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参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰（最大） 电压 - 齐纳分化（标称）(Vz) 阻抗（最大）(Zzt) 电容比 电容比条件 Q@Vr，F
CMS03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS03(TE12L,Q,M) 0.6600
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 ECAD 17号 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-128 CMS03 肖特基 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 450毫伏@3安 30V时为500μA -40℃～150℃ 3A -
CMH07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH07(TE12L,Q,M) 0.5500
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-128 CMH07 标准 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 980毫伏@2安 100纳秒 10μA@200V -40℃～150℃ 2A -
CRS09(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS09(TE85L) -
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 ECAD 9473 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 表面贴装 SOD-123F CRS09 肖特基 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 460毫伏@1.5安 30V时为50μA -40℃～150℃ 1.5A -
CMS20I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS20I30A(TE12L,QM 0.5800
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-128 CMS20 肖特基 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 450毫伏@2安 30V时为100μA 150℃（最高） 2A 82pF@10V、1MHz
1SS385FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385FV，L3F 0.2400
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 ECAD 157 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOT-723 1SS385 肖特基 VESM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 8,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 10V 500 毫伏 @ 100 毫安 10V时为20μA 125℃（最高） 100毫安 20pF @ 0V、1MHz
TRS3E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS3E65H,S1Q 1.6100
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 ECAD 400 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220-2L - 符合ROHS3标准 1（无限制） 264-TRS3E65H，S1Q EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.35V@3A 0纳秒 45μA@650V 175℃ 3A 199pF@1V、1MHz
CRS06(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS06(TE85L,Q,M) 0.4700
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 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F CRS06 肖特基 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 20V 360毫伏@1安 1毫安@20伏 -40℃～125℃ 1A 60pF@10V、1MHz
CUHS20F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20F40,H3F 0.3600
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 ECAD 36 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-SMD，写入 CUHS20 肖特基 US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 540毫伏@2安 60μA@40V 150℃（最高） 2A 300pF @ 0V、1MHz
CRZ33(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ33(TE85L,Q,M) -
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 ECAD 7181 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 ±10% -40℃～150℃ 表面贴装 SOD-123F CRZ33 700毫W S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1V@200mA 26.4V时为10μA 33V 30欧姆
CUS05S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S30,H3F 0.3100
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 ECAD 33 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-76、SOD-323 CUS05S30 肖特基 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 340毫伏@100毫安 10V时为150μA 125℃（最高） 500毫安 55pF @ 0V、1MHz
CRS10I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30B(TE85L,QM 0.4100
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 ECAD 9920 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F 肖特基 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 420 毫伏 @ 1 安 30V时为60μA 150℃ 1A 50pF@10V，1MHz
CRY62(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY62(TE85L,Q,M) 0.4900
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 ±9.68% -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOD-123F CRY62 700毫W S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1V@200mA 10μA@3V 6.2V 60欧姆
1SS226,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS226，低频 0.2300
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 ECAD 5380 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 1SS226 标准 S-迷你型 - 符合ROHS3标准 1（无限制） 264-1SS226，LFCT EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 1对中央 80V 100毫安 1.2V@100mA 4纳秒 80V时为500nA 125℃（最高）
CRG04A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CRG04A,LQ(米 -
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 ECAD 4458 0.00000000 东芝半导体和存储 - 盒子 的积极 表面贴装 SOD-123F 标准 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 EAR99 8541.10.0080 1 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 600伏 1.1V@1A 5μA@600V 150℃ 1A -
CRS08(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS08(TE85L,Q,M) 0.5200
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 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F CRS08 肖特基 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 360毫伏@1.5安 1毫安@30伏 -40℃～125℃ 1.5A 90pF@10V，1MHz
CMH05A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH05A(TE12L,Q,M) -
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 ECAD 6271 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SOD-128 CMH05A 标准 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400V 1.8V@1A 35纳秒 400V时为10μA -40℃～150℃ 1A -
CLH03(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH03(TE16R,Q) -
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 ECAD 2444 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面贴装 L-薄™ CLH03 标准 L-FLAT™ (4x5.5) 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400V 35纳秒 - 3A -
TRS6E65C,S1AQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65C、S1AQ -
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 ECAD 2406 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 通孔 TO-220-2 TRS6E65 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220-2L - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@6A 0纳秒 650V时为90μA 175℃（最高） 6A 35pF@650V，1MHz
DSR01S30SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSR01S30SL,L3F 0.3500
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 ECAD 49 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-SMD，无铅 DSR01S30 肖特基 SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 10,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 30V 620 毫伏 @ 100 毫安 700nA@30V 125℃（最高） 100毫安 8.2pF @ 0V、1MHz
CMS17(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS17(TE12L,Q,M) 0.4600
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 ECAD 3814 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-128 CMS17 肖特基 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 480毫伏@2安 30V时为100μA -40℃～150℃ 2A 90pF@10V，1MHz
CLH05(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH05(TE16R,Q) -
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 ECAD 3564 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面贴装 L-薄™ CLH05 标准 L-FLAT™ (4x5.5) 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 980毫伏@5安 35纳秒 10μA@200V -40℃～150℃ 5A -
CRG04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG04(TE85L,Q,M) -
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 ECAD 3321 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SOD-123F CRG04 标准 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 600伏 1.1V@1A 600V时为10μA -40℃～150℃ 1A -
1SV325,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV325、H3F 0.3800
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 ECAD 7628 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 125°C（太焦） 表面贴装 SC-79、SOD-523 1SV325 ESC键 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.30.0080 4,000 12pF@4V，1MHz 单身的 10V 4.3 C1/C4 -
1SS416,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS416，L3M 0.2700
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 ECAD 34 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-923 1SS416 肖特基 SOD-923 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 10,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 30V 500 毫伏 @ 100 毫安 30V时为50μA 125℃（最高） 100毫安 15pF @ 0V、1MHz
CLH07(TE16L,NMB,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH07(TE16L,NMB,Q) -
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 ECAD 5501 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面贴装 L-薄™ CLH07 标准 L-FLAT™ (4x5.5) 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400V 1.8V@5A 35纳秒 400V时为10μA -40℃～150℃ 5A -
CUS05F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05F30,H3F 0.3100
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 ECAD 70 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-76、SOD-323 CUS05F30 肖特基 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 450 毫伏 @ 500 毫安 30V时为50μA 500毫安 120pF @ 0V、1MHz
TBAS16,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAS16,LM 0.2100
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 ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOT-23-3 读写 TBAS16 标准 SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 80V - 215毫安 -
TRS16N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65FB,S1F(S -
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 ECAD 5763 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 TRS16N65 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247 - 符合RoHS标准 1（无限制） TRS16N65FBS1F(S EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 650伏 8A（室外） 1.7V@8A 0纳秒 650V时为90μA 175℃（最高）
1SS384TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS384TE85LF 0.4200
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 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-82 1SS384 肖特基 南昆士兰大学 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 2 独立 10V 100毫安 500 毫伏 @ 100 毫安 10V时为20μA 125℃（最高）
CRY68(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68(TE85L,Q,M) 0.4900
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 ±10% -40℃～150℃ 表面贴装 SOD-123F 哭68 700毫W S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1V@200mA 10μA@3V 6.8V 60欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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