SIC
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二极管（（421）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
CMS20I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS20I30A （TE12L，QM 0.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 CMS20 肖特基 M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 450 mv @ 2 a 100 µA @ 30 V 150°C （最大） 2a 82pf @ 10V，1MHz
1SS416,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS416，L3M 0.2700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-923 1SS416 肖特基 SOD-923 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 30 V 500 mv @ 100 ma 50 µA @ 30 V 125°c （最大） 100mA 15pf @ 0v，1MHz
CRS15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS15 （TE85L，Q，M） 0.1462
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-123F CRS15 肖特基 S-Flat（1.6x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 520 mv @ 3 a 50 µA @ 30 V -40°C〜150°C 3a 90pf @ 10V，1MHz
CMS11(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS11（TE12L，Q，m） 0.6000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 CMS11 肖特基 M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 550 mv @ 2 a 500 µA @ 40 V -40°C〜150°C 2a 95pf @ 10V，1MHz
CTS05F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05F40，L3F 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-882 CTS05F40 肖特基 CST2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 810 MV @ 500 mA 15 µA @ 40 V 150°C （最大） 500mA 28pf @ 0v，1MHz
CTS05S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05S40，L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-882 CTS05S40 肖特基 CST2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 350 mv @ 100 ma 30 µA @ 10 V 125°c （最大） 500mA 42pf @ 0v，1MHz
DSR01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSR01S30SC，L3F -
RFQ
 ECAD 2781 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 0201（0603公制） DSR01S30 肖特基 SC2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 30 V 620 MV @ 100 mA 700 µA @ 30 V 125°c （最大） 100mA 8.2pf @ 0v，1MHz
HN2S03FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 8154 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 HN2S03 肖特基 ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 4,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 3独立 20 v 50mA 550 mv @ 50 mA 500 na @ 20 V 125°c （最大）
HN1D03FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03FTE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 HN1D03 标准 SC-74 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 2对CA + CC 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125°c （最大）
CLH05(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH05（TE16R，Q） -
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLH05 标准 l-flat™（4x5.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 980 mv @ 5 a 35 ns 10 µA @ 200 V -40°C〜150°C 5a -
CRF02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRF02 （TE85L，Q，M） 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-123F CRF02 标准 S-Flat（1.6x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 800 v 3 V @ 500 MA 100 ns 50 µA @ 800 V -40°C〜150°C 500mA -
CMS07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS07（TE12L，Q，M） 0.1916
RFQ
 ECAD 2620 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 CMS07 肖特基 M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 450 mv @ 2 a 500 µA @ 30 V -40°C〜150°C 2a -
CMF01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF01（TE12L，Q，M） -
RFQ
 ECAD 3559 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOD-128 CMF01 标准 M-Flat（2.4x3.8） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 2 V @ 2 A 100 ns 50 µA @ 600 V -40°C〜150°C 2a -
CRS01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS01（TE85L，Q，M） 0.3900
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-123F CRS01 肖特基 S-Flat（1.6x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 360 mv @ 1 A 1.5 ma @ 30 V -40°C〜125°C 1a 40pf @ 10V，1MHz
DSF01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC（TPL3） -
RFQ
 ECAD 1853年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 0201（0603公制） DSF01S30 肖特基 SC2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 30 V 500 mv @ 100 ma 50 µA @ 30 V 125°c （最大） 100mA 9.3pf @ 0v，1MHz
TRS3E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS3E65H，S1Q 1.6100
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L - rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TRS3E65H，S1Q Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.35 V @ 3 A 0 ns 45 µA @ 650 V 175°C 3a 199pf @ 1V，1MHz
1SS424(TPL3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS424（tpl3，f） 0.2200
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-79，SOD-523 1SS424 肖特基 ESC键 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 8,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 20 v 500 mV @ 200 ma 50 µA @ 20 V 125°c （最大） 200mA 20pf @ 0v，1MHz
1SS190TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS190TE85LF 0.3500
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 1SS190 标准 SC-59-3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 80 V 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125°c （最大） 100mA 4pf @ 0v，1MHz
TRS12E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65H，S1Q 3.2700
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L - rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TRS12E65H，S1Q Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.35 V @ 12 A 0 ns 120 µA @ 650 V 175°C 12a 778pf @ 1V，1MHz
1SS404,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS404，H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-76，SOD-323 1SS404 肖特基 南加州大学 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 450 mv @ 300 mA 50 µA @ 20 V 125°c （最大） 300mA 46pf @ 0v，1MHz
1SS226,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1S226，LF 0.2300
RFQ
 ECAD 5380 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 1SS226 标准 S-Mini - rohs3符合条件 （1 （无限） 264-1SS226，LFCT Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对系列连接 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125°c （最大）
HN2S02JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S02JE（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 3286 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 HN2S02 肖特基 ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 4,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 2独立 40 V 100mA 600 mv @ 100 ma 5 µA @ 40 V 125°c （最大）
CMS04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS04（TE12L，Q，M） 0.7800
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 CMS04 肖特基 M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 370 mv @ 5 a 8 ma @ 30 V -40°C〜125°C 5a 330pf @ 10V，1MHz
CUS04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CUS04（TE85L，Q，M） -
RFQ
 ECAD 2743 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-76，SOD-323 CUS04 肖特基 US-FLAT（1.25x2.5） 下载 Rohs符合条件 CUS04（TE85LQM） Ear99 8541.10.0080 4,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 580 mv @ 700 mA 100 µA @ 60 V -40°C〜150°C 700mA 38pf @ 10V，1MHz
DSF01S30SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SL，L3F 0.3500
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，没有铅 DSF01S30 肖特基 SL2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 30 V 500 mv @ 100 ma 50 µA @ 30 V 125°c （最大） 100mA 9.02pf @ 2V，1MHz
CRS09(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS09（TE85L） -
RFQ
 ECAD 9473 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 表面安装 SOD-123F CRS09 肖特基 S-Flat（1.6x3.5） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 460 mv @ 1.5 A 50 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1.5a -
CUS05S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S30，H3F 0.3100
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-76，SOD-323 CUS05S30 肖特基 南加州大学 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 340 mv @ 100 mA 150 µA @ 10 V 125°c （最大） 500mA 55pf @ 0v，1MHz
1SS193,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS193，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 1SS193 标准 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 80 V 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125°c （最大） 100mA 3pf @ 0v，1MHz
CUS10S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S40，H3F 0.3500
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-76，SOD-323 CUS10S40 肖特基 南加州大学 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 400 mv @ 500 mA 150 µA @ 40 V 125°c （最大） 1a 120pf @ 0v，1MHz
TRS8E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C，S1Q -
RFQ
 ECAD 9767 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 TRS8E65 SIC （碳化硅） TO-220-2L - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.7 V @ 8 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175°c （最大） 8a 44pf @ 650V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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