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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC101200CWQ | 6.4099 | ![]() | 1793年 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-3 | WNSC1 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.6 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | 10a | 250pf @ 1V,1MHz | |||||||
BYV34X-600,127 | 1.6700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | Byv34 | 标准 | TO-220F | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 20a | 1.36 V @ 10 A | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | ||||||||
BYC30-1200PQ | 1.1550 | ![]() | 3865 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | BYC30 | 标准 | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 934072004127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 3.3 V @ 30 A | 65 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | 30a | - | ||||||||
![]() | BYC10-600PQ | 0.4620 | ![]() | 9599 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | BYC10 | 标准 | TO-220AC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.8 V @ 10 A | 19 ns | 150°C (最大) | 10a | - | ||||||||
![]() | WNS40H100CGQ | 0.6930 | ![]() | 1458 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | WNS40 | 肖特基 | TO-262 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | - | 100 v | 20a | 710 MV @ 20 A | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||||
![]() | BYV29X-600,127 | 0.9700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | Byv29 | 标准 | TO-220FP | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.26 V @ 8 A | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 9a | - | |||||||
![]() | BYV29-600PQ | 0.2970 | ![]() | 3958 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | Byv29 | 标准 | TO-220AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 934072012127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 8 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 9a | - | ||||||
![]() | NXPSC206506Q | 7.6200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-2 | nxpsc | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 934072076127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 500 µA @ 650 V | 175°c (最大) | 20a | 600pf @ 1V,1MHz | |||||||
![]() | BYC5X-600PQ | 1.1200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | BYC5 | 标准 | TO-220F | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 3.3 V @ 5 A | 25 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 5a | - | |||||||
![]() | Murs160J | 0.4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | Smae | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.25 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | 175°C | 1a | - | ||||||||
![]() | WND10P08XQ | 0.8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | WND10 | 标准 | TO-220F | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.3 V @ 10 A | 10 µA @ 800 V | 150°C | 10a | - | ||||||||
BYV410X-600PQ | 1.3100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | BYV410 | 标准 | TO-220F | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 20a | 1.75 V @ 16 A | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°c (最大) | ||||||||
![]() | BYQ28E-200/H,127 | 0.7600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | BYQ28 | 标准 | TO-220AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 1.25 V @ 10 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||||||
![]() | WBST080SCM120CGALW | 11.6617 | ![]() | 9134 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 大部分 | 积极的 | WBST080 | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BYV60W-600PSQ | 2.0689 | ![]() | 1643年 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | byv60 | 标准 | TO-247-2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 60 A | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 60a | - | |||||||||
![]() | WNSC201200CWQ | 9.8340 | ![]() | 9464 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-3 | WNSC2 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.6 V @ 10 A | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | 20a | 510pf @ 1V,1MHz | |||||||
![]() | BYV30W-600PT2Q | 1.0905 | ![]() | 7638 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | byv30 | 标准 | TO-247-2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.55 V @ 30 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 30a | - | |||||||||
![]() | WNSC2D12650TJ | 3.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 4-VSFN暴露垫 | WNSC2 | SIC (碳化硅) | 5-DFN(8x8) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 60 µA @ 650 V | 175°C | 12a | 380pf @ 1V,1MHz | ||||||||
![]() | WNB2560MQ | 1.6165 | ![]() | 1893年 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | WNB2560 | 标准 | GBJS | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 920 MV @ 12.5 A | 10 µA @ 600 V | 25 a | 单相 | 600 v | |||||||||||
![]() | BYQ42E-200Q | 0.6270 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | BYQ42 | 标准 | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 934069644127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 15a | 1.05 V @ 15 A | 25 ns | 20 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||||||
![]() | NXPSC04650B6J | 2.7400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | nxpsc | SIC (碳化硅) | D2PAK | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 4 A | 0 ns | 170 µA @ 650 V | 175°c (最大) | 4a | 130pf @ 1V,1MHz | ||||||||
![]() | WNSC2D10650DJ | 2.7300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | WNSC2 | SIC (碳化硅) | DPAK | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175°C | 10a | 310pf @ 1V,1MHz | |||||||
![]() | BYV29G-600PQ | 0.3135 | ![]() | 8259 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | Byv29 | 标准 | i2pak((TO-262) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 934072013127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 8 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 9a | - | ||||||
![]() | WNSC08650T6J | 1.7160 | ![]() | 6617 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | 4-VSFN暴露垫 | WNSC0 | SIC (碳化硅) | 5-DFN(8x8) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175°c (最大) | 8a | 267pf @ 1V,1MHz | ||||||||
![]() | WNSC06650T6J | 2.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | 4-VSFN暴露垫 | WNSC0 | SIC (碳化硅) | 5-DFN(8x8) | 下载 | (1 (无限) | 1740-WNSC06650T6JCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 40 µA @ 650 V | 175°c (最大) | 6a | 190pf @ 1V,1MHz | |||||||
![]() | BYC75W-1200PQ | 6.0000 | ![]() | 888 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | BYC75 | 标准 | TO-247-2 | 下载 | Rohs符合条件 | 不适用 | 934072042127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 85 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | 75a | - | |||||||
![]() | BYV32EB-300PJ | 0.6237 | ![]() | 7112 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Byv32 | 标准 | D2PAK | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 20a | 1.25 V @ 10 A | 35 ns | 20 µA @ 300 V | 175°c (最大) | |||||||
![]() | MURS160BJ | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | Murs1 | 标准 | SMB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.25 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 1a | - | |||||||
![]() | BYV430K-300PQ | 1.4276 | ![]() | 7440 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | Byv430 | 标准 | to-3p | 下载 | (1 (无限) | 934069531127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 30a | 1.25 V @ 30 A | 55 ns | 10 µA @ 300 V | 175°c (最大) | |||||||
![]() | WNSC2D201200CW6Q | 4.1890 | ![]() | 5335 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | WNSC2 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 20a | 1.65 V @ 10 A | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C |
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