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参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F
NXPLQSC106506Q WeEn Semiconductors NXPLQSC106506Q 2.1450
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 ECAD 4977 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 最后一次购买 通孔 TO-220-2 NXPLQSC SiC（碳化硅）肖特基 TO-220AC 下载 1（无限制） 934072074127 EAR99 8541.10.0080 1,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.85V@10A 0纳秒 650V时为230μA 175℃（最高） 10A 250pF@1V、1MHz
WNSC2D021200D6J WeEn Semiconductors WNSC2D021200D6J 0.3699
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 ECAD 6699 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 WNSC2 SiC（碳化硅）肖特基 DPAK 下载 EAR99 8541.10.0080 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.65V@2A 0纳秒 10μA@1200V 175℃ 2A 95pF@1V、1MHz
BYV29X-500,127 WeEn Semiconductors BYV29X-500,127 0.4290
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 ECAD 8271 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装，隔离片 BYV29 标准 TO-220FP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 500V 1.25V@8A 60纳秒 50μA@500V 150℃（最高） 9A -
WN3S20H150CXQ WeEn Semiconductors WN3S20H150CXQ 0.7900
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 ECAD 6 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3全封装，隔离片 WN3S20 肖特基 TO-220F 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 150伏 10A 1.1V@10A 150V时为50μA 150℃
BYC5-1200PQ WeEn Semiconductors BYC5-1200PQ 0.4290
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 ECAD 3754 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 BYC5 标准 TO-220AC 下载 1（无限制） 934072033127 EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1200伏 3.2V@5A 36纳秒 100μA@1200V 175℃（最高） 5A -
WNSC5D30650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC5D30650CW6Q -
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 ECAD 9895 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 通孔 TO-247-3 WNSC5 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-3 - 1740-WNSC5D30650CW6Q EAR99 8541.10.0080 1 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 650伏 30A 1.7V@15A 0纳秒 50μA@650V -55℃～175℃
WNSC2D10650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650TJ 2.6500
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 ECAD 2 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 4-VSFN 裸露焊盘 WNSC2 SiC（碳化硅）肖特基 5-DFN (8x8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@10A 0纳秒 50μA@650V 175℃ 10A 310pF@1V、1MHz
WND35P08Q WeEn Semiconductors WND35P08Q 0.5644
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 ECAD 1911年 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-2 WND35 标准 TO-220AC 下载 EAR99 8541.10.0080 1,000 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 800V 1.4V@35A 50μA@600V -40℃～150℃ 35A -
NXPSC06650DJ WeEn Semiconductors 恩智浦SC06650DJ -
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 ECAD 5576 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 恩克斯普SC SiC（碳化硅）肖特基 DPAK 下载 1（无限制） 934070007118 EAR99 8541.10.0080 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@6A 0纳秒 650V时为200μA 175℃（最高） 6A 190pF@1V、1MHz
BYV30-600PQ WeEn Semiconductors BYV30-600PQ 0.9405
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 ECAD 2050年 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 BYV30 标准 TO-220AC 下载 1（无限制） 934071198127 EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 600伏 1.55V@30A 75纳秒 600V时为10μA 175℃（最高） 30A -
BYV25G-600,127 WeEn Semiconductors BYV25G-600,127 0.4455
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 ECAD 4329 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA BYV25 标准 I2PAK (TO-262) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 934063968127 EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 600伏 1.3V@5A 60纳秒 50μA@600V 150℃（最高） 5A -
BYV29-500,127 WeEn Semiconductors BYV29-500,127 0.9300
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 ECAD 7 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 BYV29 标准 TO-220AC 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 500V 1.25V@8A 60纳秒 50μA@500V 150℃（最高） 9A -
NXPSC08650X6Q WeEn Semiconductors 恩智浦SC08650X6Q 4.8000
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 ECAD 2 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 最后一次购买 通孔 TO-220-2全封装，隔离片 恩克斯普SC SiC（碳化硅）肖特基 TO-220F 下载 1（无限制） 934072085127 EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@8A 0纳秒 650V时为230μA 175℃（最高） 8A 260pF@1V、1MHz
WBSF30FC120ALV WeEn Semiconductors WBSF30FC120ALV 1.2113
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 ECAD 第1167章 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 表面贴装 死 WBSF30 标准 晶圆 下载 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1200伏 3.5V@30A 65纳秒 1200V时为250μA 175℃ 30A -
NXPSC20650W6Q WeEn Semiconductors 恩智浦SC20650W6Q 8.6300
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 ECAD 707 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 通孔 TO-247-3 恩克斯普SC SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-3 下载 1（无限制） 934072090127 EAR99 8541.10.0080 240 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 650伏 20A 1.7V@10A 0纳秒 650V时为250μA 175℃（最高）
BYC30DW-600PQ WeEn Semiconductors BYC30DW-600PQ 1.2888
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 ECAD 7925 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 通孔 TO-247-2 BYC30 标准 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 934072031127 EAR99 8541.10.0080 450 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 600伏 3.3V@30A 33纳秒 600V时为10μA 175℃（最高） 30A -
NXPS20H110C,127 WeEn Semiconductors NXPS20H110C,127 -
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 ECAD 7764 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 SIC停产 通孔 TO-220-3 恩智浦20 肖特基 TO-220AB 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 110V 10A 770 毫伏 @ 10 安 110V时为6μA 175℃（最高）
SK8DJ WeEn Semiconductors SK8DJ 0.4125
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 ECAD 1280 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 SK8D 标准 DPAK 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 934072035118 EAR99 8541.10.0080 2,500人 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 800V 1.1V@8A 800V时为50μA 150℃（最高） 8A -
WNSC5D06650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D06650X6Q -
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 ECAD 8729 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 WNSC5 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220AC - 1740-WNSC5D06650X6Q EAR99 8541.10.0080 1 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@6A 0纳秒 650V时为30μA -55℃～175℃ 6A 201pF@1V、1MHz
WNSC208006Q WeEn Semiconductors WNSC208006Q -
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 ECAD 5632 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 最后一次购买 通孔 TO-220-2 WNSC2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220AC - EAR99 8541.10.0080 1 无恢复T>500mA(Io) 800V 1.7V@20A 0纳秒 800V时为450μA 175℃ 20A 655pF@1V、1MHz
WNSC04650T6J WeEn Semiconductors WNSC04650T6J 1.0313
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 ECAD 1979年 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 表面贴装 4-VSFN 裸露焊盘 WNSC0 SiC（碳化硅）肖特基 5-DFN (8x8) 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@4A 0纳秒 650V时为25μA 175℃（最高） 4A 141pF@1V、1MHz
WN3S30100CXQ WeEn Semiconductors WN3S30100CXQ 0.8700
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 ECAD 6 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3全封装，隔离片 WN3S301 肖特基 TO-220F 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 100伏 15A 770 毫伏 @ 15 安 100V时为50μA 150℃
BYC30W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC30W-1200PQ 3.0400
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 ECAD 第851章 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-2 BYC30 标准 TO-247-2 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 934072005127 EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1200伏 3.3V@30A 65纳秒 1200V时为250μA 175℃（最高） 30A -
BYV32EB-200PJ WeEn Semiconductors BYV32EB-200PJ 0.4950
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 ECAD 3409 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB BYV32 标准 D2PAK 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 934072017118 EAR99 8541.10.0080 800 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 200V 20A 1.15V@20A 25纳秒 5μA@200V 175℃（最高）
NXPSC106506Q WeEn Semiconductors 恩智浦SC106506Q 6.0000
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 ECAD 3 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 恩克斯普SC SiC（碳化硅）肖特基 TO-220AC 下载 1（无限制） 934072075127 EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@10A 0纳秒 650V时为250μA 175℃（最高） 10A 300pF@1V、1MHz
NXPSC08650BJ WeEn Semiconductors 恩智浦SC08650BJ -
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 ECAD 1864年 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 表面贴装 TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB 恩克斯普SC SiC（碳化硅）肖特基 D2PAK 下载 1（无限制） 934070004118 EAR99 8541.10.0080 800 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@8A 0纳秒 650V时为230μA 175℃（最高） 8A 260pF@1V、1MHz
BYW29E-100,127 WeEn Semiconductors BYW29E-100,127 0.3960
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 ECAD 7043 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 BYW29 标准 TO-220AC 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100伏 1.05V@8A 25纳秒 10μA@100V 150℃（最高） 8A -
BYC10DX-600,127 WeEn Semiconductors BYC10DX-600,127 0.9700
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 ECAD 4 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装，隔离片 BYC10 标准 TO-220FP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 500V 2.5V@10A 18纳秒 600V时为200μA 150℃（最高） 10A -
BYV415K-600PQ WeEn Semiconductors BYV415K-600PQ 2.5100
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 ECAD 900 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 BYV415 标准 TO-3P 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 30 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 600伏 15A 2.1V@15A 45纳秒 600V时为10μA -65℃～175℃
WB75FC120ALZ WeEn Semiconductors WB75FC120ALZ 1.8128
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 ECAD 6110 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 表面贴装 死 WB75 标准 晶圆 - EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1200伏 3.3V@75A 85纳秒 1200V时为250μA 175℃ 75A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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