分区(421)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	当前 - 最大	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	电阻@If,F	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
CMS03(TE12L)	-	询价	2598	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的			表面贴装	SOD-128	CMS03	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		450毫伏@3安		30V时为500μA	-40℃～150℃	3A	-
CUS10S40、H3F	0.3500	询价	33	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS10S40	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			40V		400 毫伏 @ 500 毫安		40V时为150μA	125℃（最高）	1A	120pF @ 0V、1MHz
CRF02(TE85L,Q,M)	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRF02	标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			800V		3V@500mA	100纳秒	800V时为50μA	-40℃～150℃	500毫安	-
DSF01S30SL,L3F	0.3500	询价	62	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，无铅	DSF01S30	肖特基		SL2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			30V		500 毫伏 @ 100 毫安		30V时为50μA	125℃（最高）	100毫安	9.02pF@2V、1MHz
HN2S03FUTE85LF	0.4300	询价	第560章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN2S03	肖特基		美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		3 独立	20V	50毫安	550 毫伏 @ 50 毫安		20V时为500nA	125℃（最高）
1SS424(TPL3,F)	0.2200	询价	62	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-79、SOD-523	1SS424	肖特基		ESC键	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			20V		500 毫伏 @ 200 毫安		20V时为50μA	125℃（最高）	200毫安	20pF @ 0V、1MHz
TRS12E65H,S1Q	3.2700	询价	400	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TRS12E65H，S1Q	EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)			650伏		1.35V@12A	0纳秒	650V时为120μA	175℃	12A	778pF @ 1V、1MHz
1SV311(TPH3,F)	0.0886	询价	4129	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV311			ESC键	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	4,000											5.45pF @ 4V、1MHz	单身的	10V				2.1	C1/C4	-
CLS01(T6L索尼,Q)	-	询价	6695	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS01	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		470毫伏@10安		1毫安@30伏	-40℃～125℃	10A	530pF@10V、1MHz
1SS405，H3F	0.2700	询价	50	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-79、SOD-523	1SS405	肖特基		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	4,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			20V		550 毫伏 @ 50 毫安		20V时为500nA	125℃（最高）	50毫安	3.9pF @ 0V、1MHz
CUS357、H3F	0.1900	询价	96	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS357	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			40V		600 毫伏 @ 100 毫安		5μA@40V	125℃（最高）	100毫安	11pF@0V、1MHz
1SS196(TE85L,F)	0.3200	询价	27号	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS196	标准		SC-59-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			80V		1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）	100毫安	3pF @ 0V、1MHz
1SS301SU，LF	-	询价	1998年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	1SS301	标准		SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		1对共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
1SS315TPH3F	0.0600	询价	6355	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		125°C（太焦）		SC-76、SOD-323	1SS315			南加州大学	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		30毫安									0.6pF@0.2V，1MHz	肖特基 - 单	5V			-
CLS03(TE16L,SQC,Q)	-	询价	9458	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS03	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			60V		580毫伏@10安		1毫安@60伏	-40℃～125℃	10A	345pF@10V、1MHz
TRS3E65F,S1Q	1.9400	询价	12	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2	TRS3E65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-				EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)			650伏		1.6V@3A	0纳秒	650V时为20μA	175℃（最高）	3A	12pF@650V，1MHz
1SV285TPH3F	0.0834	询价	9414	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV285			ESC键	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	4,000											2.35pF @ 4V、1MHz	单身的	10V				2.3	C1/C4	-
1SV310TPH3F	0.4200	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-76、SOD-323	1SV310			南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000											5.45pF @ 4V、1MHz	单身的	10V				2.1	C1/C4	-
TRS24N65FB,S1Q	7.6500	询价	105	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-247-3	TRS24N65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-247	-		1（无限制）	264-TRS24N65FBS1Q	EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)		1对共轴线	650伏	12A（直流）	1.6V@12A	0纳秒	60μA@650V	175℃
1SS362TE85LF	0.3000	询价	78	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	1SS362	标准		SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		1对中央	80V	80毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
1SS393，LF	0.3800	询价	第347章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	1SS393	肖特基		SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		1对共轴线	40V	100毫安	600 毫伏 @ 100 毫安		5μA@40V	-40℃～100℃
U1GWJ49(TE12L,F)	-	询价	1338	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	TO-243AA	U1GWJ49	肖特基		PW-MINI	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			40V		550毫伏@1安		40V时为500μA	-40℃～125℃	1A	-
1SS385FV，L3F	0.2400	询价	157	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	1SS385	肖特基		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			10V		500 毫伏 @ 100 毫安		10V时为20μA	125℃（最高）	100毫安	20pF @ 0V、1MHz
CMS20I30A(TE12L,QM	0.5800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMS20	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		450毫伏@2安		30V时为100μA	150℃（最高）	2A	82pF@10V、1MHz
CLS01,LFJFQ(O	-	询价	1100	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS01	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		470毫伏@10安		1毫安@30伏	-40℃～125℃	10A	530pF@10V、1MHz
CUS04(TE85L,Q,M)	-	询价	2743	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUUS04	肖特基		美式床单 (1.25x2.5)	下载	符合RoHS标准		CUS04(TE85LQM)	EAR99	8541.10.0080	4,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			60V		580 毫伏 @ 700 毫安		60V时为100μA	-40℃～150℃	700毫安	38pF@10V，1MHz
TRS3E65H,S1Q	1.6100	询价	400	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TRS3E65H，S1Q	EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)			650伏		1.35V@3A	0纳秒	45μA@650V	175℃	3A	199pF@1V、1MHz
CUHS20F40,H3F	0.3600	询价	36	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入	CUHS20	肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			40V		540毫伏@2安		60μA@40V	150℃（最高）	2A	300pF @ 0V、1MHz
CRS06(TE85L,Q,M)	0.4700	询价	19号	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS06	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			20V		360毫伏@1安		1毫安@20伏	-40℃～125℃	1A	60pF@10V、1MHz
CRZ33(TE85L,Q,M)	-	询价	7181	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	±10%	-40℃～150℃	表面贴装	SOD-123F	CRZ33		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000						1V@200mA		26.4V时为10μA						33V	30欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分区(421)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²