分区(421)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
CUS15S30、H3F	0.3500	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS15S30	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		400毫伏@1安		30V时为500μA	125℃（最高）	1.5A	200pF @ 0V、1MHz
CES388，L3F	0.2000	询价	52	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-79、SOD-523	CES388	肖特基		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		40V		600 毫伏 @ 100 毫安		5μA@40V	125℃（最高）	100毫安	25pF @ 0V、1MHz
CMS04(TE12L,Q,M)	0.7800	询价	34	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMS04	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		370毫伏@5安		8毫安@30伏	-40℃～125℃	5A	330pF@10V、1MHz
CRS01(TE85L,Q,M)	0.3900	询价	51	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS01	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		360毫伏@1安		1.5毫安@30伏	-40℃～125℃	1A	40pF@10V、1MHz
CMF01A,LQ(M	-	询价	5318	东芝半导体和存储	-	盒子	的积极			表面贴装	SOD-128		标准		M-平 (2.4x3.8)	下载				EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		2V@2A	100纳秒	50μA@600V	150℃	2A	-
1SS382TE85LF	0.4900	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-82	1SS382	标准			下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	2 独立	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
CMZ13(TE12L,Q,M)	0.5400	询价	4806	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-128	CMZ13		2W	M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000					1.2V@200mA		9V时为10μA						13伏	30欧姆
CRS15(TE85L,Q,M)	0.1462	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS15	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		520毫伏 @ 3安		30V时为50μA	-40℃～150℃	3A	90pF@10V，1MHz
HN2S02JE(TE85L,F)	0.4800	询价	3286	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-553	HN2S02	肖特基		ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	4,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	2 独立	40V	100毫安	600 毫伏 @ 100 毫安		5μA@40V	125℃（最高）
DSF05S30U(TPH3,F)	-	询价	8061	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-76、SOD-323	DSF05	肖特基		南加州大学	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		450 毫伏 @ 500 毫安			125℃（最高）	500毫安	-
CUHS15S60,H3F	0.4900	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入		肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		60V		670毫伏@1.5安		60V时为450μA	150℃	1.5A	130pF @ 0V、1MHz
HN1D03FTE85LF	0.4200	询价	66	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74、SOT-457	HN1D03	标准		SC-74	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	2对CA+CC	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
CBS10S40,L3F	0.4300	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，无铅	CBS10S40	肖特基		CST2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		40V		550毫伏@1安		40V时为150μA	125℃（最高）	1A	120pF @ 0V、1MHz
CMS01(TE12L)	-	询价	6249	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的			表面贴装	SOD-128	CMS01	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		370毫伏 @ 3安		5毫安@30伏	-40℃～125℃	3A	-
TRS20N65D,S1F	-	询价	9963	东芝半导体和存储	-	管子	过时的			通孔	TO-247-3	TRS20N	肖特基		TO-247	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	30	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	650伏	10A（直流）	1.7V@10A		650V时为90μA	175℃（最高）
TBAV99,LM	0.2000	询价	25	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TBAV99	标准		SOT-23-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	1对中央	80V	100毫安	1.25V@150mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
HN2D01FTE85LF	0.4700	询价	201	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74、SOT-457	HN2D01	标准		SC-74	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	3 独立	80V	80毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
CUHS15F40,H3F	0.3700	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入	CUHS15	肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		40V		630 毫伏 @ 1.5 安		40V时为50μA	150℃（最高）	1.5A	130pF @ 0V、1MHz
DSR01S30SC(TPL3)	-	询价	1993年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	0201（0603 公制）	DSR01S30	肖特基		SC2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		30V		620 毫伏 @ 100 毫安		700μA@30V	125℃（最高）	100毫安	8.2pF @ 0V、1MHz
HN1D04FUTE85LF	-	询价	7995	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1D04	标准		美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	2 对中央	80V	100毫安	1.2V@100mA	1.6纳秒	80V时为500nA	150℃（最高）
TRS8E65C,S1Q	-	询价	9767	东芝半导体和存储	-	管子	过时的			通孔	TO-220-2	TRS8E65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.7V@8A	0纳秒	650V时为90μA	175℃（最高）	8A	44pF@650V，1MHz
CRG03(TE85L,Q,M)	-	询价	5772	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOD-123F	CRG03	标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	CRG03(TE85L,Q)	EAR99	8541.10.0080	3,000	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		400V		1V@1A		400V时为10μA	-40℃～150℃	1A	-
TRS6E65H,S1Q	2.3200	询价	400	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TRS6E65H，S1Q	EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.35V@6A	0纳秒	650V时为70μA	175℃	6A	392pF@1V、1MHz
CMS15I40A(TE12L,QM	0.5900	询价	6510	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMS15	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		40V		490毫伏@1.5安		40V时为100μA	150℃（最高）	1.5A	62pF@10V，1MHz
1SV305、H3F	-	询价	5855	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV305			ESC键	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	4,000										6.6pF @ 4V、1MHz	单身的	10V			3	C1/C4	-
CLS03(TE16R,Q)	-	询价	7771	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS03	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		60V		580毫伏@10安		1毫安@60伏	-40℃～125℃	10A	345pF@10V、1MHz
30JL2C41(女)	-	询价	7236	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通孔	TO-3P-3、SC-65-3	30JL2C	标准		TO-3P(N)	-		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	600伏	15A	2V@15A	50纳秒	50μA@600V	-40℃～150℃
1SS190TE85LF	0.3500	询价	47	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS190	标准		SC-59-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		80V		1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）	100毫安	4pF@0V、1MHz
TRS10E65H,S1Q	2.8900	询价	340	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TRS10E65H，S1Q	EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)		650伏		1.35V@10A	0纳秒	650V时为100μA	175℃	10A	649pF @ 1V、1MHz
1SS406，H3F	0.2000	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	1SS406	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		20V		550 毫伏 @ 50 毫安		20V时为500nA	125℃（最高）	50毫安	3.9pF @ 0V、1MHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分区(421)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²