分区(390)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F
OB2052V	-	询价	2423	瑞能半导体	*	管子	过时的			OB2052			-		1（无限制）	934070134005	过时的	0000.00.0000	63,243
WNSC5D086506Q	-	询价	4911	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2	WNSC5	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220AC	-			1740-WNSC5D086506Q	EAR99	8541.10.0080	1	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@8A	0纳秒	40μA@650V	-55℃～175℃	8A	267pF@1V、1MHz
BYV32E-300PQ	0.5940	询价	9788	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-3	BYV32	标准	TO-220E	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	300伏	10A	1.25V@10A	35纳秒	300V时为20μA	175℃（最高）
BYC30-600P,127	2.7400	询价	8	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2	BYC30	标准	TO-220AC	下载	符合RoHS标准	不适用		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.8V@30A	35纳秒	600V时为10μA	175℃（最高）	30A	-
WNSC12650T6J	3.5400	询价	2	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	WNSC1	SiC（碳化硅）肖特基	5-DFN (8x8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.8V@12A	0纳秒	60μA@650V	175℃	12A	328pF@1V、1MHz
WNSC5D08650X6Q	-	询价	4656	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2	WNSC5	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220AC	-			1740-WNSC5D08650X6Q	EAR99	8541.10.0080	1	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@8A	0纳秒	40μA@650V	-55℃～175℃	8A	267pF@1V、1MHz
BYC8X-600P,127	0.8900	询价	1766	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2全封装，隔离片	BYC8	标准	TO-220FP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.9V@8A	18纳秒	600V时为20μA	175℃（最高）	8A	-
WNS40H100CQ	1.5700	询价	2	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-3	WNS40	肖特基	TO-220E	下载	符合RoHS标准	不适用	934072049127	EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	100伏	20A	710 毫伏 @ 20 安		100V时为50μA	150℃（最高）
BYV32EB-200,118	1.5700	询价	16	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	BYV32	标准	D2PAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	800	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	200V	20A	1.15V@20A	25纳秒	200V时为30μA	150℃（最高）
BYV25X-600,127	0.3795	询价	6217	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2全封装，隔离片	BYV25	标准	TO-220FP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.3V@5A	60纳秒	50μA@600V	150℃（最高）	5A	-
WNSC5D08650D6J	-	询价	5032	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	WNSC5	SiC（碳化硅）肖特基	DPAK	-			1740-WNSC5D08650D6JTR	EAR99	8541.10.0080	1	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@8A	0纳秒	40μA@650V	-55℃～175℃	8A	267pF@1V、1MHz
BYQ72EW-200Q	1.1103	询价	7080	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-247-3	BYQ72	标准	TO-247-3	下载		1（无限制）	934068567127	EAR99	8541.10.0080	600	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	200V	15A	900毫伏@15安	25纳秒	20μA@200V	150℃（最高）
WNSC2D201200WQ	8.3600	询价	2	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-247-2	WNSC2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	1740-WNSC2D201200WQ	EAR99	8541.10.0080	600	无恢复T>500mA(Io)		1200伏		1.8V@20A	0纳秒	1200V时为200μA	175℃	20A	845pF@1V、1MHz
WNSC401200CWQ	11.5500	询价	6471	瑞能半导体	-	管子	最后一次购买	通孔	TO-247-3	WNSC4	SiC（碳化硅）肖特基	TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)		1200伏		1.75V@20A	0纳秒	1200V时为200μA	175℃（最高）	40A	810pF @ 1V、1MHz
BYC10X-600,127	1.2500	询价	12	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2全封装，隔离片	BYC10	标准	TO-220FP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		500V		2.9V@10A	55纳秒	600V时为200μA	150℃（最高）	10A	-
BYC5-600,127	0.8700	询价	17号	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2	BYC5	标准	TO-220AC	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		500V		2.9V@5A	50纳秒	100 µA @ 600 V	150℃（最高）	5A	-
BYC10X-600PQ	1.0500	询价	12	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2全封装，隔离片	BYC10	标准	TO-220FP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		2.9V@10A	40纳秒	600V时为200μA	150℃（最高）	10A	-
BYV10X-600PQ	0.7600	询价	5	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2全封装，隔离片	BYV10	标准	TO-220FP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		2V@10A	20纳秒	600V时为10μA	175℃（最高）	10A	-
WNSC2D04650XQ	1.3900	询价	2	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2全封装，隔离片	WNSC2	SiC（碳化硅）肖特基	TO-220F	-	符合RoHS标准	1（无限制）	1740-WNSC2D04650XQ	EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@4A	0纳秒	650V时为20μA	175℃	4A	125pF@1V、1MHz
BYR29-600,127	0.4785	询价	6230	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2	29卢比	标准	TO-220AC	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.5V@8A	75纳秒	600V时为10μA	150℃（最高）	8A	-
BYR16W-1200Q	1.4871	询价	2592	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-247-2	16卢比	标准	TO-247-2	下载		1（无限制）	934067917127	EAR99	8541.10.0080	600	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		1200伏		2.7V@16A	105纳秒	100μA@1200V	175℃（最高）	16A	-
BYW29ED-200,118	1.0400	询价	112	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	BYW29	标准	DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	2,500人	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		200V		1.3V@20A	25纳秒	10μA@200V	150℃（最高）	8A	-
BYV415J-600PQ	1.2375	询价	1012	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-3PFM、SC-93-3	BYV415	-	TO-3PF	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	934071203127	EAR99	8541.10.0080	第480章	-	-		-				-
BYQ60W-600PT2Q	2.8400	询价	1	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-247-2	拜清60	标准	TO-247-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	1740-BYQ60W-600PT2Q	EAR99	8541.10.0080	600	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		2V@60A	55纳秒	600V时为10μA	175℃	60A	-
WB75FC65ALZ	1.2113	询价	2969	瑞能半导体	-	大部分	的积极	表面贴装	死	WB75	标准	晶圆	-				EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		650伏		2.75V@75A	50纳秒	650V时为10μA	175℃	75A	-
穆尔860J	0.5300	询价	12	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	DO-214AB、SMC	毛里求斯860	标准	SMC	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.25V@8A	90纳秒	600V时为10μA	175℃（最高）	8A	-
BYC10D-600,127	0.4125	询价	7928	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-220-2	BYC10	标准	TO-220AC	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		500V		2.5V@10A	18纳秒	600V时为200μA	150℃（最高）	10A	-
BYV74W-400,127	1.1897	询价	6692	瑞能半导体	-	管子	的积极	通孔	TO-247-3	BYV74	标准	TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	600	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	400V	30A	1.36V@30A	60纳秒	400V时为50μA	150℃（最高）
穆尔560J	0.4500	询价	18	瑞能半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	表面贴装	DO-214AB、SMC	毛里求斯560	标准	SMC	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		1.35V@5A	64纳秒	600V时为3μA	175℃（最高）	5A	-
WND10M600XQ	0.3419	询价	9013	瑞能半导体	-	大部分	的积极	通孔	TO-220-2全封装，隔离片	西德10	标准	TO-220F	下载				EAR99	8541.10.0080	1,000	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		600伏		980毫伏@10安		600V时为10μA	150℃	10A	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分区(390)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²