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参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 当前 - 最大 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰（最大） 电压 - 齐纳分化（标称）(Vz) 阻抗（最大）(Zzt) 电阻@If,F
CUS05S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S40,H3F 0.3200
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 ECAD 105 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-76、SOD-323 CUS05S40 肖特基 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 350毫伏@100毫安 10V时为30μA 125℃（最高） 500毫安 42pF @ 0V、1MHz
CMZ18(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ18(TE12L,Q,M) 0.5400
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 ECAD 1725 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOD-128 CMZ18 2W M-平 (2.4x3.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1.2V@200mA 13V时为10μA 18V 30欧姆
CRS01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS01(TE85L) -
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 ECAD 2998 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 表面贴装 SOD-123F CRS01 肖特基 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 360毫伏@1安 1.5毫安@30伏 -40℃～125℃ 1A -
CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ13(TE85L,Q,M) 0.4900
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 ECAD 3970 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOD-123F CRZ13 700毫W S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1V@200mA 9V时为10μA 13伏 30欧姆
CLH06(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH06(TE16L,Q) -
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 ECAD 9941 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面贴装 L-薄™ CLH06 标准 L-FLAT™ (4x5.5) 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 300伏 35纳秒 - 5A -
CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ36(TE85L,Q,M) 0.4900
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOD-123F CRZ36 700毫W S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1V@200mA 28.8V时为10μA 36V 30欧姆
HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03T(TE85L) -
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 ECAD 3763 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 4-SMD，写入 HN2S03 肖特基 TESQ - 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 4,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 2 独立 20V 50毫安 550 毫伏 @ 50 毫安 20V时为500nA 125℃（最高）
DSF01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC,L3F -
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 ECAD 4466 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 0201（0603 公制） DSF01S30 肖特基 SC2 下载 符合RoHS标准 1（无限制） DSF01S30SCL3F EAR99 8541.10.0070 10,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 30V 500 毫伏 @ 100 毫安 30V时为50μA 125℃（最高） 100毫安 9.3pF @ 0V、1MHz
TBAT54,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAT54,LM 0.2100
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 ECAD 第545章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 TBAT54 肖特基 SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 30V 580 毫伏 @ 100 毫安 1.5纳秒 2μA@25V 150℃（最高） 140毫安 -
CUS521,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS521，H3F 0.2000
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-76、SOD-323 CUS521 肖特基 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 30V 500 毫伏 @ 200 毫安 30V@30μA 125℃（最高） 200毫安 26pF @ 0V、1MHz
CRS04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS04(TE85L,Q,M) 0.4600
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 ECAD 112 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F CRS04 肖特基 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 510毫伏@1安 40V时为100μA -40℃～150℃ 1A 47pF@10V、1MHz
CMH02A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH02A(TE12L,Q,M) -
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 ECAD 2840 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SOD-128 CMH02A 标准 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） CMH02A(TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 400V 1.8V@3A 100纳秒 400V时为10μA -40℃～150℃ 3A -
CCS15S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30,L3F 0.3800
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 ECAD 51 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-SMD，无铅 CCS15S30 肖特基 CST2C 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 20V 400毫伏@1安 30V时为500μA 125℃（最高） 1.5A 200pF @ 0V、1MHz
CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG05(TE85L,Q,M) 0.4600
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 ECAD 6290 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F CRG05 标准 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 800V 1.2V@1A 800V时为10μA -40℃～150℃ 1A -
CMS30I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I40A(TE12L,QM 0.6100
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-128 CMS30 肖特基 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 550毫伏 @ 3安 40V时为100μA 150℃（最高） 3A 62pF@10V，1MHz
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H,S1Q 2.7600
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 ECAD 第395章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220-2L - 符合ROHS3标准 1（无限制） 264-TRS8E65H，S1Q EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.35V@8A 0纳秒 650V时为90μA 175℃ 8A 520pF@1V、1MHz
TRS8A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8A65F,S1Q 3.6600
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 ECAD 139 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全包 TRS8A65 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220F-2L - EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.6V@8A 0纳秒 40μA@650V 175℃（最高） 8A 28pF@650V，1MHz
CRZ39(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ39(TE85L,Q,M) 0.4900
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 ECAD 7342 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOD-123F CRZ39 700毫W S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1V@200mA 10μA@31.2V 39伏 35欧姆
CUHS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S40,H3F 0.4800
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-SMD，写入 CUHS15 肖特基 US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 510毫伏@1.5安 40V时为200μA 150℃（最高） 1.5A 170pF @ 0V、1MHz
CLS02(T6L,CLAR,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02(T6L,CLAR,Q) -
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 ECAD 2894 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面贴装 L-薄™ CLS02 肖特基 L-FLAT™ (4x5.5) 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 550毫伏@10安 1毫安@40伏 -40℃～125℃ 10A 420pF@10V、1MHz
CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F40、H3F 0.3300
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-76、SOD-323 CUS10F40 肖特基 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 670 毫伏 @ 1 安 40V时为20μA 150℃（最高） 1A 74pF @ 0V、1MHz
CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS05F30,L3F 0.3900
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-SMD，无铅 CBS05F30 肖特基 CST2B - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 10,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 30V时为50μA 125℃（最高） 500毫安 118pF @ 0V、1MHz
CMS08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS08(TE12L,Q,M) 0.5300
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-128 CMS08 肖特基 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 370毫伏 @ 3安 1.5毫安@30伏 -40℃～125℃ 1A 70pF@10V、1MHz
CRZ12(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ12(TE85L,Q) -
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 ECAD 7495 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 ±10% -40℃～150℃ 表面贴装 SOD-123F CRZ12 700毫W S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 1（无限制） CRZ12TR-NDR EAR99 8541.10.0050 3,000 1V@200mA 8V时为10μA 12V 30欧姆
CRS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30A(TE85L,QM 0.3800
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F CRS10I30 肖特基 S-平面 (1.​​​​6x3.5) - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 390毫伏@700毫安 30V时为60μA 150℃ 1A 50pF@10V，1MHz
1SV271TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV271TPH3F -
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 ECAD 8514 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 125°C（太焦） SC-76、SOD-323 1SV271 南加州大学 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 50毫安 0.4pF@50V，1MHz PIN-单个 50V 4.5欧姆@10mA，100MHz
CMH04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH04(TE12L,Q,M) 0.4500
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-128 CMH04 标准 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 980毫伏@1安 35纳秒 10μA@200V -40℃～150℃ 1A -
CUHS20F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20F60,H3F 0.3600
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-SMD，写入 肖特基 US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 60V 590毫伏@2安 60V时为70μA 150℃ 2A 300pF @ 0V、1MHz
CRS20I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30B(TE85L,QM 0.4900
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F CRS20I30 肖特基 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 450毫伏@2安 30V时为100μA 150℃（最高） 2A 82pF@10V、1MHz
CUHS20S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S30,H3F 0.3700
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-SMD，写入 CUHS20 肖特基 US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 410毫伏@2安 30V时为500μA 150℃（最高） 2A 390pF @ 0V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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