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二极管（（166326）

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VS-60APU06PBF	-	RFQ	5855	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	管子	过时的			通过洞	TO-247-3	60APU06	标准		TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			600 v		1.68 V @ 60 A	81 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	60a	-
VS-60EPF02PBF	-	RFQ	5170	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的			通过洞	TO-247-2	60 EPF02	标准		TO-247AC修改了	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			200 v		1.3 V @ 60 A	180 ns	100 µA @ 200 V	-40°C〜150°C	60a	-
VS-10ETF12PBF	-	RFQ	1467	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	在sic中停产			通过洞	TO-220-2	10etf12	标准		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			1200 v		1.33 V @ 10 A	310 ns		-40°C〜150°C	10a	-
VS-20ETF04FPPBF	-	RFQ	5169	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	20ETF04	标准		TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			400 v		1.3 V @ 20 A	160 ns	100 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	20a	-
VS-20ETS08PBF	-	RFQ	2319	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	在sic中停产			通过洞	TO-220-2	20ETS08	标准		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			800 v		1.1 V @ 20 A		100 µA @ 1000 V	-40°C〜150°C	20a	-
VS-40EPF04PBF	-	RFQ	2594	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的			通过洞	TO-247-2	40 EPF04	标准		TO-247AC修改了	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			400 v		1.25 V @ 40 A	180 ns	100 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	40a	-
VS-40EP08PBF	-	RFQ	2751	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的			通过洞	TO-247-2	40EPS08	标准		TO-247AC修改了	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			800 v		1.1 V @ 40 A		100 µA @ 800 V	-40°C〜150°C	40a	-
JANTX1N4101UR-1	9.0150	RFQ	5133	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4101		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.24 V						8.2 v	200欧姆
JANTX1N4476	6.8000	RFQ	1	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4476		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		50 NA @ 24 V						30 V	20欧姆
JANTX1N4479US	16.6200	RFQ	500	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N4479		1.5 w	Melf，D5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		50 NA @ 31.2 V						39 v	30欧姆
JANTX1N4489	14.4400	RFQ	637	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4489		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		250 na @ 80 V						100 v	250欧姆
JANTX1N4623-1	4.3050	RFQ	2324	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4623		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		4 µA @ 2 V						4.3 v	1600欧姆
JANTX1N4624UR-1	11.5500	RFQ	4769	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4624		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V						4.7 v	1550年
JANTX1N4627-1	5.3850	RFQ	7174	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4627		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5 V						6.2 v	1200欧姆
JANTX1N4970	6.4800	RFQ	508	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4970		5 w	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 25.1 V						33 V	10欧姆
JANTX1N4973	7.9000	RFQ	822	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4973		5 w	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 32.7 V						43 V	20欧姆
JANTX1N4977US	11.0700	RFQ	438	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4977		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 47.1 V						62 v	42欧姆
JANTX1N4980	8.9200	RFQ	1	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4980		5 w	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 62.2 V						82 v	80欧姆
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JANTX1N5619	5.2400	RFQ	9569	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5619	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			600 v		1.6 V @ 3 A	250 ns	500 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	-
JANTX1N6326	13.6600	RFQ	69	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6326		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 A		1 µA @ 9 V						12 v	7欧姆
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JANTX1N914UR	6.7950	RFQ	8197	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/116	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	1N914	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			75 v		1.2 V @ 50 mA	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
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JANTX1N825-1	5.1200	RFQ	3	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	-	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N825		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1								2 µA @ 3 V						5.9 v	15欧姆
APD0505-219	-	RFQ	1800	Skyworks Solutions Inc.	-	托盘	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）		-	APD0505			芯片	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Q6614291	Ear99	8541.10.0070	100		200 ma									0.05pf @ 50V，1MHz	PIN-单	50V			2.5OHM @ 10mA，500MHz
BU10065S-E3/45	-	RFQ	7371	Vishay通用半导体 -二极管部门	ISOCINK+™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，BU-5	BU10065	标准		ISOCINK+™BU-5S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800						1.05 V @ 5 A		10 µA @ 600 V		3.2 a		单相	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²