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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F
WNSC201200WQ WeEn Semiconductors WNSC201200WQ 9.3555
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ECAD 8594 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 最后一次购买 通孔 TO-247-2 WNSC2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.6V@20A 0纳秒 1200V时为220μA 175℃(最高) 20A 1020pF @ 1V、1MHz
WNSC6D20650B6J WeEn Semiconductors WNSC6D20650B6J 5.1900
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ECAD 5 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB WNSC6 SiC(碳化硅)肖特基 D2PAK 下载 3(168小时) EAR99 8541.10.0080 800 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.55V@20A 0纳秒 650V时为80μA 175℃ 20A 780pF @ 1V、1MHz
NXPSC206506Q WeEn Semiconductors 恩智浦SC206506Q 7.6200
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ECAD 3 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 最后一次购买 通孔 TO-220-2 恩克斯普SC SiC(碳化硅)肖特基 TO-220AC 下载 1(无限制) 934072076127 EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@20A 0纳秒 500 µA @ 650 V 175℃(最高) 20A 600pF@1V、1MHz
BYV410X-600PQ WeEn Semiconductors BYV410X-600PQ 1.3100
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ECAD 9 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 BYV410 标准 TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 600伏 20A 1.75V@16A 55纳秒 600V时为10μA 175℃(最高)
WNSC101200CWQ WeEn Semiconductors WNSC101200CWQ 6.4099
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ECAD 1793年 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 最后一次购买 通孔 TO-247-3 WNSC1 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.6V@5A 0纳秒 1200V时为50μA 175℃(最高) 10A 250pF@1V、1MHz
BYC5B-600,118 WeEn Semiconductors BYC5B-600,118 0.5610
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ECAD 4615 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB BYC5 标准 D2PAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 800 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 500V 2.9V@5A 50纳秒 100 µA @ 600 V 150℃(最高) 5A -
NXPLQSC10650Q WeEn Semiconductors NXPLQSC10650Q -
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ECAD 1984年 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 最后一次购买 通孔 TO-220-2 NXPLQSC SiC(碳化硅)肖特基 TO-220AC 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 1,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.85V@10A 0纳秒 650V时为230μA 175℃(最高) 10A 250pF@1V、1MHz
WNSC2D201200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D201200CW6Q 4.1890
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ECAD 5335 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 WNSC2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 下载 EAR99 8541.10.0080 600 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 1200伏 20A 1.65V@10A 0纳秒 110μA@1200V 175℃
BYQ42E-200Q WeEn Semiconductors BYQ42E-200Q 0.6270
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ECAD 1193 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3 BYQ42 标准 TO-220AB 下载 1(无限制) 934069644127 EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 15A 1.05V@15A 25纳秒 20μA@200V 150℃(最高)
WNSC2D10650Q WeEn Semiconductors WNSC2D10650Q 2.9800
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ECAD 2 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 WNSC2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220AC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 1740-WNSC2D10650Q EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@10A 0纳秒 50μA@650V 175℃ 10A 310pF@1V、1MHz
BYV29B-600PJ WeEn Semiconductors BYV29B-600PJ 0.4125
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ECAD 8437 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB BYV29 标准 D2PAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 934072015118 EAR99 8541.10.0080 800 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.3V@8A 75纳秒 600V时为10μA 175℃(最高) 9A -
NXPSC166506Q WeEn Semiconductors 恩智浦SC166506Q 6.5300
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ECAD 3 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 最后一次购买 通孔 TO-220-2 恩克斯普SC SiC(碳化硅)肖特基 TO-220AC 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@16A 0纳秒 650V时为100μA 175℃(最高) 16A 534pF@1V、1MHz
WNSC06650T6J WeEn Semiconductors WNSC06650T6J 2.8400
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ECAD 2 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 表面贴装 4-VSFN 裸露焊盘 WNSC0 SiC(碳化硅)肖特基 5-DFN (8x8) 下载 1(无限制) 1740-WNSC06650T6JCT EAR99 8541.10.0080 3,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@6A 0纳秒 40μA@650V 175℃(最高) 6A 190pF@1V、1MHz
BYC30W-600PQ WeEn Semiconductors BYC30W-600PQ 2.5100
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ECAD 1 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-2 BYC30 标准 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2.75V@30A 22纳秒 600V时为10μA 175℃(最高) 30A -
WNSC2D06650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D06650DJ 1.7300
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ECAD 7 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 WNSC2 SiC(碳化硅)肖特基 DPAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@6A 0纳秒 650V时为30μA 175℃ 6A 198pF@1V、1MHz
NXPSC06650Q WeEn Semiconductors 恩智浦SC06650Q -
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ECAD 8998 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 最后一次购买 通孔 TO-220-2 恩克斯普SC SiC(碳化硅)肖特基 TO-220AC 下载 不适用 EAR99 8541.10.0080 1,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@6A 0纳秒 650V时为200μA 175℃(最高) 6A 190pF@1V、1MHz
BYV72EW-200,127 WeEn Semiconductors BYV72EW-200,127 1.9400
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ECAD 9 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 BYV72 标准 TO-247-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 15A 1.2V@30A 28纳秒 100μA@200V 150℃(最高)
NXPSC04650BJ WeEn Semiconductors 恩智浦SC04650BJ -
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ECAD 8157 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 恩克斯普SC SiC(碳化硅)肖特基 D2PAK 下载 1(无限制) 934070002118 EAR99 8541.10.0080 800 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@4A 0纳秒 650V时为170μA 175℃(最高) 4A 130pF@1V、1MHz
NXPLQSC20650W6Q WeEn Semiconductors NXPLQSC20650W6Q 5.2685
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ECAD 7020 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 最后一次购买 通孔 TO-247-3 NXPLQSC SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 下载 1(无限制) 934072086127 EAR99 8541.10.0080 240 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.85V@10A 0纳秒 650V时为230μA 175℃(最高) 20A 250pF@1V、1MHz
WNSC6D06650Q WeEn Semiconductors WNSC6D06650Q 1.2375
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ECAD 9878 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 WNSC6 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220AC 下载 1(无限制) 1740-WNSC6D06650Q EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.4V@6A 0纳秒 50μA@650V 175℃ 6A 327pF@1V、1MHz
NXPSC126506Q WeEn Semiconductors 恩智浦SC126506Q 3.4650
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ECAD 6107 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 最后一次购买 通孔 TO-220-2 恩克斯普SC SiC(碳化硅)肖特基 TO-220AC 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@12A 0纳秒 650V时为80μA 175℃(最高) 12A 380pF@1V、1MHz
BYQ28E-200,127 WeEn Semiconductors BYQ28E-200,127 0.7600
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ECAD 509 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3 BYQ28 标准 TO-220AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 10A 1.25V@10A 25纳秒 10μA@200V 150℃(最高)
BYC10-600PQ WeEn Semiconductors BYC10-600PQ 0.4620
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ECAD 9599 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 BYC10 标准 TO-220AC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.8V@10A 19纳秒 150℃(最高) 10A -
BYC30JT-600PSQ WeEn Semiconductors BYC30JT-600PSQ 1.6100
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ECAD 2 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-3PFM、SC-93-3 BYC30 标准 TO-3PF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 1740-BYC30JT-600PSQ EAR99 8541.10.0080 第480章 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2.75V@30A 22纳秒 600V时为10μA 175℃ 30A -
BYC5X-600,127 WeEn Semiconductors BYC5X-600,127 0.4950
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ECAD 3384 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装,隔离片 BYC5 标准 TO-220FP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 500V 2.9V@5A 50纳秒 100 µA @ 600 V 150℃(最高) 5A -
WNSC101200WQ WeEn Semiconductors WNSC101200WQ 5.4441
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ECAD 8880 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 最后一次购买 通孔 TO-247-2 WNSC1 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 600 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.6V@10A 0纳秒 110μA@1200V 175℃(最高) 10A 510pF@1V、1MHz
BYV25FX-600,127 WeEn Semiconductors BYV25FX-600,127 0.3465
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ECAD 第1669章 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装,隔离片 BYV25 标准 TO-220FP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.9V@5A 35纳秒 50μA@600V 150℃(最高) 5A -
WNSC6D10650Q WeEn Semiconductors WNSC6D10650Q 3.2800
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ECAD 945 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 WNSC6 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220AC 下载 1(无限制) 1740-WNSC6D10650Q EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.45V@10A 0纳秒 50μA@650V -55℃~175℃ 10A 500pF@1V、1MHz
NXPSC10650BJ WeEn Semiconductors 恩智浦SC10650BJ -
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ECAD 4322 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 恩克斯普SC SiC(碳化硅)肖特基 D2PAK 下载 1(无限制) 934070005118 EAR99 8541.10.0080 800 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@10A 0纳秒 650V时为250μA 175℃(最高) 10A 300pF@1V、1MHz
BYC30WT-600PQ WeEn Semiconductors BYC30WT-600PQ 2.5100
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ECAD 2 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 BYC30 标准 TO-247-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 934068091127 EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2.75V@30A 22纳秒 600V时为10μA 175℃(最高) 30A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库