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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F
BYC30WT-600PQ WeEn Semiconductors BYC30WT-600PQ 2.5100
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ECAD 2 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 BYC30 标准 TO-247-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 934068091127 EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2.75V@30A 22纳秒 600V时为10μA 175℃(最高) 30A -
BYV44-500,127 WeEn Semiconductors BYV44-500,127 1.8400
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ECAD 4 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3 BYV44 标准 TO-220AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 500V 30A 1.36V@30A 60纳秒 50μA@500V 150℃(最高)
WND35P12BJ WeEn Semiconductors WND35P12BJ 1.6000
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ECAD 11 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB WND35 标准 D2PAK 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 800 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1200伏 1.4V@35A 1200V时为50μA -40℃~150℃ 35A -
WNSC5D04650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D04650X6Q -
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ECAD 5301 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 WNSC5 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220AC - 1740-WNSC5D04650X6Q EAR99 8541.10.0080 1 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@4A 0纳秒 650V时为20μA -55℃~175℃ 4A 138pF@1V、1MHz
NXPSC08650DJ WeEn Semiconductors 恩智浦SC08650DJ -
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ECAD 6977 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 恩克斯普SC SiC(碳化硅)肖特基 DPAK 下载 1(无限制) 934070008118 EAR99 8541.10.0080 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@8A 0纳秒 650V时为230μA 175℃(最高) 8A 260pF@1V、1MHz
WNSC2D20650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CJQ 3.4196
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ECAD 2 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 WNSC2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-3PF 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 第480章 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 650伏 20A 1.7V@10A 0纳秒 50μA@650V 175℃
BYV42E-150,127 WeEn Semiconductors BYV42E-150,127 1.4200
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ECAD 2 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3 BYV42 标准 TO-220AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 30A 1.2V@30A 28纳秒 100 µA @ 150 V 150℃(最高)
NUR460/L03,112 WeEn Semiconductors NUR460/L03,112 -
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ECAD 9309 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 过时的 通孔 DO-201AD,缝合 NUR460 标准 DO-201AD 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 500 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.28V@4A 65纳秒 50μA@600V 150℃(最高) 4A -
BYC75W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC75W-1200PQ 6.0000
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ECAD 第888章 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-2 BYC75 标准 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 不适用 934072042127 EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1200伏 85纳秒 1200V时为250μA 175℃(最高) 75A -
BYC8-600,127 WeEn Semiconductors BYC8-600,127 0.9300
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ECAD 5 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 BYC8 标准 TO-220AC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2.9V@8A 52纳秒 600V时为150μA 150℃(最高) 8A -
BYV25F-600,127 WeEn Semiconductors BYV25F-600,127 0.4125
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ECAD 第1484章 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 BYV25 标准 TO-220AC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.9V@5A 35纳秒 50μA@600V 150℃(最高) 5A -
WNSC6D20650WQ WeEn Semiconductors WNSC6D20650WQ 6.6800
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ECAD 第529章 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-2 WNSC6 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 1(无限制) 1740-WNSC6D20650WQ EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.4V@20A 0纳秒 650V时为100μA 175℃ 20A 1200pF@1V、1MHz
WNSC2D06650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D06650TJ 1.9200
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ECAD 1 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 4-VSFN 裸露焊盘 WNSC2 SiC(碳化硅)肖特基 5-DFN (8x8) - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 3,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@6A 0纳秒 650V时为30μA 175℃ 6A 198pF@1V、1MHz
WNSC2D30650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D30650CWQ 6.8600
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ECAD 2 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 WNSC2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 650伏 30A 1.7V@15A 0纳秒 50μA@650V 175℃
WNSC2D0212006Q WeEn Semiconductors WNSC2D0212006Q -
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ECAD 5726 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 WNSC2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220AC - 1740-WNSC2D0212006Q EAR99 8541.10.0080 1 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.6V@2A 0纳秒 10μA@1200V -55℃~175℃ 2A 95pF@1V、1MHz
BYQ28ED-200PLJ WeEn Semiconductors BYQ28ED-200PLJ 0.2640
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ECAD 2745 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 BYQ28 标准 DPAK 下载 1(无限制) 934072019118 EAR99 8541.10.0080 2,500人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 10A 1.1V@10A 25纳秒 10μA@200V 150℃(最高)
WNSC201200CWQ WeEn Semiconductors WNSC201200CWQ 9.8340
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ECAD 9464 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 最后一次购买 通孔 TO-247-3 WNSC2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.6V@10A 0纳秒 110μA@1200V 175℃(最高) 20A 510pF@1V、1MHz
WNS30H100CBJ WeEn Semiconductors WNS30H100CBJ 1.1200
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ECAD 2 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB WNS30 肖特基 D2PAK 下载 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8541.10.0080 800 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 15A 710 毫伏 @ 15 安 100V时为50μA 150℃(最高)
BYR29X-600,127 WeEn Semiconductors BYR29X-600,127 0.5610
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ECAD 7922 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装,隔离片 29卢比 标准 TO-220FP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.7V@8A 75纳秒 600V时为10μA 150℃(最高) 8A -
BYC8X-600,127 WeEn Semiconductors BYC8X-600,127 1.1200
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ECAD 3 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装,隔离片 BYC8 标准 TO-220FP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2.9V@8A 52纳秒 600V时为150μA 150℃(最高) 8A -
BYC20X-600PQ WeEn Semiconductors BYC20X-600PQ 1.9200
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ECAD 12 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装,隔离片 BYC20 标准 TO-220FP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 934067355127 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2.5V@20A 35纳秒 600V时为10μA 175℃(最高) 20A -
WND10P08XQ WeEn Semiconductors WND10P08XQ 0.8900
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ECAD 2 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装,隔离片 西德10 标准 TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.3V@10A 800V时为10μA 150℃ 10A -
BYC30W-600PT2Q WeEn Semiconductors BYC30W-600PT2Q 2.3400
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ECAD 1 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 通孔 TO-247-2 BYC30 标准 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 934072030127 EAR99 8541.10.0080 450 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2.75V@30A 34纳秒 600V时为10μA 175℃(最高) 30A -
WNS40H100CBJ WeEn Semiconductors WNS40H100CBJ 1.6100
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ECAD 6 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB WNS40 肖特基 D2PAK 下载 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8541.10.0080 800 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 20A 710 毫伏 @ 20 安 100V时为50μA 150℃(最高)
BYC30X-600P,127 WeEn Semiconductors BYC30X-600P,127 2.7400
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ECAD 9 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装,隔离片 BYC30 标准 TO-220FP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.8V@30A 35纳秒 600V时为10μA 175℃(最高) 30A -
BYV34X-600,127 WeEn Semiconductors BYV34X-600,127 1.6700
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ECAD 3 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 BYV34 标准 TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 600伏 20A 1.36V@10A 60纳秒 50μA@600V 150℃(最高)
BYV29X-600,127 WeEn Semiconductors BYV29X-600,127 0.9700
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ECAD 9 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装,隔离片 BYV29 标准 TO-220FP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.26V@8A 60纳秒 50μA@600V 150℃(最高) 9A -
BYC30Y-600PQ WeEn Semiconductors BYC30Y-600PQ 0.9132
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ECAD 1903年 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-2 BYC30 标准 IITO-220-2L 下载 EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2.75V@30A 35纳秒 600V时为10μA 175℃ 30A -
BYC30-1200PQ WeEn Semiconductors BYC30-1200PQ 1.1550
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ECAD 3865 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 BYC30 标准 TO-220AC 下载 1(无限制) 934072004127 EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1200伏 3.3V@30A 65纳秒 1200V时为250μA 175℃(最高) 30A -
NXPS20S100CX,127 WeEn Semiconductors NXPS20S100CX,127 -
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ECAD 8494 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 SIC停产 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 恩智浦20 肖特基 TO-220F - 符合RoHS标准 1(无限制) 934067128127 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 10A 580毫伏 @ 3安 100V时为3μA 175℃(最高)
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