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二极管（（390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f
BYQ30E-200,127	1.0200	RFQ	5	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	BYQ30	标准	TO-220AB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	16a	1.25 V @ 16 A	25 ns	30 µA @ 200 V	150°C （最大）
Nurs360BJ	-	RFQ	2146	Ween半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装	DO-214AA，SMB	Nurs360	标准	SMB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934067461118	Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1 V @ 3 A	75 ns		175°c （最大）	3a	-
BYC30WT-600PQ	2.5100	RFQ	2	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-247-3	BYC30	标准	TO-247-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		934068091127	Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		2.75 V @ 30 A	22 ns	10 µA @ 600 V	175°c （最大）	30a	-
WNSC2D06650DJ	1.7300	RFQ	7	Ween半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	WNSC2	SIC （碳化硅）	DPAK	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 6 A	0 ns	30 µA @ 650 V	175°C	6a	198pf @ 1V，1MHz
BYC5-600PQ	0.3828	RFQ	9660	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-2	BYC5	标准	TO-220AC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		3.3 V @ 5 A	25 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	5a	-
WNSC101200CWQ	6.4099	RFQ	1793年	Ween半导体	-	管子	上次购买	通过洞	TO-247-3	WNSC1	SIC （碳化硅）	TO-247-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）		1200 v		1.6 V @ 5 A	0 ns	50 µA @ 1200 V	175°c （最大）	10a	250pf @ 1V，1MHz
WNSC6D10650Q	3.2800	RFQ	945	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-2	WNSC6	SIC （碳化硅）	TO-220AC	下载		（1 （无限）		1740-WNSC6D10650Q	Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.45 V @ 10 A	0 ns	50 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	10a	500pf @ 1V，1MHz
WNSC2D0212006Q	-	RFQ	5726	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-2	WNSC2	SIC （碳化硅）	TO-220AC	-				1740-WNSC2D0212006Q	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）		1200 v		1.6 V @ 2 A	0 ns	10 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	2a	95pf @ 1V，1MHz
BYV430K-300PQ	1.4276	RFQ	7440	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	Byv430	标准	to-3p	下载		（1 （无限）		934069531127	Ear99	8541.10.0080	450	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	300 v	30a	1.25 V @ 30 A	55 ns	10 µA @ 300 V	175°c （最大）
WNSC5D08650T6J	-	RFQ	2007	Ween半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	4-VSFN暴露垫	WNSC5	SIC （碳化硅）	5-DFN（8x8）	-				1740-WNSC5D08650T6JTR	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 8 A	0 ns	40 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	8a	267pf @ 1V，1MHz
BYQ28E-200/H，127	0.7600	RFQ	4	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	BYQ28	标准	TO-220AB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	10a	1.25 V @ 10 A	25 ns	10 µA @ 200 V	150°C （最大）
WNS30H100CBJ	1.1200	RFQ	2	Ween半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	WNS30	肖特基	D2PAK	下载	Rohs符合条件	不适用			Ear99	8541.10.0080	800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	15a	710 MV @ 15 A		50 µA @ 100 V	150°C （最大）
BYC30X-600P，127	2.7400	RFQ	9	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-2完整包，隔离选项卡	BYC30	标准	TO-220FP	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.8 V @ 30 A	35 ns	10 µA @ 600 V	175°c （最大）	30a	-
BYV29X-600,127	0.9700	RFQ	9	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-2完整包，隔离选项卡	Byv29	标准	TO-220FP	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.26 V @ 8 A	60 ns	50 µA @ 600 V	150°C （最大）	9a	-
BYC8-600,127	0.9300	RFQ	5	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-2	BYC8	标准	TO-220AC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		2.9 V @ 8 A	52 ns	150 µA @ 600 V	150°C （最大）	8a	-
NXPSC08650Q	-	RFQ	9977	Ween半导体	-	管子	上次购买	通过洞	TO-220-2	nxpsc	SIC （碳化硅）	TO-220AC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1,000	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 8 A	0 ns	230 µA @ 650 V	175°c （最大）	8a	260pf @ 1V，1MHz
BYV42E-150,127	1.4200	RFQ	2	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	BYV42	标准	TO-220AB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	30a	1.2 V @ 30 A	28 ns	100 µA @ 150 V	150°C （最大）
NXPSC04650DJ	-	RFQ	2836	Ween半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	nxpsc	SIC （碳化硅）	DPAK	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 4 A	0 ns	170 µA @ 650 V	175°c （最大）	4a	130pf @ 1V，1MHz
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BYV410X-600PQ	1.3100	RFQ	9	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	BYV410	标准	TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	20a	1.75 V @ 16 A	55 ns	10 µA @ 600 V	175°c （最大）
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BYC5D-500,127	0.3960	RFQ	5339	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-2	BYC5	标准	TO-220AC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		500 v		2 V @ 5 A	16 ns	40 µA @ 500 V	150°C （最大）	5a	-
WNSC6D06650Q	1.2375	RFQ	9878	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-2	WNSC6	SIC （碳化硅）	TO-220AC	下载		（1 （无限）		1740-WNSC6D06650Q	Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.4 V @ 6 A	0 ns	50 µA @ 650 V	175°C	6a	327pf @ 1V，1MHz
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BYR29X-600,127	0.5610	RFQ	7922	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-2完整包，隔离选项卡	BYR29	标准	TO-220FP	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.7 V @ 8 A	75 ns	10 µA @ 600 V	150°C （最大）	8a	-
WNSC08650T6J	1.7160	RFQ	6617	Ween半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	表面安装	4-VSFN暴露垫	WNSC0	SIC （碳化硅）	5-DFN（8x8）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	3,000	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 8 A	0 ns	50 µA @ 650 V	175°c （最大）	8a	267pf @ 1V，1MHz
NXPSC086506Q	4.8000	RFQ	3	Ween半导体	-	管子	上次购买	通过洞	TO-220-2	nxpsc	SIC （碳化硅）	TO-220AC	下载		（1 （无限）		934072073127	Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 8 A	0 ns	230 µA @ 650 V	175°c （最大）	8a	260pf @ 1V，1MHz
BYC5X-600PQ	1.1200	RFQ	11	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-2完整包，隔离选项卡	BYC5	标准	TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		3.3 V @ 5 A	25 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	5a	-
NXPLQSC20650W6Q	5.2685	RFQ	7020	Ween半导体	-	大部分	上次购买	通过洞	TO-247-3	NXPLQSC	SIC （碳化硅）	TO-247-3	下载		（1 （无限）		934072086127	Ear99	8541.10.0080	240	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.85 V @ 10 A	0 ns	230 µA @ 650 V	175°c （最大）	20a	250pf @ 1V，1MHz
BYR29X-800,127	1.2700	RFQ	5	Ween半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-2完整包，隔离选项卡	BYR29	标准	TO-220FP	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		800 v		1.7 V @ 8 A	75 ns	10 µA @ 800 V	150°C （最大）	8a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²