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二极管（（421）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | 二极管配置 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电流 -io（io）（每个二极管） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向（最大） | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 电阻 @ if，f | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr，f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DSF01S30SC，L3F | - |  | 4466 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | 0201（0603公制） | DSF01S30 | 肖特基 | SC2 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | DSF01S30SCL3F | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 30 V | 500 mv @ 100 ma | 50 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 100mA | 9.3pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
 | CMH02A（TE12L，Q，M） | - | | 2840 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SOD-128 | CMH02A | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | CMH02A（TE12LQM） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 400 v | 1.8 V @ 3 A | 100 ns | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||
| CMF05（TE12L，Q，M） | 0.5300 | | 25 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMF05 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | 4 （72小时） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 1000 v | 2.7 V @ 500 mA | 100 ns | 50 µA @ 800 V | -40°C〜125°C | 500mA | - | ||||||||||||||||
 | CCS15F40，L3F | 0.4800 | | 49 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，没有铅 | CCS15F40 | 肖特基 | CST2C | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 640 mv @ 1.5 A | 25 µA @ 40 V | 150°C （最大） | 1.5a | 130pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
 | HN1D02FU，LF | 0.4400 | | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | HN1D02 | 标准 | US6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 2对普通阴极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | ||||||||||||||||
| CRS30I30A （TE85L，QM | 0.5000 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS30I30 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 490 mv @ 3 a | 100 µA @ 30 V | 150°C （最大） | 3a | 82pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||||
 | JDH2S02SL，L3F | 0.4200 | | 7 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，没有铅 | JDH2S02 | 肖特基 | SL2 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 10 v | 25 µA @ 500 mV | 125°c （最大） | 10mA | 0.25pf @ 200mv，1MHz | ||||||||||||||||||
 | TRS12E65F，S1Q | 5.4900 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | TRS12E65 | SIC （碳化硅） | TO-220-2L | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 90 µA @ 650 V | 175°c （最大） | 12a | 65pf @ 650V，1MHz | ||||||||||||||||
| CMH04（TE12L，Q，M） | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMH04 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 200 v | 980 mv @ 1 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||
 | 1SV307（tph3，f） | 0.4300 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | SC-76，SOD-323 | 1SV307 | 南加州大学 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50 mA | 0.5pf @ 1V，1MHz | PIN-单 | 30V | 1.5OHM @ 10mA，100MHz | ||||||||||||||||||||
| DSF07S30U（tph3，f） | - | | 5138 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | DSF07 | 肖特基 | 南加州大学 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 450 mv @ 700 mA | 50 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 700mA | 170pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||||
| 1SV229TPH3F | 0.3800 | | 9260 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | 1SV229 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 6.5pf @ 10V，1MHz | 单身的 | 15 v | 2.5 | C2/C10 | - | ||||||||||||||||||
 | 1SS360，LJ（ct | 0.2300 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-75，SOT-416 | 1SS360 | 标准 | SSM | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对公共阳极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | ||||||||||||||||
 | 1SS403E，L3F | 0.3200 | | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | 1SS403 | 标准 | ESC键 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 200 v | 1.2 V @ 100 ma | 60 ns | 1 µA @ 200 V | 150°C （最大） | 100mA | 3pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
| CRZ18 （TE85L，Q，M） | 0.4900 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ18 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 13 V | 18 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
| CCS15S30，L3QUF | - | | 1834年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，没有铅 | CCS15S30 | 肖特基 | CST2C | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 20 v | 400 mV @ 1 A | 500 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 1.5a | 200pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
| CRZ12（TE85L，Q） | - | | 7495 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | ±10％ | -40°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | CRZ12 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | （1 （无限） | CRZ12TR-NDR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 8 V | 12 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
| CRS15I30A （TE85L，QM | 0.4500 | | 4972 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS15I30 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 460 mv @ 1.5 A | 60 µA @ 30 V | 150°C （最大） | 1.5a | 50pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||||
| CRZ30 （TE85L，Q，M） | 0.4900 | | 9098 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ30 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 21 V | 30 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
 | CUS10I40A （TE85L，QM | - | | 1671年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS10I40 | 肖特基 | US-FLAT（1.25x2.5） | 下载 | Rohs符合条件 | CUS10I40A （TE85LQM | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 490 mv @ 700 mA | 60 µA @ 40 V | 150°C （最大） | 1a | 35pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||||
| HN2D02FU，LF | 0.4000 | | 310 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | HN2D02 | 标准 | US6 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 3独立 | 80 V | 80mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | ||||||||||||||||
 | TRS4A65F，S1Q | 2.3700 | | 24 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | TRS4A65 | SIC （碳化硅） | TO-220F-2L | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.6 V @ 4 A | 0 ns | 20 µA @ 650 V | 175°c （最大） | 4a | 16pf @ 650V，1MHz | ||||||||||||||||||
| 1SS367，H3F | 0.2000 | | 63 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | 1SS367 | 肖特基 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 10 v | 500 mv @ 100 ma | 20 µA @ 10 V | 125°c （最大） | 100mA | 40pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
 | TBAT54，LM | 0.2100 | | 545 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | TBAT54 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 30 V | 580 mv @ 100 ma | 1.5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C （最大） | 140mA | - | ||||||||||||||||
| CRS08（TE85L） | - | | 9469 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS08 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 360 mV @ 1.5 A | 1 ma @ 30 V | -40°C〜125°C | 1.5a | - | |||||||||||||||||
| CRS14 （TE85L，Q，M） | 0.1462 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS14 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 490 mv @ 2 a | 50 µA @ 30 V | -40°C〜150°C | 2a | 90pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||||
| CMS02（TE12L） | - | | 6247 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | SOD-128 | CMS02 | 肖特基 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 400 mv @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -40°C〜125°C | 3a | - | |||||||||||||||||
| CRZ13 （TE85L，Q，M） | 0.4900 | | 3970 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ13 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 9 V | 13 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
| CMZ20 （TE12L，Q，M） | 0.5400 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-128 | CMZ20 | 2 w | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 14 V | 20 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
| 1SS187，LF | 0.2200 | | 4171 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1SS187 | 标准 | S-Mini | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 80 V | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | 100mA | 4pf @ 0v，1MHz |
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