分区(390)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）
BYV29-600PQ	0.2970	询价	3958	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-3	BYV29	标准	TO-220AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	934072012127	EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.3V@8A	75纳秒	600V时为10μA	175℃（最高）	9A	-
WNSC5D10650W6Q	-	询价	4282	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-247-2	WNSC5	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-2	-			1740-WNSC5D10650W6Q	EAR99	8541.10.0080	1	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@10A	0纳秒	50μA@650V	-55℃～175℃	10A	323pF@1V、1MHz
WNS20S100CQ	0.7200	询价	4	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-3	WNS20	肖特基	TO-220E	下载	符合RoHS标准	不适用	934072011127	EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	100伏	10A	950毫伏@10安		100V时为50μA	150℃（最高）
BYC5X-600PQ	1.1200	询价	11	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2全封装，隔离片	BYC5	标准	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		3.3V@5A	25纳秒	600V时为10μA	-65℃～175℃	5A	-
BYV42EB-200,118	1.6800	询价	6302	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	BYV42	标准	D2PAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	800	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	200V	30A	1.2V@30A	28纳秒	100μA@200V	150℃（最高）
BYV410X-600,127	1.7500	询价	5	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-3全封装，隔离片	BYV410	标准	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	600伏	10A	2.1V@10A	35纳秒	50μA@600V	150℃（最高）
恩智浦SC04650DJ	-	询价	2836	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	恩克斯普SC	SiC（碳化硅）肖特基	DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	2,500人	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@4A	0纳秒	650V时为170μA	175℃（最高）	4A	130pF@1V、1MHz
BYQ28E-200/H,127	0.7600	询价	4	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-3	BYQ28	标准	TO-220AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	200V	10A	1.25V@10A	25纳秒	10μA@200V	150℃（最高）
WNSC6D16650CW6Q	4.5600	询价	3	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-247-3	WNSC6	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.45V@16A	0纳秒	650V时为80μA	175℃	16A	780pF @ 1V、1MHz
BYC5DX-500,127	0.4125	询价	1052	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2全封装，隔离片	BYC5	标准	TO-220FP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		500V		2V@5A	16纳秒	500V时为40μA	150℃（最高）	5A	-
BYV25FB-600,118	0.4620	询价	8436	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	BYV25	标准	D2PAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	800	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.9V@5A	35纳秒	50μA@600V	150℃（最高）	5A	-
WNS40H100C,127	0.4247	询价	3137	瑞能半导体	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-3	WNS40	肖特基	TO-220E	下载				EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	100伏	20A	710 毫伏 @ 20 安		100V时为50μA	150℃
WNB2560MQ	1.6165	询价	1893年	瑞能半导体	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	4-SIP，GBJ	WNB2560	标准	GBJS	下载				EAR99	8541.10.0080	600					920毫伏@12.5安		600V时为10μA		25A		单相	600伏
WNSC2D0512006Q	0.8343	询价	8420	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	WNSC2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220AC	下载				EAR99	8541.10.0080	1,000	无恢复T>500mA(Io)		1200伏		1.6V@5A	0纳秒	1200V时为25μA	-55℃～175℃	5A	260pF@1V、1MHz
WNSC06650T6J	2.8400	询价	2	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	WNSC0	SiC（碳化硅）肖特基	5-DFN (8x8)	下载		1（无限制）	1740-WNSC06650T6JCT	EAR99	8541.10.0080	3,000	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@6A	0纳秒	40μA@650V	175℃（最高）	6A	190pF@1V、1MHz
WNS30H100CBJ	1.1200	询价	2	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	WNS30	肖特基	D2PAK	下载	符合RoHS标准	不适用		EAR99	8541.10.0080	800	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	100伏	15A	710 毫伏 @ 15 安		100V时为50μA	150℃（最高）
恩智浦SC10650BJ	-	询价	4322	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	恩克斯普SC	SiC（碳化硅）肖特基	D2PAK	下载		1（无限制）	934070005118	EAR99	8541.10.0080	800	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@10A	0纳秒	650V时为250μA	175℃（最高）	10A	300pF@1V、1MHz
WNSC5D04650X6Q	-	询价	5301	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	WNSC5	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220AC	-			1740-WNSC5D04650X6Q	EAR99	8541.10.0080	1	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@4A	0纳秒	650V时为20μA	-55℃～175℃	4A	138pF@1V、1MHz
BYV430W-300PQ	1.4871	询价	9908	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-247-3	BYV430	标准	TO-247-3	下载		1（无限制）	934069529127	EAR99	8541.10.0080	600	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	300伏	30A	1.25V@30A	50纳秒	10μA@300V	175℃（最高）
BYV32E-150,127	1.3100	询价	6	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-3	BYV32	标准	TO-220AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	150伏	20A	1.15V@20A	25纳秒	150V时为30μA	150℃（最高）
BYC5-600PQ	0.3828	询价	9660	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	BYC5	标准	TO-220AC	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		3.3V@5A	25纳秒	600V时为10μA	-65℃～175℃	5A	-
恩智浦SC06650XQ	-	询价	7121	瑞能半导体	-	管子	最后一次购买		通孔	TO-220-2全封装，隔离片	恩克斯普SC	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220F	下载		1（无限制）	934070152127	EAR99	8541.10.0080	1,000	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@6A	0纳秒	650V时为200μA	175℃（最高）	6A	190pF@1V、1MHz
BYV29D-600PJ	0.6400	询价	18	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	BYV29	标准	DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	2,500人	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.3V@8A	75纳秒	600V时为10μA	175℃（最高）	9A	-
WNSC6D04650Q	0.9000	询价	8930	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	WNSC6	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220AC	下载		1（无限制）	1740-WNSC6D04650Q	EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.4V@4A	0纳秒	650V时为30μA	175℃	4A	233pF@1V、1MHz
BYC30W-600PT2Q	2.3400	询价	1	瑞能半导体	-	大部分	的积极		通孔	TO-247-2	BYC30	标准	TO-247-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	934072030127	EAR99	8541.10.0080	450	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		2.75V@30A	34纳秒	600V时为10μA	175℃（最高）	30A	-
WNSC04650LJ	-	询价	6166	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	WNSC0	SiC（碳化硅）肖特基	5-DFN (8x8)	-				EAR99	8541.10.0080	1	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@4A	0纳秒	650V时为25μA	175℃	4A	141pF@1V、1MHz
BYC30JT-600PSQ	1.6100	询价	2	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-3PFM、SC-93-3	BYC30	标准	TO-3PF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	1740-BYC30JT-600PSQ	EAR99	8541.10.0080	第480章	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		2.75V@30A	22纳秒	600V时为10μA	175℃	30A	-
WNSC6D10650Q	3.2800	询价	第945章	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	WNSC6	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220AC	下载		1（无限制）	1740-WNSC6D10650Q	EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.45V@10A	0纳秒	50μA@650V	-55℃～175℃	10A	500pF@1V、1MHz
WNSC101200CWQ	6.4099	询价	1793年	瑞能半导体	-	管子	最后一次购买		通孔	TO-247-3	WNSC1	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)		1200伏		1.6V@5A	0纳秒	1200V时为50μA	175℃（最高）	10A	250pF@1V、1MHz
BYV44-500,127	1.8400	询价	4	瑞能半导体	-	管子	的积极		通孔	TO-220-3	BYV44	标准	TO-220AB	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	500V	30A	1.36V@30A	60纳秒	50μA@500V	150℃（最高）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分区(390)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²