SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
BAV99W,LF Toshiba Semiconductor and Storage bav99w,lf 0.2100
RFQ
ECAD 518 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAV99 标准 USM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对系列连接 100 v 150mA 1.25 V @ 150 mA 4 ns 200 na @ 80 V 150°C (最大)
CRZ30(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ30(TE85L,Q) -
RFQ
ECAD 7496 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±10% -40°C〜150°C 表面安装 SOD-123F CRZ30 700兆 S-Flat(1.6x3.5) 下载 (1 (无限) CRZ30TR-NDR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 21 V 30 V 30欧姆
TRS6E65C,S1AQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65C,S1AQ -
RFQ
ECAD 2406 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 TRS6E65 SIC (碳化硅) TO-220-2L - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 6 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175°c (最大) 6a 35pf @ 650V,1MHz
CLS03(T6L,CANO-O,Q Toshiba Semiconductor and Storage Cls03(t6l,cano-o,q -
RFQ
ECAD 8132 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLS03 肖特基 l-flat™(4x5.5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 580 mv @ 10 a 1 mA @ 60 V -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V,1MHz
CRS08(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS08 (TE85L,Q,M) 0.5200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123F CRS08 肖特基 S-Flat(1.6x3.5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 360 mV @ 1.5 A 1 ma @ 30 V -40°C〜125°C 1.5a 90pf @ 10V,1MHz
CRS20I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40A (TE85L,QM 0.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123F CRS20I40 肖特基 S-Flat(1.6x3.5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 600 mv @ 2 a 60 µA @ 40 V 150°C (最大) 2a 35pf @ 10V,1MHz
1SS402TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS402TE85LF 0.3800
RFQ
ECAD 25 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-82 1SS402 肖特基 USQ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 2独立 20 v 50mA 550 mv @ 50 mA 500 na @ 20 V 125°c (最大)
CUS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS15S40,H3F 0.3900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-76,SOD-323 CUS15S40 肖特基 南加州大学 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 450 MV @ 1 A 200 µA @ 40 V 125°c (最大) 1.5a 170pf @ 0v,1MHz
1SS405,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS405,H3F 0.2700
RFQ
ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-79,SOD-523 1SS405 肖特基 ESC键 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 4,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 20 v 550 mv @ 50 mA 500 na @ 20 V 125°c (最大) 50mA 3.9pf @ 0v,1MHz
CLH03(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH03(TE16R,Q) -
RFQ
ECAD 2444 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLH03 标准 l-flat™(4x5.5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 35 ns - 3a -
CMS03(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS03(TE12L) -
RFQ
ECAD 2598 0.00000000 东芝半导体和存储 - (CT) 过时的 表面安装 SOD-128 CMS03 肖特基 M-Flat(2.4x3.8) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 450 mv @ 3 a 500 µA @ 30 V -40°C〜150°C 3a -
TRS8E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C,S1Q -
RFQ
ECAD 9767 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 TRS8E65 SIC (碳化硅) TO-220-2L - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 8 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175°c (最大) 8a 44pf @ 650V,1MHz
CLS03(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03(TE16L,SQC,Q) -
RFQ
ECAD 9458 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLS03 肖特基 l-flat™(4x5.5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 580 mv @ 10 a 1 mA @ 60 V -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V,1MHz
CTS521,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS521,L3F 0.2000
RFQ
ECAD 191 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-882 CTS521 肖特基 CST2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 500 mV @ 200 ma 30 µA @ 30 V 125°c (最大) 200mA 25pf @ 0v,1MHz
1SS397TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS397TE85LF 0.4100
RFQ
ECAD 8305 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 1SS397 标准 SC-70 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 400 v 1.3 V @ 100 mA 500 ns 1 µA @ 400 V 125°c (最大) 100mA 5pf @ 0v,1MHz
CRS10I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40B (TE85L,QM 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123F CRS10I40 肖特基 S-Flat(1.6x3.5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 450 MV @ 1 A 100 µA @ 40 V 150°C (最大) 1a 62pf @ 10V,1MHz
TRS6A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS6A65F,S1Q 2.7600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 TRS6A65 SIC (碳化硅) TO-220F-2L - Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.6 V @ 6 A 0 ns 30 µA @ 650 V 175°c (最大) 6a 22pf @ 650V,1MHz
1SS301SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS301SU,LF -
RFQ
ECAD 1998 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 1SS301 标准 SC-70 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125°c (最大)
CRH02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH02(TE85L,Q,M) 0.3600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123F CRH02 标准 S-Flat(1.6x3.5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 500 mA 35 ns 10 µA @ 200 V 150°C (最大) 500mA -
1SS361CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361CT (TPL3) 0.3400
RFQ
ECAD 242 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-101,SOT-883 1SS361 标准 CST3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
1SS398TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS398TE85LF 0.5000
RFQ
ECAD 71 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 1SS398 标准 S-Mini 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 400 v 100mA 1.3 V @ 100 mA 500 ns 100 NA @ 400 V 125°c (最大)
CLS03,LNITTOQ(O Toshiba Semiconductor and Storage Cls03,lnittoq(o -
RFQ
ECAD 6921 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLS03 肖特基 l-flat™(4x5.5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 580 mv @ 10 a 1 mA @ 60 V -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V,1MHz
CMS11(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS11(TE12L) -
RFQ
ECAD 4213 0.00000000 东芝半导体和存储 - (CT) 过时的 表面安装 SOD-128 CMS11 肖特基 M-Flat(2.4x3.8) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 550 mv @ 2 a 500 µA @ 40 V -40°C〜150°C 2a -
CUS10S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S40,H3F 0.3500
RFQ
ECAD 33 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-76,SOD-323 CUS10S40 肖特基 南加州大学 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 400 mv @ 500 mA 150 µA @ 40 V 125°c (最大) 1a 120pf @ 0v,1MHz
U1GWJ49(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage U1GWJ49(TE12L,F) -
RFQ
ECAD 1338 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-243AA U1GWJ49 肖特基 PW-Mini 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 550 mv @ 1 a 500 µA @ 40 V -40°C〜125°C 1a -
CLS03(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03(TE16R,Q) -
RFQ
ECAD 7771 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLS03 肖特基 l-flat™(4x5.5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 580 mv @ 10 a 1 mA @ 60 V -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V,1MHz
CRY62(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry62 (TE85L,Q,m) 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±9.68% -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 SOD-123F Cry62 700兆 S-Flat(1.6x3.5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 3 V 6.2 v 60欧姆
1SS370TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS370TE85LF -
RFQ
ECAD 2146 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 1SS370 标准 SC-70 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 200 v 1.2 V @ 100 ma 60 ns 1 µA @ 200 V 125°c (最大) 100mA 3pf @ 0v,1MHz
CLS02(T6L,CANO-O,Q Toshiba Semiconductor and Storage Cls02(t6l,cano-o,q -
RFQ
ECAD 4848 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLS02 肖特基 l-flat™(4x5.5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 550 mv @ 10 a 1 mA @ 40 V -40°C〜125°C 10a 420pf @ 10V,1MHz
CLH06(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH06(TE16R,Q) -
RFQ
ECAD 7267 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLH06 标准 l-flat™(4x5.5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 35 ns - 5a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库