分区(421)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	当前 - 最大	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	电阻@If,F	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
CMS09(TE12L,Q,M)	0.5300	询价	4497	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMS09	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		450毫伏@1安		30V时为500μA	-40℃～150℃	1A	70pF@10V、1MHz
TRS12A65F,S1Q	5.4900	询价	28	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2全包	TRS12A65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-220F-2L	-			EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)			650伏		1.6V@12A	0纳秒	60μA@650V	175℃（最高）	12A	44pF@650V，1MHz
1SV307(TPH3,F)	0.4300	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）		SC-76、SOD-323	1SV307			南加州大学	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000		50毫安									0.5pF@1V、1MHz	PIN-单个	30V			1.5欧姆@10mA，100MHz
CCS15F40,L3F	0.4800	询价	49	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，无铅	CCS15F40	肖特基		CST2C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			40V		640毫伏@1.5安		40V时为25μA	150℃（最高）	1.5A	130pF @ 0V、1MHz
1SS308(TE85L,F	0.4300	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74A、SOT-753	1SS308	标准		SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		4共阳极	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
1SS367，H3F	0.2000	询价	63	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	1SS367	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			10V		500 毫伏 @ 100 毫安		10V时为20μA	125℃（最高）	100毫安	40pF @ 0V、1MHz
1SS427，L3M	0.2700	询价	55	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-923	1SS427	标准		SOD-923	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	10,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			80V		1.2V@100mA	1.6纳秒	80V时为500nA	-55℃～150℃	100毫安	0.3pF @ 0V、1MHz
1SV279，H3F	0.4800	询价	1082	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV279			ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	4,000											6.5pF@10V、1MHz	单身的	15V				2.5	C2/C10	-
CCS15S30，L3QUF	-	询价	1834年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，无铅	CCS15S30	肖特基		CST2C	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			20V		400毫伏@1安		30V时为500μA	125℃（最高）	1.5A	200pF @ 0V、1MHz
CRS15I30A(TE85L,QM	0.4500	询价	4972	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS15I30	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		460毫伏@1.5安		30V时为60μA	150℃（最高）	1.5A	50pF@10V，1MHz
JDV2S10FS(TPL3)	0.4100	询价	第398章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	2-SMD，写入	JDV2S10			森林管理委员会	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	10,000											3.4pF@2.5V，1MHz	单身的	10V				2.55	C0.5/C2.5	-
HN4D02JU(TE85L,F)	0.0721	询价	5848	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	HN4D02	标准		无人艇	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		1对共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	1.6纳秒	80V时为500nA	150℃（最高）
CRS14(TE85L,Q,M)	0.1462	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS14	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		490 毫伏 @ 2 安		30V时为50μA	-40℃～150℃	2A	90pF@10V，1MHz
CLS03(TE16L、PCD、Q)	-	询价	5355	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS03	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			60V		580毫伏@10安		1毫安@60伏	-40℃～125℃	10A	345pF@10V、1MHz
CRG01(TE85L,Q,M)	-	询价	9551	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOD-123F	CRG01	标准		S-平面 (1.6x3.5)	-	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	3,000	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)			100伏		1.1V@700mA		10μA@100V	-40℃～150℃	700毫安	-
1SS381，L3F	0.0540	询价	6469	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		125°C（太焦）		SC-79、SOD-523	1SS381			ESC键	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	8,000		100毫安									1.2pF@6V、1MHz	PIN-单个	30V			900mOhm@2mA，100MHz
1SS360(T5L,F,T)	-	询价	2413	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-75、SOT-416	1SS360	标准		SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		1对共阳极	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
BAS516,H3F	0.1800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-79、SOD-523	BAS516	标准		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	4,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			100伏		1.25V@150mA	3纳秒	80V时为200nA	150℃（最高）	250毫安	0.35pF @ 0V、1MHz
JDP4P02AT(TE85L)	-	询价	5762	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		4-SMD，无铅	JDP4P02			CST4 (1.2x0.8)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	4,000		50毫安									0.4pF@1V、1MHz	PIN-2 独立	30V			1.5欧姆@10mA，100MHz
CBS10F40,L3F	0.4300	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-882	CBS10F40	肖特基		CST2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			40V		700毫伏@1安		40V时为20μA	150℃（最高）	1A	74pF @ 0V、1MHz
CUS05F40,H3F	0.3000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS05F40	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			40V		810 毫伏 @ 500 毫安		40V时为15μA	150℃（最高）	500毫安	28pF @ 0V、1MHz
CRS13(TE85L,Q,M)	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS13	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			60V		550毫伏@1安		50μA@60V	150℃（最高）	1A	40pF@10V、1MHz
CMZ16(TE12L,Q,M)	0.5400	询价	4384	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-128	CMZ16		2W	M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0050	3,000						1.2V@200mA		11V时为10μA						16V	30欧姆
CMS30I30A(TE12L,QM	0.5900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMS30	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		490毫伏 @ 3安		30V时为100μA	150℃（最高）	3A	82pF@10V、1MHz
TBAV70,LM	0.2100	询价	280	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-23-3 读写	TBAV70	标准		SOT-23-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)		1对共轴线	80V	215毫安				-
CUHS20F30,H3F	0.3600	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入	CUHS20	肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		470毫伏@2安		30V时为60μA	150℃（最高）	2A	380pF @ 0V、1MHz
CMF04(TE12L,Q,M)	0.5300	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMF04	标准		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			800V		2.5V@500mA	100纳秒	800V时为50μA	-40℃～150℃	500毫安	-
HN2D02FU,LF	0.4000	询价	310	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN2D02	标准		美国6号	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		3 独立	80V	80毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
1SS403E，L3F	0.3200	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-79、SOD-523	1SS403	标准		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			200V		1.2V@100mA	60纳秒	1μA@200V	150℃（最高）	100毫安	3pF@0V、1MHz
CMZ20(TE12L,Q,M)	0.5400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-128	CMZ20		2W	M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0050	3,000						1.2V@200mA		14V时为10μA						20V	30欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分区(421)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²