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二极管（（421）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | 二极管配置 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电流 -io（io）（每个二极管） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向（最大） | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 电阻 @ if，f | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr，f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CMF04（TE12L，Q，M） | 0.5300 |  | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMF04 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 800 v | 2.5 V @ 500 mA | 100 ns | 50 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 500mA | - | ||||||||||||||||
| CRS08（TE85L） | - | | 9469 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS08 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 360 mV @ 1.5 A | 1 ma @ 30 V | -40°C〜125°C | 1.5a | - | |||||||||||||||||
 | BAS516，H3F | 0.1800 | | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | BAS516 | 标准 | ESC键 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 3 ns | 200 na @ 80 V | 150°C （最大） | 250mA | 0.35pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
 | Bav70，LM | 0.2100 | | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | BAV70 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 1对普通阴极 | 100 v | 215ma | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 200 na @ 80 V | 150°C （最大） | ||||||||||||||||
 | 1SS360，LJ（ct | 0.2300 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-75，SOT-416 | 1SS360 | 标准 | SSM | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对公共阳极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | ||||||||||||||||
| BAS316，H3F | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | BAS316 | 标准 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 3 ns | 200 na @ 80 V | 150°C （最大） | 250mA | 0.35pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
 | 1SS374（TE85L，F） | 0.3700 | | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1SS374 | 肖特基 | SC-59 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对系列连接 | 10 v | 100mA | 500 mv @ 100 ma | 20 µA @ 10 V | 125°c （最大） | |||||||||||||||||
| CLS02（TE16L，SQC，Q） | - | | 2120 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLS02 | 肖特基 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 550 mv @ 10 a | 1 mA @ 40 V | -40°C〜125°C | 10a | 420pf @ 10V，1MHz | ||||||||||||||||||
| CLH06（TE16L，Q） | - | | 9941 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLH06 | 标准 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 300 v | 35 ns | - | 5a | - | |||||||||||||||||||
| CRZ36 （TE85L，Q，M） | 0.4900 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ36 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 28.8 V | 36 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
 | CUS521，H3F | 0.2000 | | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS521 | 肖特基 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 30 V | 500 mV @ 200 ma | 30 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 200mA | 26pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
 | 1SS367，H3F | 0.2000 | | 63 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | 1SS367 | 肖特基 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 10 v | 500 mv @ 100 ma | 20 µA @ 10 V | 125°c （最大） | 100mA | 40pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
 | TRS8A65F，S1Q | 3.6600 | | 139 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | TRS8A65 | SIC （碳化硅） | TO-220F-2L | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.6 V @ 8 A | 0 ns | 40 µA @ 650 V | 175°c （最大） | 8a | 28pf @ 650V，1MHz | ||||||||||||||||||
| DSF07S30U（tph3，f） | - | | 5138 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | DSF07 | 肖特基 | 南加州大学 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 450 mv @ 700 mA | 50 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 700mA | 170pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||||
 | HN2S03T（TE85L） | - | | 3763 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | 4-SMD，平坦的铅 | HN2S03 | 肖特基 | tesq | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 2独立 | 20 v | 50mA | 550 mv @ 50 mA | 500 na @ 20 V | 125°c （最大） | ||||||||||||||||||
| CLS03（TE16L，PCD，Q） | - | | 5355 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLS03 | 肖特基 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 60 V | 580 mv @ 10 a | 1 mA @ 60 V | -40°C〜125°C | 10a | 345pf @ 10V，1MHz | ||||||||||||||||||
| CMH08（TE12L，Q，M） | - | | 9412 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SOD-128 | CMH08 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | Rohs符合条件 | CMH08（TE12LQM） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 400 v | 1.3 V @ 2 A | 100 ns | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||||||
| 1SS307（te85l，f） | 0.3700 | | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1SS307 | 标准 | S-Mini | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 30 V | 1.3 V @ 100 mA | 10 na @ 30 V | 125°c （最大） | 100mA | 6pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
 | CBS05F30，L3F | 0.3900 | | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，没有铅 | CBS05F30 | 肖特基 | CST2B | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 50 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 500mA | 118pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||||
 | TBAT54，LM | 0.2100 | | 545 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | TBAT54 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 30 V | 580 mv @ 100 ma | 1.5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C （最大） | 140mA | - | ||||||||||||||||
| CRS20I30B （TE85L，QM | 0.4900 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS20I30 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 450 mv @ 2 a | 100 µA @ 30 V | 150°C （最大） | 2a | 82pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||||
| 1SS360 （T5L，F，T） | - | | 2413 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-75，SOT-416 | 1SS360 | 标准 | SSM | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对公共阳极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | ||||||||||||||||
 | cuhs20f30，H3F | 0.3600 | | 10 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，平坦的铅 | CUHS20 | 肖特基 | US2H | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 470 mv @ 2 a | 60 µA @ 30 V | 150°C （最大） | 2a | 380pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
| CUHS20S30，H3F | 0.3700 | | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，平坦的铅 | CUHS20 | 肖特基 | US2H | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 410 mv @ 2 a | 500 µA @ 30 V | 150°C （最大） | 2a | 390pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
| 1SV307（tph3，f） | 0.4300 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | SC-76，SOD-323 | 1SV307 | 南加州大学 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50 mA | 0.5pf @ 1V，1MHz | PIN-单 | 30V | 1.5OHM @ 10mA，100MHz | ||||||||||||||||||||
 | TRS12E65F，S1Q | 5.4900 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | TRS12E65 | SIC （碳化硅） | TO-220-2L | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 90 µA @ 650 V | 175°c （最大） | 12a | 65pf @ 650V，1MHz | ||||||||||||||||
| CLH05，LMBJQ（o | - | | 5120 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLH05 | 标准 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 200 v | 980 mv @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||||
| CRZ12（TE85L，Q） | - | | 7495 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | ±10％ | -40°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | CRZ12 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | （1 （无限） | CRZ12TR-NDR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 8 V | 12 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
| 1SV277TPH3F | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | 1SV277 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 2.35pf @ 4V，1MHz | 单身的 | 10 v | 2.3 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||||
| CRS15I30A （TE85L，QM | 0.4500 | | 4972 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS15I30 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 460 mv @ 1.5 A | 60 µA @ 30 V | 150°C （最大） | 1.5a | 50pf @ 10V，1MHz |
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