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二极管（（421）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电流 -io（io）（每个二极管） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向（最大） | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr，f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HN1D03FU，LF | 0.3700 |  | 35 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | HN1D03 | 标准 | US6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 2对CA + CC | 80 V | 80mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | ||||||||||||||
 | CRZ12 （TE85L，Q，M） | 0.4900 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ12 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 8 V | 12 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||
 | 1SS427，L3M | 0.2700 | | 55 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-923 | 1SS427 | 标准 | SOD-923 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 80 V | 1.2 V @ 100 ma | 1.6 ns | 500 NA @ 80 V | -55°C〜150°C | 100mA | 0.3pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||
 | 1SS389，H3F | - | | 4025 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | 1SS389 | 肖特基 | ESC键 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 40 V | 600 mv @ 50 mA | 5 µA @ 10 V | 125°c （最大） | 100mA | 25pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
 | 1SS387CT，L3F | 0.2400 | | 129 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-882 | 1SS387 | 标准 | CST2 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 80 V | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C （最大） | 100mA | 0.5pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||
 | CLH02（TE16L，Q） | - | | 5715 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLH02 | 标准 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 300 v | 1.3 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -40°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||
| CRS01（TE85L） | - | | 2998 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS01 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 360 mv @ 1 A | 1.5 ma @ 30 V | -40°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||||
| CRS04 （TE85L，Q，M） | 0.4600 | | 112 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS04 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 510 MV @ 1 A | 100 µA @ 40 V | -40°C〜150°C | 1a | 47pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||
| CRG05（TE85L，Q，M） | 0.4600 | | 6290 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRG05 | 标准 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 800 v | 1.2 V @ 1 A | 10 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||
| CRS08（TE85L） | - | | 9469 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS08 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 360 mV @ 1.5 A | 1 ma @ 30 V | -40°C〜125°C | 1.5a | - | |||||||||||||||
| CMS08（TE12L，Q，M） | 0.5300 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMS08 | 肖特基 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 370 mv @ 3 a | 1.5 ma @ 30 V | -40°C〜125°C | 1a | 70pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||
| BAS516，H3F | 0.1800 | | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | BAS516 | 标准 | ESC键 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 3 ns | 200 na @ 80 V | 150°C （最大） | 250mA | 0.35pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||
| CMF04（TE12L，Q，M） | 0.5300 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMF04 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 800 v | 2.5 V @ 500 mA | 100 ns | 50 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 500mA | - | ||||||||||||||
| CRS15I30A （TE85L，QM | 0.4500 | | 4972 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS15I30 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 460 mv @ 1.5 A | 60 µA @ 30 V | 150°C （最大） | 1.5a | 50pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||
 | HN4D02JU（TE85L，F） | 0.0721 | | 5848 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 | HN4D02 | 标准 | USV | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对普通阴极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 1.6 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C （最大） | ||||||||||||||
 | CCS15S30，L3F | 0.3800 | | 51 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，没有铅 | CCS15S30 | 肖特基 | CST2C | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 20 v | 400 mV @ 1 A | 500 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 1.5a | 200pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||
 | TBAV70，LM | 0.2100 | | 280 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOT-23-3平线 | TBAV70 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 1对普通阴极 | 80 V | 215ma | - | |||||||||||||||||
| CMG07（TE12L，Q，M） | - | | 8148 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SOD-128 | CMG07 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | CMG07（TE12LQM） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 400 v | 100 ns | - | 1a | - | |||||||||||||||
| CRZ47 （TE85L，Q，M） | 0.4900 | | 4033 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ47 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 37.6 V | 47 V | 65欧姆 | ||||||||||||||||
| cuhs20f60，H3F | 0.3600 | | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，平坦的铅 | 肖特基 | US2H | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 60 V | 590 mv @ 2 a | 70 µA @ 60 V | 150°C | 2a | 300pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
| CUS10I40A （TE85L，QM | - | | 1671年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS10I40 | 肖特基 | US-FLAT（1.25x2.5） | 下载 | Rohs符合条件 | CUS10I40A （TE85LQM | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 490 mv @ 700 mA | 60 µA @ 40 V | 150°C （最大） | 1a | 35pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||
 | TBAV99，LM | 0.2000 | | 25 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | TBAV99 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 100mA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | ||||||||||||||
| 1SV285TPH3F | 0.0834 | | 9414 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | 1SV285 | ESC键 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 2.35pf @ 4V，1MHz | 单身的 | 10 v | 2.3 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||
 | 1SV310TPH3F | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | 1SV310 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 5.45pf @ 4V，1MHz | 单身的 | 10 v | 2.1 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||
| cuhs15S60，H3F | 0.4900 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，平坦的铅 | 肖特基 | US2H | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 60 V | 670 mv @ 1.5 A | 450 µA @ 60 V | 150°C | 1.5a | 130pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
| CMG03A，LQ （M | - | | 7420 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 盒子 | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 600 v | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 600 V | 150°C | 2a | - | ||||||||||||||||||
| 1SV305，H3F | - | | 5855 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | 1SV305 | ESC键 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 6.6pf @ 4V，1MHz | 单身的 | 10 v | 3 | C1/C4 | - | |||||||||||||||||
| 1SS396，LF | 0.3900 | | 13 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1SS396 | 肖特基 | S-Mini | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 70mA | 360 mv @ 10 mA | 5 µA @ 40 V | 125°c （最大） | |||||||||||||||
| 1SV311（tph3，f） | 0.0886 | | 4129 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | 1SV311 | ESC键 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 5.45pf @ 4V，1MHz | 单身的 | 10 v | 2.1 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||
| TRS3E65H，S1Q | 1.6100 | | 400 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC （碳化硅） | TO-220-2L | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 264-TRS3E65H，S1Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.35 V @ 3 A | 0 ns | 45 µA @ 650 V | 175°C | 3a | 199pf @ 1V，1MHz |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
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