电话:+86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC201200WQ | 9.3555 | ![]() | 8594 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-247-2 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.6V@20A | 0纳秒 | 1200V时为220μA | 175℃(最高) | 20A | 1020pF @ 1V、1MHz | ||||
![]() | WNSC6D20650B6J | 5.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | WNSC6 | SiC(碳化硅)肖特基 | D2PAK | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.55V@20A | 0纳秒 | 650V时为80μA | 175℃ | 20A | 780pF @ 1V、1MHz | |||||
![]() | 恩智浦SC206506Q | 7.6200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-220-2 | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 1(无限制) | 934072076127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@20A | 0纳秒 | 500 µA @ 650 V | 175℃(最高) | 20A | 600pF@1V、1MHz | ||||
| BYV410X-600PQ | 1.3100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | BYV410 | 标准 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 20A | 1.75V@16A | 55纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | |||||
![]() | WNSC101200CWQ | 6.4099 | ![]() | 1793年 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-247-3 | WNSC1 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.6V@5A | 0纳秒 | 1200V时为50μA | 175℃(最高) | 10A | 250pF@1V、1MHz | ||||
![]() | BYC5B-600,118 | 0.5610 | ![]() | 4615 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | BYC5 | 标准 | D2PAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 500V | 2.9V@5A | 50纳秒 | 100 µA @ 600 V | 150℃(最高) | 5A | - | ||||
| NXPLQSC10650Q | - | ![]() | 1984年 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-220-2 | NXPLQSC | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.85V@10A | 0纳秒 | 650V时为230μA | 175℃(最高) | 10A | 250pF@1V、1MHz | ||||||
![]() | WNSC2D201200CW6Q | 4.1890 | ![]() | 5335 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 20A | 1.65V@10A | 0纳秒 | 110μA@1200V | 175℃ | ||||||
![]() | BYQ42E-200Q | 0.6270 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | BYQ42 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 1(无限制) | 934069644127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 15A | 1.05V@15A | 25纳秒 | 20μA@200V | 150℃(最高) | ||||
![]() | WNSC2D10650Q | 2.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 1740-WNSC2D10650Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | 175℃ | 10A | 310pF@1V、1MHz | |||
![]() | BYV29B-600PJ | 0.4125 | ![]() | 8437 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | BYV29 | 标准 | D2PAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 934072015118 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.3V@8A | 75纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 9A | - | |||
![]() | 恩智浦SC166506Q | 6.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-220-2 | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@16A | 0纳秒 | 650V时为100μA | 175℃(最高) | 16A | 534pF@1V、1MHz | |||||
![]() | WNSC06650T6J | 2.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 表面贴装 | 4-VSFN 裸露焊盘 | WNSC0 | SiC(碳化硅)肖特基 | 5-DFN (8x8) | 下载 | 1(无限制) | 1740-WNSC06650T6JCT | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@6A | 0纳秒 | 40μA@650V | 175℃(最高) | 6A | 190pF@1V、1MHz | ||||
![]() | BYC30W-600PQ | 2.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | BYC30 | 标准 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.75V@30A | 22纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 30A | - | ||||
![]() | WNSC2D06650DJ | 1.7300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | DPAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@6A | 0纳秒 | 650V时为30μA | 175℃ | 6A | 198pF@1V、1MHz | ||||
| 恩智浦SC06650Q | - | ![]() | 8998 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-220-2 | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@6A | 0纳秒 | 650V时为200μA | 175℃(最高) | 6A | 190pF@1V、1MHz | ||||||
![]() | BYV72EW-200,127 | 1.9400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | BYV72 | 标准 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 15A | 1.2V@30A | 28纳秒 | 100μA@200V | 150℃(最高) | ||||
![]() | 恩智浦SC04650BJ | - | ![]() | 8157 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | D2PAK | 下载 | 1(无限制) | 934070002118 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@4A | 0纳秒 | 650V时为170μA | 175℃(最高) | 4A | 130pF@1V、1MHz | ||||
![]() | NXPLQSC20650W6Q | 5.2685 | ![]() | 7020 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-247-3 | NXPLQSC | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1(无限制) | 934072086127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.85V@10A | 0纳秒 | 650V时为230μA | 175℃(最高) | 20A | 250pF@1V、1MHz | ||||
| WNSC6D06650Q | 1.2375 | ![]() | 9878 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | WNSC6 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 1(无限制) | 1740-WNSC6D06650Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.4V@6A | 0纳秒 | 50μA@650V | 175℃ | 6A | 327pF@1V、1MHz | |||||
![]() | 恩智浦SC126506Q | 3.4650 | ![]() | 6107 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-220-2 | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@12A | 0纳秒 | 650V时为80μA | 175℃(最高) | 12A | 380pF@1V、1MHz | |||||
![]() | BYQ28E-200,127 | 0.7600 | ![]() | 509 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | BYQ28 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 10A | 1.25V@10A | 25纳秒 | 10μA@200V | 150℃(最高) | ||||
![]() | BYC10-600PQ | 0.4620 | ![]() | 9599 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | BYC10 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.8V@10A | 19纳秒 | 150℃(最高) | 10A | - | |||||
![]() | BYC30JT-600PSQ | 1.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-3PFM、SC-93-3 | BYC30 | 标准 | TO-3PF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 1740-BYC30JT-600PSQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 第480章 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.75V@30A | 22纳秒 | 600V时为10μA | 175℃ | 30A | - | |||
![]() | BYC5X-600,127 | 0.4950 | ![]() | 3384 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | BYC5 | 标准 | TO-220FP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 500V | 2.9V@5A | 50纳秒 | 100 µA @ 600 V | 150℃(最高) | 5A | - | ||||
![]() | WNSC101200WQ | 5.4441 | ![]() | 8880 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-247-2 | WNSC1 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.6V@10A | 0纳秒 | 110μA@1200V | 175℃(最高) | 10A | 510pF@1V、1MHz | ||||
![]() | BYV25FX-600,127 | 0.3465 | ![]() | 第1669章 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | BYV25 | 标准 | TO-220FP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.9V@5A | 35纳秒 | 50μA@600V | 150℃(最高) | 5A | - | ||||
| WNSC6D10650Q | 3.2800 | ![]() | 945 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | WNSC6 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 1(无限制) | 1740-WNSC6D10650Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.45V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 10A | 500pF@1V、1MHz | |||||
![]() | 恩智浦SC10650BJ | - | ![]() | 4322 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | D2PAK | 下载 | 1(无限制) | 934070005118 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@10A | 0纳秒 | 650V时为250μA | 175℃(最高) | 10A | 300pF@1V、1MHz | ||||
![]() | BYC30WT-600PQ | 2.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | BYC30 | 标准 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 934068091127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.75V@30A | 22纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 30A | - |

日平均询价量

标准产品单位

全球制造商

智能仓库