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参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 齐纳分化（标称）(Vz) 阻抗（最大）(Zzt)
CRS08(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS08(TE85L,Q,M) 0.5200
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 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F CRS08 肖特基 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 360毫伏@1.5安 1毫安@30伏 -40℃～125℃ 1.5A 90pF@10V，1MHz
CMH05A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH05A(TE12L,Q,M) -
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 ECAD 6271 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SOD-128 CMH05A 标准 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400V 1.8V@1A 35纳秒 400V时为10μA -40℃～150℃ 1A -
CLH03(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH03(TE16R,Q) -
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 ECAD 2444 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面贴装 L-薄™ CLH03 标准 L-FLAT™ (4x5.5) 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400V 35纳秒 - 3A -
TRS6A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS6A65F,S1Q 2.7600
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全包 TRS6A65 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220F-2L - EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.6V@6A 0纳秒 650V时为30μA 175℃（最高） 6A 22pF@650V，1MHz
CMS11(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS11(TE12L) -
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 ECAD 4213 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 表面贴装 SOD-128 CMS11 肖特基 M-平 (2.4x3.8) 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 550毫伏@2安 40V时为500μA -40℃～150℃ 2A -
CMH07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH07(TE12L,Q,M) 0.5500
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-128 CMH07 标准 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 980毫伏@2安 100纳秒 10μA@200V -40℃～150℃ 2A -
CMS03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS03(TE12L,Q,M) 0.6600
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 ECAD 17号 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-128 CMS03 肖特基 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 450毫伏@3安 30V时为500μA -40℃～150℃ 3A -
CRS09(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS09(TE85L) -
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 ECAD 9473 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 表面贴装 SOD-123F CRS09 肖特基 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 460毫伏@1.5安 30V时为50μA -40℃～150℃ 1.5A -
CMF01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF01(TE12L,Q,M) -
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 ECAD 3559 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SOD-128 CMF01 标准 M-平 (2.4x3.8) - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 600伏 2V@2A 100纳秒 50μA@600V -40℃～150℃ 2A -
CTS05F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05F40,L3F 0.3000
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-882 CTS05F40 肖特基 CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 10,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 810 毫伏 @ 500 毫安 40V时为15μA 150℃（最高） 500毫安 28pF @ 0V、1MHz
1SS404,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS404，H3F 0.2000
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 ECAD 55 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-76、SOD-323 1SS404 肖特基 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 20V 450毫伏@300毫安 20V时为50μA 125℃（最高） 300毫安 46pF @ 0V、1MHz
CLH01(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH01(TE16R,Q) -
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 ECAD 4207 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面贴装 L-薄™ CLH01 标准 L-FLAT™ (4x5.5) 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 980毫伏@3安 35纳秒 10μA@200V -40℃～150℃ 3A -
CRS10I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40B(TE85L,QM 0.4700
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F CRS10I40 肖特基 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 450毫伏@1安 40V时为100μA 150℃（最高） 1A 62pF@10V，1MHz
CLS03,LNITTOQ(O Toshiba Semiconductor and Storage CLS03,LNITTOQ(O -
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 ECAD 6921 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面贴装 L-薄™ CLS03 肖特基 L-FLAT™ (4x5.5) 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 60V 580毫伏@10安 1毫安@60伏 -40℃～125℃ 10A 345pF@10V、1MHz
CMS01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS01(TE12L,Q,M) 0.6600
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 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-128 CMS01 肖特基 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 370毫伏 @ 3安 5毫安@30伏 -40℃～125℃ 3A -
TRS6E65C,S1AQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65C、S1AQ -
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 ECAD 2406 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 通孔 TO-220-2 TRS6E65 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220-2L - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@6A 0纳秒 650V时为90μA 175℃（最高） 6A 35pF@650V，1MHz
CMS07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS07(TE12L,Q,M) 0.1916
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 ECAD 2620 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-128 CMS07 肖特基 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 450毫伏@2安 30V时为500μA -40℃～150℃ 2A -
CUS10S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S30、H3F 0.3500
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 ECAD 195 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-76、SOD-323 CUS10S30 肖特基 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 230毫伏@100毫安 30V时为500μA 125℃（最高） 1A 135pF @ 0V、1MHz
1SS321,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS321，低频 0.3200
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 ECAD 41 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 1SS321 肖特基 S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 10V 1V@50mA 10V时为500nA 125℃（最高） 50毫安 3.2pF @ 0V、1MHz
TBAT54C,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAT54C,LM 0.2100
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 TBAT54 肖特基 SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 1对共轴线 30V 140毫安 580 毫伏 @ 100 毫安 1.5纳秒 2μA@25V 150℃（最高）
CRY68(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68(TE85L,Q,M) 0.4900
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 ±10% -40℃～150℃ 表面贴装 SOD-123F 哭68 700毫W S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1V@200mA 10μA@3V 6.8V 60欧姆
CLH06(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH06(TE16R,Q) -
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 ECAD 7267 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面贴装 L-薄™ CLH06 标准 L-FLAT™ (4x5.5) 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 300伏 35纳秒 - 5A -
CRS03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS03(TE85L,Q,M) 0.3900
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 ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F CRS03 肖特基 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 450毫伏@1安 30V时为100μA -40℃～150℃ 1A 40pF@10V、1MHz
TRS20N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS20N65FB,S1F(S -
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 ECAD 1932年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 TRS20N65 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247 - 符合RoHS标准 1（无限制） TRS20N65FBS1F(S EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 650伏 10A（直流） 1.7V@10A 0纳秒 650V时为90μA 175℃（最高）
CTS05S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05S30,L3F 0.3400
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 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-882 CTS05S30 肖特基 CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 10,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 340毫伏@100毫安 10V时为150μA 125℃（最高） 500毫安 55pF @ 0V、1MHz
CMZ36(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ36(TE12L,Q,M) 0.5800
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 ECAD 2937 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOD-128 2W M-平 (2.4x3.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1.2V@200mA 28.8V时为10μA 36V 30欧姆
1SS416,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS416，L3M 0.2700
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 ECAD 34 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-923 1SS416 肖特基 SOD-923 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 10,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 30V 500 毫伏 @ 100 毫安 30V时为50μA 125℃（最高） 100毫安 15pF @ 0V、1MHz
TBAS16,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAS16,LM 0.2100
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 ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOT-23-3 读写 TBAS16 标准 SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 80V - 215毫安 -
CLS03(T6L,CANO-O,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS03(T6L,CANO-O,Q -
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 ECAD 8132 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面贴装 L-薄™ CLS03 肖特基 L-FLAT™ (4x5.5) 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 60V 580毫伏@10安 1毫安@60伏 -40℃～125℃ 10A 345pF@10V、1MHz
1SS393SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS393SU，LF 0.4000
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 ECAD 180 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-70、SOT-323 1SS393 肖特基 SC-70 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 1对共轴线 40V 100毫安 600 毫伏 @ 100 毫安 5μA@40V 125℃（最高）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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