分区(421)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	当前 - 最大	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	电阻@If,F
CUS10F40、H3F	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS10F40	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			40V		670 毫伏 @ 1 安		40V时为20μA	150℃（最高）	1A	74pF @ 0V、1MHz
CBS05F30,L3F	0.3900	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，无铅	CBS05F30	肖特基		CST2B	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V				30V时为50μA	125℃（最高）	500毫安	118pF @ 0V、1MHz
CMS08(TE12L,Q,M)	0.5300	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMS08	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		370毫伏 @ 3安		1.5毫安@30伏	-40℃～125℃	1A	70pF@10V、1MHz
CRZ12(TE85L,Q)	-	询价	7495	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	±10%	-40℃～150℃	表面贴装	SOD-123F	CRZ12		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载		1（无限制）	CRZ12TR-NDR	EAR99	8541.10.0050	3,000						1V@200mA		8V时为10μA						12V	30欧姆
1SV271TPH3F	-	询价	8514	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		125°C（太焦）		SC-76、SOD-323	1SV271			南加州大学	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		50毫安									0.4pF@50V，1MHz	PIN-单个	50V			4.5欧姆@10mA，100MHz
CMH04(TE12L,Q,M)	0.4500	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMH04	标准		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			200V		980毫伏@1安	35纳秒	10μA@200V	-40℃～150℃	1A	-
CUHS20F60,H3F	0.3600	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入		肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			60V		590毫伏@2安		60V时为70μA	150℃	2A	300pF @ 0V、1MHz
CUHS20S30,H3F	0.3700	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入	CUHS20	肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		410毫伏@2安		30V时为500μA	150℃（最高）	2A	390pF @ 0V、1MHz
CUS520、H3F	0.2000	询价	707	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS520	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		280毫伏@10毫安		30V时为5μA	125℃（最高）	200毫安	17pF@0V、1MHz
1SS372(TE85L,F)	0.3700	询价	13	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	1SS372	肖特基		USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			10V		500 毫伏 @ 100 毫安		10V时为20μA	125℃（最高）	100毫安	20pF @ 0V、1MHz
CRS10I40A(TE85L,QM	0.4700	询价	3740	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS10I40	标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)			40V		490 毫伏 @ 700 毫安		60μA@40V	150℃（最高）	1A	35pF@10V，1MHz
CRH01(TE85L)	-	询价	9197	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的			表面贴装	SOD-123F	CRH01	标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			200V		980毫伏@1安	35纳秒	10μA@200V	-40℃～150℃	1A	-
CRZ12(TE85L,Q,M)	0.4900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-123F	CRZ12		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000						1V@200mA		8V时为10μA						12V	30欧姆
CRG02(TE85L,Q,M)	-	询价	第1132章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOD-123F	CRG02	标准		S-平面 (1.6x3.5)	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)			400V		1.1V@700mA		400V时为10μA	-40℃～150℃	700毫安	-
1SS374(TE85L,F)	0.3700	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS374	肖特基		SC-59	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		1对中央	10V	100毫安	500 毫伏 @ 100 毫安		10V时为20μA	125℃（最高）
CLH05(T6L,NKOD,Q)	-	询价	1913年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLH05	标准		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			200V		980毫伏@5安	35纳秒	10μA@200V	-40℃～150℃	5A	-
CLS03(TE16L,DNSO,Q	-	询价	9888	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS03	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			60V		580毫伏@10安		1毫安@60伏	-40℃～125℃	10A	345pF@10V、1MHz
CRY91(TE85L,Q,M)	-	询价	2201	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	±10%	-40℃～150℃	表面贴装	SOD-123F	哭91		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000						1V@200mA		5.5V时为10μA						9.1V	30欧姆
JDH2S02FSTPL3	0.4600	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		125°C（太焦）		2-SMD，写入	JDH2S02			森林管理委员会	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000		10毫安									0.3pF@0.2V，1MHz	肖特基 - 单	10V			-
CMZ20(TE12L,Q,M)	0.5400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-128	CMZ20		2W	M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000						1.2V@200mA		14V时为10μA						20V	30欧姆
1SS403E，L3F	0.3200	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-79、SOD-523	1SS403	标准		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			200V		1.2V@100mA	60纳秒	1μA@200V	150℃（最高）	100毫安	3pF @ 0V、1MHz
HN1D02F(TE85L,F)	0.4700	询价	9292	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74、SOT-457	HN1D02	标准		SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		2对共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	-55℃～125℃
CES520，L3F	0.1800	询价	16	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-79、SOD-523	CES520	肖特基		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			30V		600 毫伏 @ 200 毫安		30V时为5μA	125℃（最高）	200毫安	17pF@0V、1MHz
TRS12E65F,S1Q	5.4900	询价	3	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2	TRS12E65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)			650伏		1.7V@12A	0纳秒	650V时为90μA	175℃（最高）	12A	65pF@650V，1MHz
CUHS20S60,H3F	0.3600	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入		肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			60V		530毫伏@2安		60V时为650μA	150℃	2A	290pF @ 0V、1MHz
TRS20N65FB,S1Q	6.4400	询价	9973	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-247-3	TRS20N65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-247	-		1（无限制）	264-TRS20N65FBS1Q	EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)		1对共轴线	650伏	10A（直流）	1.6V@10A	0纳秒	50μA@650V	175℃
1SS302A，低频	0.2200	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	1SS302	标准		SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		1对中央	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	-55℃～150℃
CRZ24(TE85L,Q,M)	0.1740	询价	1286	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-123F	CRZ24		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000						1V@200mA		17V时为10μA						24V	30欧姆
TRS12E65C,S1Q	-	询价	6681	东芝半导体和存储	-	管子	过时的			通孔	TO-220-2	TRS12E65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)			650伏		1.7V@12A	0纳秒	170V时为90μA	175℃（最高）	12A	65pF@650V，1MHz
1SS362FV，L3F	0.2000	询价	140	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	1SS362	标准		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		1对中央	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	150℃（最高）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分区(421)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²