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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC5D10650T6J | - | ![]() | 7976 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 4-VSFN 裸露焊盘 | WNSC5 | SiC(碳化硅)肖特基 | 5-DFN (8x8) | - | 1740-WNSC5D10650T6JTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 10A | 323pF@1V、1MHz | ||||||
![]() | WNSC051200Q | 2.8875 | ![]() | 1127 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-220-2 | WNSC0 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.6V@5A | 0纳秒 | 1200V时为50μA | 175℃(最高) | 5A | 250pF@1V、1MHz | |||||
![]() | WNSC2D10650BJ | 2.9500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | D2PAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | 175℃ | 10A | 310pF@1V、1MHz | |||||
![]() | WNSC5D16650CW6Q | - | ![]() | 7644 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | WNSC5 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | - | 1740-WNSC5D16650CW6Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 650伏 | 16A | 1.7V@8A | 0纳秒 | 40μA@650V | -55℃~175℃ | ||||||
![]() | WNSC2D06650XQ | 0.9150 | ![]() | 4213 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1740-WNSC2D06650XQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@6A | 0纳秒 | 650V时为30μA | 175℃ | 6A | 198pF@1V、1MHz | ||||
![]() | WNS20H100CBJ | 0.8500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | WNS20 | 肖特基 | D2PAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 10A | 750毫伏@10安 | 100V时为50μA | 150℃(最高) | ||||||
![]() | NXPS20S100C,127 | - | ![]() | 5555 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-220-3 | 恩智浦20 | 肖特基 | TO-220AB | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 934067127127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 10A | 580毫伏 @ 3安 | 100V时为3μA | 175℃(最高) | |||||
![]() | BYV34G-600,127 | 2.0100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | BYV34 | 标准 | I2PAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 20A | 1.48V@20A | 60纳秒 | 50μA@600V | 150℃(最高) | |||||
| BYV32G-200,127 | 0.7260 | ![]() | 6441 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | BYV32 | 标准 | I2PAK (TO-262) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 20A | 850毫伏@8安 | 25纳秒 | 200V时为30μA | 150℃(最高) | ||||||
![]() | NXPLQSC30650W6Q | 5.6197 | ![]() | 5212 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-247-3 | NXPLQSC | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1(无限制) | 934072091127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.95V@15A | 0纳秒 | 650V时为250μA | 175℃(最高) | 30A | 300pF@1V、1MHz | |||||
![]() | WN3S10H150CQ | 0.6200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | WN3S10 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 5A | 1V@5A | 150V时为50μA | 150℃ | |||||||
![]() | WNS20H100CQ | 0.8100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | WNS20 | 肖特基 | TO-220E | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | 934072010127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 10A | 750毫伏@10安 | 100V时为50μA | 150℃(最高) | |||||
![]() | BYV29-400,127 | 0.9000 | ![]() | 第787章 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | BYV29-400 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.25V@8A | 60纳秒 | 400V时为50μA | 150℃(最高) | 9A | - | |||||
![]() | WNS30H100CQ | 1.0800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | WNS30 | 肖特基 | TO-220E | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | 934072050127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 15A | 710 毫伏 @ 15 安 | 100V时为50μA | 150℃(最高) | |||||
![]() | WNS20S100CBJ | 0.7400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | WNS20 | 肖特基 | D2PAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 10A | 950毫伏@10安 | 100V时为50μA | 150℃(最高) | ||||||
| BYV32EX-300PQ | 1.1200 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | BYV32 | 标准 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 300伏 | 10A | 1.25V@10A | 35纳秒 | 300V时为20μA | 175℃(最高) | ||||||
![]() | BYV30JT-600PMQ | 0.7721 | ![]() | 9894 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | BYV30 | 标准 | TO-3PF | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 第480章 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.8V@30A | 65纳秒 | 600V时为10μA | 175℃ | 30A | - | |||||||
![]() | BYC15X-600,127 | 0.6600 | ![]() | 8527 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | BYC15 | 标准 | TO-220FP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 500V | 2.9V@15A | 55纳秒 | 600V时为200μA | 150℃(最高) | 15A | - | |||||
![]() | NUR460P/L02U | - | ![]() | 3178 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | NUR460 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 934067359112 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.05V@3A | 75纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 4A | - | ||||
![]() | WND08P16XQ | 0.3878 | ![]() | 1749 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | 温德08 | 标准 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1600伏 | 1.2V@8A | 1600V时为50μA | 150℃ | 8A | - | ||||||
![]() | BYC58X-600,127 | 0.8415 | ![]() | 3581 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | BYC58 | 标准 | TO-220FP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 3.2V@8A | 12.5纳秒 | 600V时为150μA | 150℃(最高) | 8A | - | |||||
![]() | WNB199V5APTSV | 0.9319 | ![]() | 8774 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | 死 | WNB199 | 标准 | 晶圆 | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2V@60A | 55纳秒 | 600V时为10μA | 175℃ | 60A | - | |||||||
![]() | WNSC6D166506Q | 4.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | WNSC6 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.45V@16A | 0纳秒 | 650V时为80μA | 175℃ | 16A | 780pF @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | BYV42E-200,127 | 1.4300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | BYV42 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 30A | 1.2V@30A | 28纳秒 | 100μA@200V | 150℃(最高) | |||||
![]() | WNSC2D101200D6J | 1.3300 | ![]() | 8173 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | DPAK | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.6V@10A | 0纳秒 | 1200V时为50μA | -55℃~175℃ | 10A | 481pF@1V、1MHz | |||||||
![]() | NXPLQSC20650WQ | - | ![]() | 7794 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-247-3 | NXPLQSC | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1(无限制) | 934070883127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.85V@10A | 0纳秒 | 650V时为230μA | 175℃(最高) | 20A | 250pF@1V、1MHz | |||||
![]() | BYV34-600,127 | 0.7920 | ![]() | 6863 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | BYV34 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 20A | 1.48V@20A | 60纳秒 | 50μA@600V | 150℃(最高) | |||||
![]() | NUR460P,133 | - | ![]() | 3388 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | NUR460 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 934067058133 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.05V@3A | 75纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 4A | - | ||||
![]() | WB30FC120ALZ | 1.2113 | ![]() | 5763 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | 死 | WB30 | 标准 | 晶圆 | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1200伏 | 3.5V@30A | 65纳秒 | 1200V时为250μA | 175℃ | 30A | - | |||||||
| WN3S10H150CXQ | 0.6600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | WN3S10 | 肖特基 | TO-220F | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 5A | 1V@5A | 150V时为50μA | 150℃ |

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