SIC
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二极管（（421）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 电流 -最大 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 电阻 @ if，f 电容比 电容比条件 q @ vr，f
CRY91(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry91（TE85L，Q，M） -
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±10％ -40°C〜150°C 表面安装 SOD-123F Cry91 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 5.5 V 9.1 v 30欧姆
TRS4A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS4A65F，S1Q 2.3700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 TRS4A65 SIC （碳化硅） TO-220F-2L - Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.6 V @ 4 A 0 ns 20 µA @ 650 V 175°c （最大） 4a 16pf @ 650V，1MHz
TBAT54,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAT54，LM 0.2100
RFQ
 ECAD 545 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TBAT54 肖特基 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 30 V 580 mv @ 100 ma 1.5 ns 2 µA @ 25 V 150°C （最大） 140mA -
CUS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I40A （TE85L，QM -
RFQ
 ECAD 1671年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-76，SOD-323 CUS10I40 肖特基 US-FLAT（1.25x2.5） 下载 Rohs符合条件 CUS10I40A （TE85LQM Ear99 8541.10.0080 4,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 490 mv @ 700 mA 60 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 35pf @ 10V，1MHz
CMS30I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I30A（TE12L，QM 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 CMS30 肖特基 M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 490 mv @ 3 a 100 µA @ 30 V 150°C （最大） 3a 82pf @ 10V，1MHz
CCS15S30,L3QUF Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30，L3QUF -
RFQ
 ECAD 1834年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，没有铅 CCS15S30 肖特基 CST2C 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 400 mV @ 1 A 500 µA @ 30 V 125°c （最大） 1.5a 200pf @ 0v，1MHz
CBS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10F40，L3F 0.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-882 CBS10F40 肖特基 CST2B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 700 mv @ 1 A 20 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 74pf @ 0v，1MHz
TRS12E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65C，S1Q -
RFQ
 ECAD 6681 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 TRS12E65 SIC （碳化硅） TO-220-2L - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.7 V @ 12 A 0 ns 90 µA @ 170 V 175°c （最大） 12a 65pf @ 650V，1MHz
1SV282TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV282TPH3F 0.0886
RFQ
 ECAD 1657年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 125°C（TJ） 表面安装 SC-79，SOD-523 1SV282 ESC键 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 4,000 3pf @ 25V，1MHz 单身的 34 v 12.5 C2/C25 -
CLS02(T6L,CLAR,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02（T6L，CLAR，Q），Q） -
RFQ
 ECAD 2894 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLS02 肖特基 l-flat™（4x5.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 550 mv @ 10 a 1 mA @ 40 V -40°C〜125°C 10a 420pf @ 10V，1MHz
CRZ24(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ24 （TE85L，Q，M） 0.1740
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F CRZ24 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 17 V 24 V 30欧姆
CLS02(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02（TE16L，SQC，Q） -
RFQ
 ECAD 2120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLS02 肖特基 l-flat™（4x5.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 550 mv @ 10 a 1 mA @ 40 V -40°C〜125°C 10a 420pf @ 10V，1MHz
CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F40，H3F 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-76，SOD-323 CUS10F40 肖特基 南加州大学 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 670 mv @ 1 a 20 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 74pf @ 0v，1MHz
CMS08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS08（TE12L，Q，M） 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 CMS08 肖特基 M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 370 mv @ 3 a 1.5 ma @ 30 V -40°C〜125°C 1a 70pf @ 10V，1MHz
1SS302A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS302A，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 1SS302 标准 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对系列连接 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V -55°C〜150°C
CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS05F30，L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，没有铅 CBS05F30 肖特基 CST2B - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 50 µA @ 30 V 125°c （最大） 500mA 118pf @ 0v，1MHz
CMZ16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ16（TE12L，Q，M） 0.5400
RFQ
 ECAD 4384 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-128 CMZ16 2 w M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 11 V 16 V 30欧姆
CRZ39(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ39 （TE85L，Q，M） 0.4900
RFQ
 ECAD 7342 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F CRZ39 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 31.2 V 39 v 35欧姆
TRS12A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12A65F，S1Q 5.4900
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 TRS12A65 SIC （碳化硅） TO-220F-2L - Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.6 V @ 12 A 0 ns 60 µA @ 650 V 175°c （最大） 12a 44pf @ 650V，1MHz
1SS385,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385，lf（Ct 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 1SS385 肖特基 SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 10 v 500 mv @ 100 ma 20 µA @ 10 V 125°c （最大） 100mA 20pf @ 0v，1MHz
CUHS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CuHS15S40，H3F 0.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 CUHS15 肖特基 US2H 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 510 MV @ 1.5 A 200 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 170pf @ 0v，1MHz
1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage 1SS315 [U/D] -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） SC-76，SOD-323 南加州大学 下载 （1 （无限） 264-1SS315 [u/d] tr Ear99 8541.10.0070 3,000 30 ma 0.06pf @ 200mv，1MHz 肖特基 -单身 5V -
JDP4P02AT(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage JDP4P02AT（TE85L） -
RFQ
 ECAD 5762 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 4-SMD，没有铅 JDP4P02 CST4（1.2x0.8） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 4,000 50 mA 0.4pf @ 1V，1MHz 引脚-2独立 30V 1.5OHM @ 10mA，100MHz
CMH04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH04（TE12L，Q，M） 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 CMH04 标准 M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 980 mv @ 1 a 35 ns 10 µA @ 200 V -40°C〜150°C 1a -
JDV2S09FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S09FSTPL3 0.0766
RFQ
 ECAD 7473 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 2-SMD，平坦的铅 JDV2S09 FSC - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 10,000 11.1pf @ 1V，1MHz 单身的 10 v 2.1 C1/C4 -
CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ27（TE85L，Q，M） 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F CRZ27 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 19 V 27 V 30欧姆
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H，S1Q 2.7600
RFQ
 ECAD 395 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L - rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TRS8E65H，S1Q Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.35 V @ 8 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175°C 8a 520pf @ 1V，1MHz
TRS10E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65C，S1Q -
RFQ
 ECAD 8191 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 TRS10E65 SIC （碳化硅） TO-220-2L - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175°c （最大） 10a -
1SV324TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV324TPH3F 0.4200
RFQ
 ECAD 972 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-76，SOD-323 1SV324 南加州大学 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 12pf @ 4V，1MHz 单身的 10 v 4.3 C1/C4 -
1SS374(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS374（TE85L，F） 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 1SS374 肖特基 SC-59 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对系列连接 10 v 100mA 500 mv @ 100 ma 20 µA @ 10 V 125°c （最大）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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