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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F
WNSC5D10650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D10650T6J -
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ECAD 7976 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 4-VSFN 裸露焊盘 WNSC5 SiC(碳化硅)肖特基 5-DFN (8x8) - 1740-WNSC5D10650T6JTR EAR99 8541.10.0080 1 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@10A 0纳秒 50μA@650V -55℃~175℃ 10A 323pF@1V、1MHz
WNSC051200Q WeEn Semiconductors WNSC051200Q 2.8875
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ECAD 1127 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 最后一次购买 通孔 TO-220-2 WNSC0 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220AC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 1,000 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.6V@5A 0纳秒 1200V时为50μA 175℃(最高) 5A 250pF@1V、1MHz
WNSC2D10650BJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650BJ 2.9500
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ECAD 6 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB WNSC2 SiC(碳化硅)肖特基 D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 800 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@10A 0纳秒 50μA@650V 175℃ 10A 310pF@1V、1MHz
WNSC5D16650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC5D16650CW6Q -
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ECAD 7644 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 WNSC5 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 - 1740-WNSC5D16650CW6Q EAR99 8541.10.0080 1 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 650伏 16A 1.7V@8A 0纳秒 40μA@650V -55℃~175℃
WNSC2D06650XQ WeEn Semiconductors WNSC2D06650XQ 0.9150
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ECAD 4213 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装,隔离片 WNSC2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1740-WNSC2D06650XQ EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@6A 0纳秒 650V时为30μA 175℃ 6A 198pF@1V、1MHz
WNS20H100CBJ WeEn Semiconductors WNS20H100CBJ 0.8500
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ECAD 15 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB WNS20 肖特基 D2PAK 下载 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8541.10.0080 800 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 10A 750毫伏@10安 100V时为50μA 150℃(最高)
NXPS20S100C,127 WeEn Semiconductors NXPS20S100C,127 -
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ECAD 5555 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 SIC停产 通孔 TO-220-3 恩智浦20 肖特基 TO-220AB - 符合RoHS标准 1(无限制) 934067127127 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 10A 580毫伏 @ 3安 100V时为3μA 175℃(最高)
BYV34G-600,127 WeEn Semiconductors BYV34G-600,127 2.0100
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ECAD 6 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA BYV34 标准 I2PAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 600伏 20A 1.48V@20A 60纳秒 50μA@600V 150℃(最高)
BYV32G-200,127 WeEn Semiconductors BYV32G-200,127 0.7260
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ECAD 6441 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA BYV32 标准 I2PAK (TO-262) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 20A 850毫伏@8安 25纳秒 200V时为30μA 150℃(最高)
NXPLQSC30650W6Q WeEn Semiconductors NXPLQSC30650W6Q 5.6197
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ECAD 5212 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 最后一次购买 通孔 TO-247-3 NXPLQSC SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 下载 1(无限制) 934072091127 EAR99 8541.10.0080 240 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.95V@15A 0纳秒 650V时为250μA 175℃(最高) 30A 300pF@1V、1MHz
WN3S10H150CQ WeEn Semiconductors WN3S10H150CQ 0.6200
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ECAD 5 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3 WN3S10 肖特基 TO-220AB 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 5A 1V@5A 150V时为50μA 150℃
WNS20H100CQ WeEn Semiconductors WNS20H100CQ 0.8100
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ECAD 9 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3 WNS20 肖特基 TO-220E 下载 符合RoHS标准 不适用 934072010127 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 10A 750毫伏@10安 100V时为50μA 150℃(最高)
BYV29-400,127 WeEn Semiconductors BYV29-400,127 0.9000
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ECAD 第787章 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 BYV29-400 标准 TO-220AC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.25V@8A 60纳秒 400V时为50μA 150℃(最高) 9A -
WNS30H100CQ WeEn Semiconductors WNS30H100CQ 1.0800
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ECAD 12 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3 WNS30 肖特基 TO-220E 下载 符合RoHS标准 不适用 934072050127 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 15A 710 毫伏 @ 15 安 100V时为50μA 150℃(最高)
WNS20S100CBJ WeEn Semiconductors WNS20S100CBJ 0.7400
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ECAD 7 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB WNS20 肖特基 D2PAK 下载 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8541.10.0080 800 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 10A 950毫伏@10安 100V时为50μA 150℃(最高)
BYV32EX-300PQ WeEn Semiconductors BYV32EX-300PQ 1.1200
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ECAD 35 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 BYV32 标准 TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 300伏 10A 1.25V@10A 35纳秒 300V时为20μA 175℃(最高)
BYV30JT-600PMQ WeEn Semiconductors BYV30JT-600PMQ 0.7721
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ECAD 9894 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 BYV30 标准 TO-3PF - EAR99 8541.10.0080 第480章 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.8V@30A 65纳秒 600V时为10μA 175℃ 30A -
BYC15X-600,127 WeEn Semiconductors BYC15X-600,127 0.6600
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ECAD 8527 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装,隔离片 BYC15 标准 TO-220FP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 500V 2.9V@15A 55纳秒 600V时为200μA 150℃(最高) 15A -
NUR460P/L02U WeEn Semiconductors NUR460P/L02U -
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ECAD 3178 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 过时的 通孔 DO-201AD,缝合 NUR460 标准 DO-201AD 下载 1(无限制) REACH 不出行 934067359112 EAR99 8541.10.0080 500 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.05V@3A 75纳秒 600V时为10μA 175℃(最高) 4A -
WND08P16XQ WeEn Semiconductors WND08P16XQ 0.3878
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ECAD 1749 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装,隔离片 温德08 标准 TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1600伏 1.2V@8A 1600V时为50μA 150℃ 8A -
BYC58X-600,127 WeEn Semiconductors BYC58X-600,127 0.8415
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ECAD 3581 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装,隔离片 BYC58 标准 TO-220FP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 3.2V@8A 12.5纳秒 600V时为150μA 150℃(最高) 8A -
WNB199V5APTSV WeEn Semiconductors WNB199V5APTSV 0.9319
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ECAD 8774 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 表面贴装 WNB199 标准 晶圆 - EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2V@60A 55纳秒 600V时为10μA 175℃ 60A -
WNSC6D166506Q WeEn Semiconductors WNSC6D166506Q 4.2600
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ECAD 2 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 WNSC6 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220AC 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.45V@16A 0纳秒 650V时为80μA 175℃ 16A 780pF @ 1V、1MHz
BYV42E-200,127 WeEn Semiconductors BYV42E-200,127 1.4300
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ECAD 12 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3 BYV42 标准 TO-220AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 30A 1.2V@30A 28纳秒 100μA@200V 150℃(最高)
WNSC2D101200D6J WeEn Semiconductors WNSC2D101200D6J 1.3300
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ECAD 8173 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 WNSC2 SiC(碳化硅)肖特基 DPAK 下载 EAR99 8541.10.0080 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.6V@10A 0纳秒 1200V时为50μA -55℃~175℃ 10A 481pF@1V、1MHz
NXPLQSC20650WQ WeEn Semiconductors NXPLQSC20650WQ -
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ECAD 7794 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 最后一次购买 通孔 TO-247-3 NXPLQSC SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 下载 1(无限制) 934070883127 EAR99 8541.10.0080 240 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.85V@10A 0纳秒 650V时为230μA 175℃(最高) 20A 250pF@1V、1MHz
BYV34-600,127 WeEn Semiconductors BYV34-600,127 0.7920
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ECAD 6863 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3 BYV34 标准 TO-220AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 600伏 20A 1.48V@20A 60纳秒 50μA@600V 150℃(最高)
NUR460P,133 WeEn Semiconductors NUR460P,133 -
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ECAD 3388 0.00000000 瑞能半导体 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 DO-201AD,缝合 NUR460 标准 DO-201AD 下载 1(无限制) REACH 不出行 934067058133 EAR99 8541.10.0080 800 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.05V@3A 75纳秒 600V时为10μA 175℃(最高) 4A -
WB30FC120ALZ WeEn Semiconductors WB30FC120ALZ 1.2113
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ECAD 5763 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 表面贴装 WB30 标准 晶圆 - EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1200伏 3.5V@30A 65纳秒 1200V时为250μA 175℃ 30A -
WN3S10H150CXQ WeEn Semiconductors WN3S10H150CXQ 0.6600
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ECAD 5 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 WN3S10 肖特基 TO-220F 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 5A 1V@5A 150V时为50μA 150℃
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    2000+

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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