分区(390)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）
NXPS20H100CX,127	-	询价	6734	瑞能半导体	-	管子	SIC停产		通孔	TO-220-3全封装，隔离片	恩智浦20	肖特基	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	100伏	10A	770 毫伏 @ 10 安		4.5毫安@100伏	175℃（最高）
BYV30B-600PJ	1.2375	询价	8459	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	BYV30	标准	D2PAK	下载		1（无限制）	934070884118	EAR99	8541.10.0080	800	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.55V@30A	75纳秒	600V时为10μA	175℃（最高）	30A	-
WNSC5D08650T6J	-	询价	2007年	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	WNSC5	SiC（碳化硅）肖特基	5-DFN (8x8)	-			1740-WNSC5D08650T6JTR	EAR99	8541.10.0080	1	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@8A	0纳秒	40μA@650V	-55℃～175℃	8A	267pF@1V、1MHz
BYV30W-600PT2Q	1.0905	询价	7638	瑞能半导体	-	大部分	的积极		通孔	TO-247-2	BYV30	标准	TO-247-2	下载				EAR99	8541.10.0080	600	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.55V@30A	75纳秒	600V时为10μA	175℃	30A	-
恩智浦SC04650B6J	2.7400	询价	3	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	恩克斯普SC	SiC（碳化硅）肖特基	D2PAK	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	800	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@4A	0纳秒	650V时为170μA	175℃（最高）	4A	130pF@1V、1MHz
WNSC2D04650Q	1.4100	询价	2	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	WNSC2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	1740-WNSC2D04650Q	EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@4A	0纳秒	650V时为20μA	175℃	4A	125pF@1V、1MHz
BYC15-600,127	1.5000	询价	6	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	BYC15	标准	TO-220AC	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		500V		2.9V@15A	55纳秒	600V时为200μA	150℃（最高）	15A	-
BYQ30E-200,127	1.0200	询价	5	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-3	BYQ30	标准	TO-220AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	200V	16A	1.25V@16A	25纳秒	200V时为30μA	150℃（最高）
BYV430K-300PQ	1.4276	询价	7440	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-3P-3、SC-65-3	BYV430	标准	TO-3P	下载		1（无限制）	934069531127	EAR99	8541.10.0080	450	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	300伏	30A	1.25V@30A	55纳秒	10μA@300V	175℃（最高）
WNSC2D04650DJ	1.3000	询价	2	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	WNSC2	SiC（碳化硅）肖特基	DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	2,500人	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@4A	0纳秒	650V时为20μA	175℃	4A	125pF@1V、1MHz
WNSC2D12650TJ	3.4700	询价	2	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	WNSC2	SiC（碳化硅）肖特基	5-DFN (8x8)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@12A	0纳秒	60μA@650V	175℃	12A	380pF@1V、1MHz
BYV32E-150,127	1.3100	询价	6	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-3	BYV32	标准	TO-220AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	150伏	20A	1.15V@20A	25纳秒	150V时为30μA	150℃（最高）
恩智浦SC06650XQ	-	询价	7121	瑞能半导体	-	管子	最后一次购买		通孔	TO-220-2全封装，隔离片	恩克斯普SC	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220F	下载		1（无限制）	934070152127	EAR99	8541.10.0080	1,000	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@6A	0纳秒	650V时为200μA	175℃（最高）	6A	190pF@1V、1MHz
WNSC6D16650CW6Q	4.5600	询价	3	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-247-3	WNSC6	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.45V@16A	0纳秒	650V时为80μA	175℃	16A	780pF @ 1V、1MHz
BYV60W-600PQ	3.3000	询价	4	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-247-2	BYV60	标准	TO-247-2	下载	符合RoHS标准	不适用	934069533127	EAR99	8541.10.0080	30	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		2V@60A	55纳秒	600V时为10μA	175℃（最高）	60A	-
WNSC2D08650TJ	1.2300	询价	3930	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	WNSC2	SiC（碳化硅）肖特基	5-DFN (8x8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@8A	0纳秒	40μA@650V	175℃	8A	260pF@1V、1MHz
WNSC6D04650Q	0.9000	询价	8930	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	WNSC6	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220AC	下载		1（无限制）	1740-WNSC6D04650Q	EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.4V@4A	0纳秒	650V时为30μA	175℃	4A	233pF@1V、1MHz
WNSC2D301200CW6Q	5.6835	询价	3501	瑞能半导体	-	大部分	的积极		通孔	TO-247-3	WNSC2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-3	下载				EAR99	8541.10.0080	600	无恢复T>500mA(Io)	1对共轴线	1200伏	30A	1.7V@15A	0纳秒	150μA@1200V	175℃
BYC5D-500,127	0.3960	询价	5339	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	BYC5	标准	TO-220AC	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		500V		2V@5A	16纳秒	500V时为40μA	150℃（最高）	5A	-
BYC5-600PQ	0.3828	询价	9660	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	BYC5	标准	TO-220AC	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		3.3V@5A	25纳秒	600V时为10μA	-65℃～175℃	5A	-
WNB2560MQ	1.6165	询价	1893年	瑞能半导体	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	4-SIP，GBJ	WNB2560	标准	GBJS	下载				EAR99	8541.10.0080	600					920毫伏@12.5安		600V时为10μA		25A		单相	600伏
WNSC04650LJ	-	询价	6166	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	WNSC0	SiC（碳化硅）肖特基	5-DFN (8x8)	-				EAR99	8541.10.0080	1	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@4A	0纳秒	650V时为25μA	175℃	4A	141pF@1V、1MHz
BYT79-500,127	1.4600	询价	19号	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	BYT79	标准	TO-220AC	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		500V		1.38V@30A	60纳秒	50μA@500V	150℃（最高）	14A	-
WBST080SCM120CGALW	11.6617	询价	9134	瑞能半导体	-	大部分	的积极				WBST080			-						1
WNSC2D0512006Q	0.8343	询价	8420	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	WNSC2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220AC	下载				EAR99	8541.10.0080	1,000	无恢复T>500mA(Io)		1200伏		1.6V@5A	0纳秒	1200V时为25μA	-55℃～175℃	5A	260pF@1V、1MHz
WNSC2D08650Q	2.4700	询价	5	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	WNSC2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	1740-WNSC2D08650Q	EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@8A	0纳秒	40μA@650V	175℃	8A	260pF@1V、1MHz
BYV29D-600PJ	0.6400	询价	18	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	BYV29	标准	DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	2,500人	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.3V@8A	75纳秒	600V时为10μA	175℃（最高）	9A	-
BYR29X-800,127	1.2700	询价	5	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2全封装，隔离片	29卢比	标准	TO-220FP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		800V		1.7V@8A	75纳秒	800V时为10μA	150℃（最高）	8A	-
WNSC2D10650DJ	2.7300	询价	7	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	WNSC2	SiC（碳化硅）肖特基	DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	2,500人	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@10A	0纳秒	50μA@650V	175℃	10A	310pF@1V、1MHz
穆尔斯160BJ	0.4300	询价	8	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	DO-214AA、SMB	穆尔斯1	标准	中小企业	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.25V@1A	75纳秒	5μA@600V	175℃（最高）	1A	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分区(390)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²