N5348E3/TR12 Microchip Technology 1N5348E3/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 9359 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5348 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 5 µA @ 8 V 11 V 2.5欧姆
1N5348E3/TR13 Microchip Technology 1N5348E3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 4272 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5348 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 5 µA @ 8 V 11 V 2.5欧姆
1N5349/TR12 Microchip Technology 1N5349/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 8245 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5349 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 8.6 V 12 v 2.5欧姆
1N5349CE3/TR12 Microchip Technology 1N5349CE3/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 3067 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5349 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 8.6 V 12 v 2.5欧姆
1N5350/TR12 Microchip Technology 1N5350/TR12 -
RFQ
ECAD 5582 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5350 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 9.4 V 13 V 2.5欧姆
1N5350BE3/TR13 Microchip Technology 1N5350BE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 6380 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5350 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 9.4 V 13 V 2.5欧姆
1N5350C/TR12 Microchip Technology 1N5350C/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 8786 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5350 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 9.4 V 13 V 2.5欧姆
1N5350CE3/TR13 Microchip Technology 1N5350CE3/TR13 1.3350
RFQ
ECAD 6503 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5350 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 9.4 V 13 V 2.5欧姆
1N5351/TR12 Microchip Technology 1N5351/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 2360 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5351 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 10.1 V 14 V 2.5欧姆
1N5351AE3/TR13 Microchip Technology 1N5351AE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 9033 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5351 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 10.1 V 14 V 2.5欧姆
1N5351C/TR12 Microchip Technology 1N5351C/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 9407 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5351 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 10.1 V 14 V 2.5欧姆
1N5351CE3/TR12 Microchip Technology 1N5351CE3/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 4821 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5351 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 10.1 V 14 V 2.5欧姆
1N5352BE3/TR13 Microchip Technology 1N5352BE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 9072 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5352 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 10.8 V 15 v 2.5欧姆
1N5352E3/TR13 Microchip Technology 1N5352E3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 3553 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5352 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 10.8 V 15 v 2.5欧姆
1N5353BE3/TR13 Microchip Technology 1N5353BE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 2943 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5353 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 11.5 V 16 V 2.5欧姆
1N5353E3/TR13 Microchip Technology 1N5353E3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 7582 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5353 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 11.5 V 16 V 2.5欧姆
1N5354/TR12 Microchip Technology 1N5354/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 9263 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5354 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 12.2 V 17 V 2.5欧姆
1N5354AE3/TR12 Microchip Technology 1N5354AE3/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 6812 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5354 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 12.2 V 17 V 2.5欧姆
1N5354B/TR12 Microchip Technology 1N5354B/TR12 2.6850
RFQ
ECAD 5822 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5354 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 12.2 V 17 V 2.5欧姆
1N5354CE3/TR12 Microchip Technology 1N5354CE3/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 6584 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5354 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 12.2 V 17 V 2.5欧姆
1N5354E3/TR12 Microchip Technology 1N5354E3/TR12 -
RFQ
ECAD 1161 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5354 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 12.2 V 17 V 2.5欧姆
1N5354E3/TR13 Microchip Technology 1N5354E3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 2648 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5354 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 12.2 V 17 V 2.5欧姆
1N5356AE3/TR13 Microchip Technology 1N5356AE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 5086 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5356 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 13.7 V 19 v 3欧姆
1N5356BE3/TR13 Microchip Technology 1N5356BE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 8226 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5356 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2266-1N5356BE3/TR13 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 13.7 V 19 v 3欧姆
1N5357B/TR12 Microchip Technology 1N5357B/TR12 2.6850
RFQ
ECAD 3807 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5357 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 14.4 V 20 v 3欧姆
1N5358/TR12 Microchip Technology 1N5358/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 9415 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5358 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 15.8 V 22 v 3.5欧姆
1N5358AE3/TR12 Microchip Technology 1N5358AE3/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 2218 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5358 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 15.8 V 22 v 3.5欧姆
1N5376AE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5376AE3/TR12 -
RFQ
ECAD 3184 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5376 5 w T-18 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 63 V 87 v 75欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库