分区(421)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	当前 - 最大	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	电阻@If,F	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
HN1D02FU,LF	0.4400	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1D02	标准		美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		2对共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
JDP2S02AFS(TPL3)	0.4700	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）		2-SMD，写入	JDP2S02			森林管理委员会	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000		50毫安									0.4pF@1V、1MHz	PIN-单个	30V			1.5欧姆@10mA，100MHz
CMG06A,LQ(M	-	询价	9033	东芝半导体和存储	-	盒子	的积极			表面贴装	SOD-128		标准		M-平 (2.4x3.8)	下载				EAR99	8541.10.0080	1	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)			600伏		1.1V@1A		5μA@600V	150℃	1A	-
CMS02(TE12L)	-	询价	6247	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的			表面贴装	SOD-128	CMS02	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		400毫伏@3安		30V时为500μA	-40℃～125℃	3A	-
1SS389，L3F	0.2000	询价	3437	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-79、SOD-523	1SS389	肖特基		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			10V		500 毫伏 @ 100 毫安		10V时为20μA	125℃（最高）	100毫安	40pF @ 0V、1MHz
CBS10F40,L3F	0.4300	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-882	CBS10F40	肖特基		CST2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			40V		700毫伏@1安		40V时为20μA	150℃（最高）	1A	74pF @ 0V、1MHz
JDV2S07FSTPL3	0.0718	询价	6225	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）		2-SMD，写入	JDV2S07			森林管理委员会	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000											4.9pF@1V、1MHz	标准 - 单人间	10V			-
1SS187，LF	0.2200	询价	4171	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS187	标准		S-迷你型	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			80V		1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）	100毫安	4pF@0V、1MHz
1SS319(TE85L,F)	0.4000	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-61AA	1SS319	肖特基		SC-61B	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		2 独立	40V	100毫安	600 毫伏 @ 100 毫安		5μA@40V	125℃（最高）
CLH02(TE16L,Q)	-	询价	5715	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLH02	标准		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			300伏		1.3V@3A	35纳秒	10μA@300V	-40℃～150℃	3A	-
CRS30I30A(TE85L,QM	0.5000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS30I30	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		490毫伏 @ 3安		30V时为100μA	150℃（最高）	3A	82pF@10V、1MHz
BAV70，LM	0.2100	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	巴夫70	标准		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		1对共轴线	100伏	215毫安	1.25V@150mA	4纳秒	80V时为200nA	150℃（最高）
1SS307(TE85L,F)	0.3700	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS307	标准		S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			30V		1.3V@100mA		10nA@30V	125℃（最高）	100毫安	6pF@0V、1MHz
CMH08(TE12L,Q,M)	-	询价	9412	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOD-128	CMH08	标准		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合RoHS标准		CMH08(TE12LQM)	EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			400V		1.3V@2A	100纳秒	400V时为10μA	-40℃～150℃	2A	-
1SV308(TH3,F)	-	询价	8277	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的		125°C（太焦）		SC-79、SOD-523	1SV308			ESC键	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	4,000		50毫安									0.5pF@1V、1MHz	PIN-单个	30V			1.5欧姆@10mA，100MHz
CMG03(TE12L,Q,M)	-	询价	2511	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOD-128	CMG03	标准		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	CMG03(TE12LQM)	EAR99	8541.10.0080	3,000	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)			600伏		1.1V@2A		600V时为10μA	-40℃～150℃	2A	-
1SS381，L3F	0.0540	询价	6469	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		125°C（太焦）		SC-79、SOD-523	1SS381			ESC键	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000		100毫安									1.2pF@6V、1MHz	PIN-单个	30V			900mOhm@2mA，100MHz
1SS422(TE85L,F)	0.4000	询价	29	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	1SS422	肖特基		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		1对中央	30V	100毫安	500 毫伏 @ 100 毫安		30V时为50μA	125℃（最高）
CMZ16(TE12L,Q,M)	0.5400	询价	4384	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-128	CMZ16		2W	M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000						1.2V@200mA		11V时为10μA						16V	30欧姆
CMS30I30A(TE12L,QM	0.5900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMS30	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		490毫伏 @ 3安		30V时为100μA	150℃（最高）	3A	82pF@10V、1MHz
1SV229TPH3F	0.3800	询价	9260	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-76、SOD-323	1SV229			南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000											6.5pF@10V、1MHz	单身的	15V				2.5	C2/C10	-
BAS316、H3F	0.1800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	BAS316	标准		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			100伏		1.25V@150mA	3纳秒	80V时为200nA	150℃（最高）	250毫安	0.35pF @ 0V、1MHz
CRS13(TE85L,Q,M)	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS13	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			60V		550毫伏@1安		50μA@60V	150℃（最高）	1A	40pF@10V、1MHz
CLS02(TE16L、SQC、Q)	-	询价	2120	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS02	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			40V		550毫伏@10安		1毫安@40伏	-40℃～125℃	10A	420pF@10V、1MHz
TRS16N65FB,S1Q	6.0900	询价	238	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-247-3	TRS16N65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-247	-		1（无限制）	264-TRS16N65FBS1Q	EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)		1对共轴线	650伏	8A（室外）	1.6V@8A	0纳秒	40μA@650V	175℃
1SS417，L3M	0.2700	询价	9195	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入	1SS417	肖特基		森林管理委员会	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			40V		620 毫伏 @ 50 毫安		5μA@40V	125℃（最高）	100毫安	15pF @ 0V、1MHz
1SV324TPH3F	0.4200	询价	第972章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-76、SOD-323	1SV324			南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000											12pF@4V，1MHz	单身的	10V				4.3	C1/C4	-
CUS05F40,H3F	0.3000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS05F40	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			40V		810 毫伏 @ 500 毫安		40V时为15μA	150℃（最高）	500毫安	28pF @ 0V、1MHz
DSF07S30U(TPH3,F)	-	询价	5138	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-76、SOD-323	DSF07	肖特基		南加州大学	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		450 毫伏 @ 700 毫安		30V时为50μA	125℃（最高）	700毫安	170pF @ 0V、1MHz
BAV99，LM	0.1900	询价	第687章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	巴夫99	标准		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		1对中央	100伏	215毫安	1.25V@150mA	3纳秒	80V时为200nA	150℃（最高）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分区(421)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²