分区(390)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F
WNSC2D201200W6Q	3.2301	询价	9693	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-247-2	WNSC2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-2	下载					EAR99	8541.10.0080	600	无恢复T>500mA(Io)		1200伏		1.8V@20A	0纳秒	1200V时为200μA	175℃	20A	845pF@1V、1MHz
BYC20DX-600PQ	1.7400	询价	4	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2全封装，隔离片	BYC20	标准	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		2.9V@20A	20纳秒	600V时为10μA	175℃（最高）	20A	-
WN3S30H100CXQ	0.9100	询价	5	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-3全封装，隔离片	WN3S30	肖特基	TO-220F	下载		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	100伏	15A	710 毫伏 @ 15 安		100V时为50μA	150℃
BYV32E-100,127	0.5610	询价	6344	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-3	BYV32	标准	TO-220AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	100伏	20A	1.15V@20A	25纳秒	100V时为30μA	150℃（最高）
WB60FV60ALZ	1.1948	询价	7510	瑞能半导体	-	大部分	的积极	表面贴装	死	WB60	标准	晶圆	下载					EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		2V@60A	55纳秒	600V时为10μA	-40℃～175℃	60A	-
BYC8B-600PJ	0.4455	询价	6695	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	BYC8	标准	D2PAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	800	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		3.4V@8A	18纳秒	600V时为20μA	175℃（最高）	8A	-
WNSC5D046506Q	-	询价	8122	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2	WNSC5	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220AC	-				1740-WNSC5D046506Q	EAR99	8541.10.0080	1	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@4A	0纳秒	650V时为20μA	-55℃～175℃	4A	138pF@1V、1MHz
恩智浦SC10650Q	5.5700	询价	1	瑞能半导体	-	管子	SIC停产	通孔	TO-220-2	恩克斯普SC	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220AC	下载		不适用			EAR99	8541.10.0080	1,000	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@10A	0纳秒	650V时为250μA	175℃（最高）	10A	300pF@1V、1MHz
恩智浦SC04650D6J	2.6300	询价	1	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	恩克斯普SC	SiC（碳化硅）肖特基	DPAK	下载		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	2,500人	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@4A	0纳秒	650V时为170μA	175℃（最高）	4A	130pF@1V、1MHz
穆尔320J	0.1183	询价	7804	瑞能半导体	-	大部分	的积极	表面贴装	DO-214AB、SMC	毛里求斯320	标准	SMC	下载					EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		200V		第875章毫伏@3安	35纳秒	10μA@200V	175℃	3A	-
WNS40100CQ	1.2000年	询价	15	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-3	WNS40	肖特基	TO-220E	下载		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	100伏	20A	780 毫伏 @ 20 安		100V时为50μA	150℃
BYV10-600PQ	0.7400	询价	75	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2	BYV10	标准	TO-220AC	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		2V@10A	50纳秒	600V时为10μA	175℃（最高）	10A	-
WNSC2D16650CWQ	2.6160	询价	1862年	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-247-3	WNSC2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-3	下载		1（无限制）		1740-WNSC2D16650CWQ	EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)	1对共轴线	650伏	16A	1.7V@8A	0纳秒	40μA@650V	175℃
恩智浦SC06650B6J	3.7000	询价	3	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	恩克斯普SC	SiC（碳化硅）肖特基	D2PAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	800	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@6A	0纳秒	650V时为200μA	175℃（最高）	6A	190pF@1V、1MHz
NUR460P/L06U	-	询价	1821	瑞能半导体	-	大部分	过时的	通孔	DO-201AD，缝合	NUR460	标准	DO-201AD	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	500	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.28V@4A	75纳秒	600V时为10μA	-	4A	-
BYC30X-600PSQ	1.4400	询价	23	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2全封装，隔离片	BYC30	标准	TO-220F	下载		1（无限制）		1740-BYC30X-600PSQ	EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		2.75V@30A	45纳秒	600V时为10μA	175℃	30A	-
WN3S20H150CQ	0.7500	询价	5	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-3	WN3S20	肖特基	TO-220AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	150伏	10A	1.1V@10A		150V时为50μA	150℃
NXPS20H100C,127	-	询价	9839	瑞能半导体	-	管子	SIC停产	通孔	TO-220-3	恩智浦20	肖特基	TO-220AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	100伏	10A	770 毫伏 @ 10 安		100V时为4.5μA	175℃（最高）
BYV10EX-600PQ	1.0600	询价	4309	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2全封装，隔离片	BYV10	标准	TO-220FP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		2V@10A	50纳秒	600V时为10μA	-65℃～175℃	10A	-
WNSC6D20650CW6Q	5.3200	询价	第465章	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-247-3	WNSC6	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-3	下载		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)	1对共轴线	650伏	20A	1.45V@10A	0纳秒	50μA@650V	175℃
BYV29G-600,127	0.4620	询价	5838	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	BYV29	标准	I2PAK (TO-262)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		934063969127	EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.25V@8A	60纳秒	50μA@600V	150℃（最高）	9A	-
WNSC2D30650WQ	6.5500	询价	1	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-247-2	WNSC2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-2	下载		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@30A	0纳秒	650V时为100μA	175℃	30A	980pF @ 1V、1MHz
BYC405X-400PQ	0.4257	询价	9709	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-3全封装，隔离片	BYC405	标准	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		400V		1.5V@5A	40纳秒	400V时为10μA	150℃	10A	-
WNSC2D201200CWQ	5.7953	询价	8132	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-247-3	WNSC2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1740-WNSC2D201200CWQ	EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)	1对共轴线	1200伏	20A	1.65V@10A	0纳秒	110μA@1200V	175℃
BYV32EB-200PQ	-	询价	9807	瑞能半导体	-	管子	SIC停产	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	BYV32	标准	D2PAK	下载		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	800	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	200V	20A	1.15V@20A	25纳秒	5μA@200V	150℃（最高）
BYV430J-600PQ	2.4300	询价	3	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	BYV430	标准	TO-3P	下载		1（无限制）		934071202127	EAR99	8541.10.0080	30	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	600伏	30A	2V@30A	90纳秒	600V时为10μA	175℃（最高）
恩智浦SC10650DJ	-	询价	5878	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	恩克斯普SC	SiC（碳化硅）肖特基	DPAK	下载		1（无限制）		934070011118	EAR99	8541.10.0080	2,500人	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@10A	0纳秒	650V时为250μA	175℃（最高）	10A	300pF@1V、1MHz
BYV32E-200PQ	0.5940	询价	4153	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-3	BYV32	标准	TO-220AB	下载		1（无限制）		934069527127	EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	200V	10A	850毫伏@8安	25纳秒	5μA@200V	175℃（最高）
NUR460P/L01U	-	询价	1190	瑞能半导体	-	大部分	过时的	通孔	DO-201AD，缝合	NUR460	标准	DO-201AD	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934067358112	EAR99	8541.10.0080	500	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.05V@3A	75纳秒	600V时为10μA	175℃（最高）	4A	-
BYV10D-600PJ	0.2136	询价	4015	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	BYV10	标准	DPAK	下载					EAR99	8541.10.0080	2,500人	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.3V@10A	100纳秒	600V时为10μA	175℃	10A	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分区(390)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²