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二极管（（421）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
CBS10S40，L3F	0.4300	RFQ	10	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	2-SMD，没有铅	CBS10S40	肖特基		CST2B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	10,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			40 V		550 mv @ 1 a		150 µA @ 40 V	125°c （最大）	1a	120pf @ 0v，1MHz
CMZ13（TE12L，Q，M）	0.5400	RFQ	4806	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-128	CMZ13		2 w	M-Flat（2.4x3.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9 V						13 V	30欧姆
1SS315TPH3F	0.0600	RFQ	6355	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		125°C（TJ）		SC-76，SOD-323	1SS315			南加州大学	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		30 ma									0.6pf @ 0.2V，1MHz	肖特基 -单身	5V			-
1SS184S，lf（d	-	RFQ	3056	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	1SS184	标准		S-Mini	下载		（1 （无限）	1SS184SLF（d	Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		1对普通阴极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）
TRS12V65H，LQ	3.2800	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	4-VSFN暴露垫		SIC （碳化硅）		4-DFN-EP（8x8）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）			650 v		1.35 V @ 12 A	0 ns	120 µA @ 650 V	175°C	12a	778pf @ 1V，1MHz
CMH05A（TE12L，Q，M）	-	RFQ	6271	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOD-128	CMH05A	标准		M-Flat（2.4x3.8）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			400 v		1.8 V @ 1 A	35 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	1a	-
TRS24N65FB，S1Q	7.6500	RFQ	105	东芝半导体和存储	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	TRS24N65	SIC （碳化硅）		TO-247	-		（1 （无限）	264-TRS24N65FBS1Q	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）		1对普通阴极	650 v	12A（DC）	1.6 V @ 12 A	0 ns	60 µA @ 650 V	175°C
TRS6E65H，S1Q	2.3200	RFQ	400	东芝半导体和存储	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2		SIC （碳化硅）		TO-220-2L	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	264-TRS6E65H，S1Q	Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）			650 v		1.35 V @ 6 A	0 ns	70 µA @ 650 V	175°C	6a	392pf @ 1V，1MHz
CRS10I30B （TE85L，QM	0.4100	RFQ	9920	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F		肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			30 V		420 mv @ 1 A		60 µA @ 30 V	150°C	1a	50pf @ 10V，1MHz
1SS406，H3F	0.2000	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323	1SS406	肖特基		南加州大学	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度			20 v		550 mv @ 50 mA		500 na @ 20 V	125°c （最大）	50mA	3.9pf @ 0v，1MHz
1SS196（te85l，f）	0.3200	RFQ	27	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	1SS196	标准		SC-59-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度			80 V		1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）	100mA	3pf @ 0v，1MHz
1SS385FV，L3F	0.2400	RFQ	157	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	1SS385	肖特基		VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	8,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度			10 v		500 mv @ 100 ma		20 µA @ 10 V	125°c （最大）	100mA	20pf @ 0v，1MHz
TBAT54C，LM	0.2100	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TBAT54	肖特基		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		1对普通阴极	30 V	140mA	580 mv @ 100 ma	1.5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）
CRG04A，LQ（M	-	RFQ	4458	东芝半导体和存储	-	盒子	积极的			表面安装	SOD-123F		标准		S-Flat（1.6x3.5）	下载				Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			600 v		1.1 V @ 1 A		5 µA @ 600 V	150°C	1a	-
HN2S03FUTE85LF	0.4300	RFQ	560	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN2S03	肖特基		US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		3独立	20 v	50mA	550 mv @ 50 mA		500 na @ 20 V	125°c （最大）
CRZ33（TE85L，Q，M）	-	RFQ	7181	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-40°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	CRZ33		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0050	3,000						1 V @ 200 MA		10 µA @ 26.4 V						33 V	30欧姆
CRS03（TE85L，Q，M）	0.3900	RFQ	31	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	CRS03	肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			30 V		450 MV @ 1 A		100 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	1a	40pf @ 10V，1MHz
DSR01S30SC（TPL3）	-	RFQ	1993	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	0201（0603公制）	DSR01S30	肖特基		SC2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度			30 V		620 MV @ 100 mA		700 µA @ 30 V	125°c （最大）	100mA	8.2pf @ 0v，1MHz
TRS20N65FB，S1F s	-	RFQ	1932年	东芝半导体和存储	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	TRS20N65	SIC （碳化硅）		TO-247	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	trs20n65fbs1f（s	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）		1对普通阴极	650 v	10A（DC）	1.7 V @ 10 A	0 ns	90 µA @ 650 V	175°c （最大）
CRS30I40A （TE85L，QM	0.4400	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	CRS30I40	肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			40 V		550 mv @ 3 a		100 µA @ 40 V	150°C （最大）	3a	62pf @ 10V，1MHz
TRS10E65H，S1Q	2.8900	RFQ	340	东芝半导体和存储	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2		SIC （碳化硅）		TO-220-2L	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	264-TRS10E65H，S1Q	Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）			650 v		1.35 V @ 10 A	0 ns	100 µA @ 650 V	175°C	10a	649pf @ 1V，1MHz
1SV325，H3F	0.3800	RFQ	7628	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	1SV325			ESC键	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.30.0080	4,000											12pf @ 4V，1MHz	单身的	10 v				4.3	C1/C4	-
bav99w，lf	0.2100	RFQ	518	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BAV99	标准		USM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1对系列连接	100 v	150mA	1.25 V @ 150 mA	4 ns	200 na @ 80 V	150°C （最大）
CRZ30（TE85L，Q）	-	RFQ	7496	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-40°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	CRZ30		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载		（1 （无限）	CRZ30TR-NDR	Ear99	8541.10.0050	3,000						1 V @ 200 MA		10 µA @ 21 V						30 V	30欧姆
TRS6E65C，S1AQ	-	RFQ	2406	东芝半导体和存储	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2	TRS6E65	SIC （碳化硅）		TO-220-2L	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）			650 v		1.7 V @ 6 A	0 ns	90 µA @ 650 V	175°c （最大）	6a	35pf @ 650V，1MHz
Cls03（t6l，cano-o，q	-	RFQ	8132	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面安装	l-flat™	CLS03	肖特基		l-flat™（4x5.5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			60 V		580 mv @ 10 a		1 mA @ 60 V	-40°C〜125°C	10a	345pf @ 10V，1MHz
CRS08 （TE85L，Q，M）	0.5200	RFQ	29	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	CRS08	肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			30 V		360 mV @ 1.5 A		1 ma @ 30 V	-40°C〜125°C	1.5a	90pf @ 10V，1MHz
CRS20I40A （TE85L，QM	0.5000	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	CRS20I40	肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			40 V		600 mv @ 2 a		60 µA @ 40 V	150°C （最大）	2a	35pf @ 10V，1MHz
1SS402TE85LF	0.3800	RFQ	25	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-82	1SS402	肖特基		USQ	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		2独立	20 v	50mA	550 mv @ 50 mA		500 na @ 20 V	125°c （最大）
CUS15S40，H3F	0.3900	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323	CUS15S40	肖特基		南加州大学	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			40 V		450 MV @ 1 A		200 µA @ 40 V	125°c （最大）	1.5a	170pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（421）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²