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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYC40W-1200PQ | 1.8808 | ![]() | 1282 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | BYC40 | 标准 | TO-247-2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 3.3 V @ 40 A | 91 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C | 40a | - | ||||||
![]() | WNS20H100CBJ | 0.8500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | WNS20 | 肖特基 | D2PAK | 下载 | Rohs符合条件 | 不适用 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 750 MV @ 10 A | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | BYV10X-600PQ | 0.7600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | Byv10 | 标准 | TO-220FP | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 10 A | 20 ns | 10 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 10a | - | ||||
![]() | BYQ72EW-200Q | 1.1103 | ![]() | 7080 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | BYQ72 | 标准 | TO-247-3 | 下载 | (1 (无限) | 934068567127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 15a | 900 mv @ 15 A | 25 ns | 20 µA @ 200 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | BYV29X-500,127 | 0.4290 | ![]() | 8271 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | Byv29 | 标准 | TO-220FP | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.25 V @ 8 A | 60 ns | 50 µA @ 500 V | 150°C (最大) | 9a | - | ||||
![]() | BYC10-600CT,127 | 0.5280 | ![]() | 1616年 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | BYC10 | 标准 | TO-220AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 10a | 2.9 V @ 5 A | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | BYV32EB-200,118 | 1.5700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Byv32 | 标准 | D2PAK | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 20a | 1.15 V @ 20 A | 25 ns | 30 µA @ 200 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | WNSC2D101200CW6Q | 2.0518 | ![]() | 9405 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | WNSC2 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 10a | 1.6 V @ 5 A | 0 ns | 25 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | WND35P08Q | 0.5644 | ![]() | 1911 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | WND35 | 标准 | TO-220AC | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.4 V @ 35 A | 50 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 35a | - | |||||||
![]() | WB35SD160ALZ | 0.6908 | ![]() | 7815 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | WB35 | 标准 | 晶圆 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.2 V @ 35 A | 50 µA @ 1600 V | 150°C | 35a | - | |||||||
![]() | WNSC5D06650x6Q | - | ![]() | 8729 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | WNSC5 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D06650x6Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 30 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 6a | 201PF @ 1V,1MHz | |||||
![]() | WNSC5D08650D6J | - | ![]() | 5032 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | WNSC5 | SIC (碳化硅) | DPAK | - | 1740-WNSC5D08650D6JTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 40 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 8a | 267pf @ 1V,1MHz | |||||
![]() | WNSC2D10650XQ | 1.4550 | ![]() | 6616 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | WNSC2 | SIC (碳化硅) | TO-220F | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1740-WNSC2D10650XQ | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175°C | 10a | 310pf @ 1V,1MHz | |||
WN3S40H100CXQ | 1.1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | WN3S40 | 肖特基 | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 20a | 710 MV @ 20 A | 50 µA @ 100 V | 150°C | |||||||
![]() | NXPSC08650x6Q | 4.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | nxpsc | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 934072085127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 230 µA @ 650 V | 175°c (最大) | 8a | 260pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | BYV32E-200,127 | 1.3500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | Byv32 | 标准 | TO-220AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 20a | 1.15 V @ 20 A | 25 ns | 30 µA @ 200 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | WNSC2D151200W6Q | 2.8554 | ![]() | 4612 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | WNSC2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 150 µA @ 1200 V | 175°C | 15a | 700pf @ 1V,1MHz | ||||||
![]() | WNSC12650T6J | 3.5400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | 4-VSFN暴露垫 | WNSC1 | SIC (碳化硅) | 5-DFN(8x8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 12 A | 0 ns | 60 µA @ 650 V | 175°C | 12a | 328pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | NXPSC04650XQ | - | ![]() | 3816 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | nxpsc | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 934070151127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 4 A | 0 ns | 170 µA @ 650 V | 175°c (最大) | 4a | 130pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | WNSC10650WQ | 1.8808 | ![]() | 4854 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-2 | WNSC1 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | Rohs符合条件 | 不适用 | 1740-WNSC10650WQ | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 60 µA @ 650 V | 175°C | 10a | 328pf @ 1V,1MHz | |||
![]() | BYV30-600PQ | 0.9405 | ![]() | 2050 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | byv30 | 标准 | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 934071198127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.55 V @ 30 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 30a | - | ||||
![]() | WNSC5D06650T6J | - | ![]() | 5098 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 4-VSFN暴露垫 | WNSC5 | SIC (碳化硅) | 5-DFN(8x8) | - | 1740-WNSC5D06650T6JTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 30 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 6a | 201PF @ 1V,1MHz | |||||
![]() | WNSC10650T6J | 1.9470 | ![]() | 4172 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | 4-VSFN暴露垫 | WNSC1 | SIC (碳化硅) | 5-DFN(8x8) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 60 µA @ 650 V | 175°c (最大) | 10a | 328pf @ 1V,1MHz | |||||
WNS20S100CXQ | 0.2805 | ![]() | 9647 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | WNS20 | 肖特基 | TO-220F | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 950 MV @ 10 A | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||
![]() | WB75FC120ALZ | 1.8128 | ![]() | 6110 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | WB75 | 标准 | 晶圆 | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 3.3 V @ 75 A | 85 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C | 75a | - | ||||||
![]() | NXPSC08650B6J | 4.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | nxpsc | SIC (碳化硅) | D2PAK | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 230 µA @ 650 V | 175°c (最大) | 8a | 260pf @ 1V,1MHz | |||||
![]() | NXPSC08650BJ | - | ![]() | 1864年 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | nxpsc | SIC (碳化硅) | D2PAK | 下载 | (1 (无限) | 934070004118 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 230 µA @ 650 V | 175°c (最大) | 8a | 260pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | BYC10DX-600,127 | 0.9700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | BYC10 | 标准 | TO-220FP | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 2.5 V @ 10 A | 18 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - | ||||
![]() | NXPS20H110C,127 | - | ![]() | 7764 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | NXPS20 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 110 v | 10a | 770 mv @ 10 A | 6 µA @ 110 V | 175°c (最大) |
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