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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYQ28E-200E,127 | 0.7200 | ![]() | 4801 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | BYQ28 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 10A | 1.25V@10A | 25纳秒 | 10μA@200V | 150℃(最高) | ||||||||
![]() | 恩智浦SC08650D6J | 4.7400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | DPAK | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@8A | 0纳秒 | 650V时为230μA | 175℃(最高) | 8A | 260pF@1V、1MHz | |||||||||
![]() | WDMF75M16T | 25.7984 | ![]() | 2484 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 150°C(太焦) | 安装结构 | 模块 | WDMF75 | 标准 | WMM01 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | 1.25V@75A | 1600V时为50μA | 75A | 土耳其 | 1.6kV | ||||||||||
![]() | WNSC2D101200WQ | 4.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1740-WNSC2D101200WQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.65V@10A | 0纳秒 | 110μA@1200V | 175℃ | 10A | 490pF@1V、1MHz | |||||||
![]() | BYV410-600,127 | 1.6000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | BYV410 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 20A | 2.1V@10A | 35纳秒 | 50μA@600V | 150℃(最高) | ||||||||
![]() | WNSC2D06650Q | 1.8700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 1740-WNSC2D06650Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@6A | 0纳秒 | 650V时为30μA | 175℃ | 6A | 198pF@1V、1MHz | |||||||
![]() | BYC10B-600,118 | 0.5445 | ![]() | 4641 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | BYC10 | 标准 | D2PAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 500V | 2.9V@10A | 55纳秒 | 600V时为200μA | 150℃(最高) | 10A | - | ||||||||
![]() | WN3S40100CQ | 0.8900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | WN3S40 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100V | 20A | 780 毫伏 @ 20 安 | 100V时为50μA | 150℃ | ||||||||||
![]() | BYC30WT-600PSQ | 1.3879 | ![]() | 4791 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | BYC30 | 标准 | TO-247-3 | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.75V@30A | 35纳秒 | 600V时为10μA | 175℃ | 30A | - | ||||||||||
![]() | BYC8DX-600,127 | 0.9300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | BYC8 | 标准 | TO-220FP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.9V@8A | 20纳秒 | 40μA@600V | 150℃(最高) | 8A | - | ||||||||
![]() | WNSC5D10650B6J | - | ![]() | 5688 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | WNSC5 | SiC(碳化硅)肖特基 | DPAK | - | 1740-WNSC5D10650B6JTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 10A | 323pF@1V、1MHz | |||||||||
![]() | BYC100W-1200PQ | 4.3904 | ![]() | 2829 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | EEPP™ | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | BYC100 | 标准 | TO-247-2 | 下载 | 不适用 | 934072041127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1200伏 | 3.3V@100A | 90纳秒 | 1200V时为250μA | 175℃(最高) | 100A | - | ||||||||
![]() | BYV32E-200,127 | 1.3500 | ![]() | 17号 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | BYV32 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 20A | 1.15V@20A | 25纳秒 | 200V时为30μA | 150℃(最高) | ||||||||
![]() | BYC10-600CT,127 | 0.5280 | ![]() | 1616 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | BYC10 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0070 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 10A | 2.9V@5A | 50纳秒 | 100 µA @ 600 V | 150℃(最高) | ||||||||
![]() | WNSC2D301200W6Q | 5.3483 | ![]() | 9168 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.6V@30A | 0纳秒 | 1.2kV时为150μA | -55℃~175℃ | 30A | 1407pF @ 1V、1MHz | ||||||||||
![]() | BYV34-500,127 | 1.6700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | BYV34 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 500V | 20A | 1.35V@20A | 60纳秒 | 50μA@500V | 150℃(最高) | ||||||||
![]() | WNSC2D10650XQ | 1.4550 | ![]() | 6616 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220F | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1740-WNSC2D10650XQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | 175℃ | 10A | 310pF@1V、1MHz | |||||||
![]() | WNSC2D20650CWQ | 5.1300 | ![]() | 第480章 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1(无限制) | 1740-WNSC2D20650CWQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 650伏 | 20A | 1.7V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | 175℃ | ||||||||
![]() | 恩智浦SC20650WQ | - | ![]() | 3444 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-247-3 | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1(无限制) | 934070881127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 650伏 | 20A | 1.7V@10A | 0纳秒 | 650V时为250μA | 175℃(最高) | ||||||||
![]() | BYQ72EK-200Q | 1.0905 | ![]() | 3189 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | BYQ72 | 标准 | TO-3P | 下载 | 1(无限制) | 934068786127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 15A | 900毫伏@15安 | 25纳秒 | 600V时为20μA | 150℃(最高) | ||||||||
![]() | 恩智浦SC06650BJ | - | ![]() | 1904年 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | D2PAK | 下载 | 1(无限制) | 934070003118 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@6A | 0纳秒 | 650V时为200μA | 175℃(最高) | 6A | 190pF@1V、1MHz | ||||||||
![]() | NUR460P/L04U | - | ![]() | 4737 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | NUR460 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 934067362112 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.05V@3A | 75纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 4A | - | |||||||
![]() | BYC75W-600PT2Q | 2.8800 | ![]() | 600 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | 标准 | TO-247-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 1740-BYC75W-600PT2Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.75V@75A | 50纳秒 | 600V时为10μA | 175℃ | 75A | - | ||||||||
![]() | BYR29-800,127 | 0.4785 | ![]() | 4756 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | 29卢比 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.5V@8A | 75纳秒 | 800V时为10μA | 150℃(最高) | 8A | - | ||||||||
![]() | 恩智浦SC04650XQ | - | ![]() | 3816 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220F | 下载 | 1(无限制) | 934070151127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@4A | 0纳秒 | 650V时为170μA | 175℃(最高) | 4A | 130pF@1V、1MHz | ||||||||
![]() | BYC60W-1200PQ | 3.3854 | ![]() | 3177 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | BYC60 | 标准 | TO-247-2 | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1200伏 | 3.3V@60A | 96纳秒 | 1200V时为250μA | 175℃ | 60A | - | ||||||||||
![]() | NXPLQSC106506Q | 2.1450 | ![]() | 4977 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-220-2 | NXPLQSC | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 1(无限制) | 934072074127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.85V@10A | 0纳秒 | 650V时为230μA | 175℃(最高) | 10A | 250pF@1V、1MHz | ||||||||
![]() | WNSC2D021200D6J | 0.3699 | ![]() | 6699 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | DPAK | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.65V@2A | 0纳秒 | 10μA@1200V | 175℃ | 2A | 95pF@1V、1MHz | ||||||||||
![]() | BYV29X-500,127 | 0.4290 | ![]() | 8271 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | BYV29 | 标准 | TO-220FP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 500V | 1.25V@8A | 60纳秒 | 50μA@500V | 150℃(最高) | 9A | - | ||||||||
| WN3S20H150CXQ | 0.7900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | WN3S20 | 肖特基 | TO-220F | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 10A | 1.1V@10A | 150V时为50μA | 150℃ |

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