SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N5371AE3/TR13 Microchip Technology 1N5371AE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 5239 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5371 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 43 V 60 V 40欧姆
1N5371CE3/TR12 Microchip Technology 1N5371CE3/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 5513 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5371 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 43 V 60 V 40欧姆
1N5372/TR12 Microchip Technology 1N5372/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 4294 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5372 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 44.6 V 62 v 42欧姆
1N5372BE3/TR13 Microchip Technology 1N5372BE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 5547 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5372 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 44.6 V 62 v 42欧姆
1N5372CE3/TR12 Microchip Technology 1N5372CE3/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 1342 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5372 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 44.6 V 62 v 42欧姆
1N5373E3/TR13 Microchip Technology 1N5373E3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 5613 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5373 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 49 V 68 v 44欧姆
1N5374B/TR12 Microsemi Corporation 1N5374B/TR12 -
RFQ
ECAD 1912年 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5374 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 54 V 75 v 45欧姆
1N5374BE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5374BE3/TR12 -
RFQ
ECAD 8886 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5374 5 w T-18 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 54 V 75 v 45欧姆
1N5374CE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5374CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 1502 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5374 5 w T-18 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 54 V 75 v 45欧姆
1N5374E3/TR13 Microsemi Corporation 1N5374E3/TR13 -
RFQ
ECAD 7030 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5374 5 w T-18 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 54 V 75 v 45欧姆
1N5375/TR12 Microsemi Corporation 1N5375/TR12 -
RFQ
ECAD 1989 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5375 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 59 V 82 v 64欧姆
1N5375BE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5375BE3/TR12 -
RFQ
ECAD 5724 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5375 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 59 V 82 v 64欧姆
1N5375BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5375BE3/TR13 -
RFQ
ECAD 7897 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5375 5 w T-18 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 59 V 82 v 64欧姆
1N5375CE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5375CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 3772 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5375 5 w T-18 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 59 V 82 v 64欧姆
1N5375E3/TR13 Microsemi Corporation 1N5375E3/TR13 -
RFQ
ECAD 1125 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5375 5 w T-18 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 59 V 82 v 64欧姆
1N5376/TR12 Microsemi Corporation 1N5376/TR12 -
RFQ
ECAD 9147 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5376 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 63 V 87 v 75欧姆
1N5341A/TR12 Microchip Technology 1N5341A/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 9468 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5341 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 3 V 6.2 v 1欧姆
1N5341AE3/TR13 Microchip Technology 1N5341AE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 7308 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5341 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 3 V 6.2 v 1欧姆
1N5341BE3/TR12 Microchip Technology 1N5341BE3/TR12 2.6850
RFQ
ECAD 6377 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5341 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 3 V 6.2 v 1欧姆
1N5341E3/TR12 Microchip Technology 1N5341E3/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 9087 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5341 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 3 V 6.2 v 1欧姆
1N5341E3/TR13 Microchip Technology 1N5341E3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 7927 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5341 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 3 V 6.2 v 1欧姆
1N5342AE3/TR13 Microchip Technology 1N5342AE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5342 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 4.9 V 6.8 v 1欧姆
1N5342CE3/TR13 Microchip Technology 1N5342CE3/TR13 1.3350
RFQ
ECAD 2708 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5342 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 4.9 V 6.8 v 1欧姆
1N5343AE3/TR13 Microchip Technology 1N5343AE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 3331 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5343 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 5.4 V 7.5 v 1.5欧姆
1N5345BE3/TR12 Microchip Technology 1N5345BE3/TR12 2.6850
RFQ
ECAD 9729 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5345 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 6.25 V 8.7 v 2欧姆
1N5345CE3/TR12 Microchip Technology 1N5345CE3/TR12 -
RFQ
ECAD 5919 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5345 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 6.25 V 8.7 v 2欧姆
1N5345CE3/TR13 Microchip Technology 1N5345CE3/TR13 1.3350
RFQ
ECAD 8791 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5345 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 6.25 V 8.7 v 2欧姆
1N5346AE3/TR13 Microchip Technology 1N5346AE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 8194 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5346 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 7.5 µA @ 6.6 V 9.1 v 2欧姆
1N5346BE3/TR12 Microchip Technology 1N5346BE3/TR12 2.6850
RFQ
ECAD 5223 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5346 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 7.5 µA @ 6.6 V 9.1 v 2欧姆
1N5346C/TR12 Microchip Technology 1N5346C/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 4464 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5346 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 7.5 µA @ 6.6 V 9.1 v 2欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库