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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYC30W-600PQ | 2.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | BYC30 | 标准 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.75V@30A | 22纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 30A | - | |||||
![]() | 恩智浦SC166506Q | 6.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-220-2 | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@16A | 0纳秒 | 650V时为100μA | 175℃(最高) | 16A | 534pF@1V、1MHz | ||||||
![]() | BYV29B-600PJ | 0.4125 | ![]() | 8437 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | BYV29 | 标准 | D2PAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 934072015118 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.3V@8A | 75纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 9A | - | ||||
![]() | BYQ42E-200Q | 0.6270 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | BYQ42 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 1(无限制) | 934069644127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 15A | 1.05V@15A | 25纳秒 | 20μA@200V | 150℃(最高) | |||||
| NXPLQSC10650Q | - | ![]() | 1984年 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-220-2 | NXPLQSC | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.85V@10A | 0纳秒 | 650V时为230μA | 175℃(最高) | 10A | 250pF@1V、1MHz | |||||||
![]() | BYC10-600PQ | 0.4620 | ![]() | 9599 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | BYC10 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.8V@10A | 19纳秒 | 150℃(最高) | 10A | - | ||||||
![]() | BYV42E-150,127 | 1.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | BYV42 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 30A | 1.2V@30A | 28纳秒 | 100 µA @ 150 V | 150℃(最高) | |||||
| NUR460/L03,112 | - | ![]() | 9309 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | NUR460 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.28V@4A | 65纳秒 | 50μA@600V | 150℃(最高) | 4A | - | ||||||
![]() | BYC8-600,127 | 0.9300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | BYC8 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.9V@8A | 52纳秒 | 600V时为150μA | 150℃(最高) | 8A | - | |||||
![]() | BYC75W-1200PQ | 6.0000 | ![]() | 第888章 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | BYC75 | 标准 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | 934072042127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1200伏 | 85纳秒 | 1200V时为250μA | 175℃(最高) | 75A | - | |||||
![]() | BYR29X-600,127 | 0.5610 | ![]() | 7922 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | 29卢比 | 标准 | TO-220FP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.7V@8A | 75纳秒 | 600V时为10μA | 150℃(最高) | 8A | - | |||||
![]() | WNSC2D201200CW6Q | 4.1890 | ![]() | 5335 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 20A | 1.65V@10A | 0纳秒 | 110μA@1200V | 175℃ | |||||||
![]() | BYC5B-600,118 | 0.5610 | ![]() | 4615 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | BYC5 | 标准 | D2PAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 500V | 2.9V@5A | 50纳秒 | 100 µA @ 600 V | 150℃(最高) | 5A | - | |||||
| WNSC6D06650Q | 1.2375 | ![]() | 9878 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | WNSC6 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 1(无限制) | 1740-WNSC6D06650Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.4V@6A | 0纳秒 | 50μA@650V | 175℃ | 6A | 327pF@1V、1MHz | ||||||
![]() | WNSC101200WQ | 5.4441 | ![]() | 8880 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-247-2 | WNSC1 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.6V@10A | 0纳秒 | 110μA@1200V | 175℃(最高) | 10A | 510pF@1V、1MHz | |||||
![]() | BYQ28ED-200PLJ | 0.2640 | ![]() | 2745 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | BYQ28 | 标准 | DPAK | 下载 | 1(无限制) | 934072019118 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 10A | 1.1V@10A | 25纳秒 | 10μA@200V | 150℃(最高) | |||||
![]() | WNSC201200CWQ | 9.8340 | ![]() | 9464 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-247-3 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.6V@10A | 0纳秒 | 110μA@1200V | 175℃(最高) | 20A | 510pF@1V、1MHz | |||||
![]() | WNSC2D20650CJQ | 3.4196 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-3PF | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 第480章 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 650伏 | 20A | 1.7V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | 175℃ | ||||||
![]() | WND35P12BJ | 1.6000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | WND35 | 标准 | D2PAK | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.4V@35A | 1200V时为50μA | -40℃~150℃ | 35A | - | |||||||
![]() | BYC30WT-600PQ | 2.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | BYC30 | 标准 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 934068091127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.75V@30A | 22纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 30A | - | ||||
![]() | 恩智浦SC206506Q | 7.6200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-220-2 | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 1(无限制) | 934072076127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@20A | 0纳秒 | 500 µA @ 650 V | 175℃(最高) | 20A | 600pF@1V、1MHz | |||||
![]() | WNSC6D20650B6J | 5.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | WNSC6 | SiC(碳化硅)肖特基 | D2PAK | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.55V@20A | 0纳秒 | 650V时为80μA | 175℃ | 20A | 780pF @ 1V、1MHz | ||||||
| BYV410X-600PQ | 1.3100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | BYV410 | 标准 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 20A | 1.75V@16A | 55纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | ||||||
![]() | WNSC201200WQ | 9.3555 | ![]() | 8594 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-247-2 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.6V@20A | 0纳秒 | 1200V时为220μA | 175℃(最高) | 20A | 1020pF @ 1V、1MHz | |||||
![]() | BYT79X-600,127 | 1.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | BYT79 | 标准 | TO-220FP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.38V@15A | 60纳秒 | 50μA@600V | 150℃(最高) | 15A | - | |||||
![]() | BYR29X-800,127 | 1.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | 29卢比 | 标准 | TO-220FP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.7V@8A | 75纳秒 | 800V时为10μA | 150℃(最高) | 8A | - | |||||
![]() | WNSC2D10650DJ | 2.7300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | DPAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | 175℃ | 10A | 310pF@1V、1MHz | |||||
| BYV34X-600,127 | 1.6700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | BYV34 | 标准 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 20A | 1.36V@10A | 60纳秒 | 50μA@600V | 150℃(最高) | ||||||
![]() | BYC5X-600,127 | 0.4950 | ![]() | 3384 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | BYC5 | 标准 | TO-220FP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 500V | 2.9V@5A | 50纳秒 | 100 µA @ 600 V | 150℃(最高) | 5A | - | |||||
![]() | BYV25F-600,127 | 0.4125 | ![]() | 第1484章 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | BYV25 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.9V@5A | 35纳秒 | 50μA@600V | 150℃(最高) | 5A | - |

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