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二极管（（421）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | 二极管配置 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电流 -io（io）（每个二极管） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向（最大） | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 电阻 @ if，f | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr，f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1SV229TPH3F | 0.3800 |  | 9260 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | 1SV229 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 6.5pf @ 10V，1MHz | 单身的 | 15 v | 2.5 | C2/C10 | - | ||||||||||||||||||
 | 1SV279，H3F | 0.4800 | | 1082 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | 1SV279 | ESC键 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 6.5pf @ 10V，1MHz | 单身的 | 15 v | 2.5 | C2/C10 | - | ||||||||||||||||||
 | Cry75（te85l，Q，m） | - | | 7359 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | ±10％ | -40°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | Cry75 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 4.5 V | 7.5 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||||
| CMF02（TE12L，Q，M） | - | | 3945 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SOD-128 | CMF02 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | CMF02（TE12LQM） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 600 v | 2 V @ 1 A | 50 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||
| 1SV271TPH3F | - | | 8514 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 125°C（TJ） | SC-76，SOD-323 | 1SV271 | 南加州大学 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 50 mA | 0.4pf @ 50V，1MHz | PIN-单 | 50V | 4.5OHM @ 10mA，100MHz | ||||||||||||||||||||
 | 1SV308（th3，f） | - | | 8277 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | （CT） | 过时的 | 125°C（TJ） | SC-79，SOD-523 | 1SV308 | ESC键 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 50 mA | 0.5pf @ 1V，1MHz | PIN-单 | 30V | 1.5OHM @ 10mA，100MHz | |||||||||||||||||||||
| CMS09（TE12L，Q，M） | 0.5300 | | 4497 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMS09 | 肖特基 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 450 MV @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -40°C〜150°C | 1a | 70pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||||
 | CUS05F40，H3F | 0.3000 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS05F40 | 肖特基 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 810 MV @ 500 mA | 15 µA @ 40 V | 150°C （最大） | 500mA | 28pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
 | 1SS302A，LF | 0.2200 | | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-70，SOT-323 | 1SS302 | 标准 | SC-70 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||
 | CUS05S40，H3F | 0.3200 | | 105 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS05S40 | 肖特基 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 350 mv @ 100 ma | 30 µA @ 10 V | 125°c （最大） | 500mA | 42pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
| CRS14 （TE85L，Q，M） | 0.1462 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS14 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 490 mv @ 2 a | 50 µA @ 30 V | -40°C〜150°C | 2a | 90pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||||
 | JDP4P02AT（TE85L） | - | | 5762 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 4-SMD，没有铅 | JDP4P02 | CST4（1.2x0.8） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 50 mA | 0.4pf @ 1V，1MHz | 引脚-2独立 | 30V | 1.5OHM @ 10mA，100MHz | |||||||||||||||||||||
 | HN1D03FU，LF | 0.3700 | | 35 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | HN1D03 | 标准 | US6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 2对CA + CC | 80 V | 80mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | ||||||||||||||||
| CLH02（TE16L，Q） | - | | 5715 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLH02 | 标准 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 300 v | 1.3 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -40°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||
| CRG05（TE85L，Q，M） | 0.4600 | | 6290 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRG05 | 标准 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 800 v | 1.2 V @ 1 A | 10 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||
| CRS04 （TE85L，Q，M） | 0.4600 | | 112 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS04 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 510 MV @ 1 A | 100 µA @ 40 V | -40°C〜150°C | 1a | 47pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||||
| CMS02（TE12L） | - | | 6247 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | （CT） | 过时的 | 表面安装 | SOD-128 | CMS02 | 肖特基 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 400 mv @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -40°C〜125°C | 3a | - | |||||||||||||||||
| 1SS389，L3F | 0.2000 | | 3437 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | 1SS389 | 肖特基 | ESC键 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 10 v | 500 mv @ 100 ma | 20 µA @ 10 V | 125°c （最大） | 100mA | 40pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
| CMS08（TE12L，Q，M） | 0.5300 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMS08 | 肖特基 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 370 mv @ 3 a | 1.5 ma @ 30 V | -40°C〜125°C | 1a | 70pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||||
| CMF04（TE12L，Q，M） | 0.5300 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMF04 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 800 v | 2.5 V @ 500 mA | 100 ns | 50 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 500mA | - | ||||||||||||||||
| BAS516，H3F | 0.1800 | | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | BAS516 | 标准 | ESC键 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 3 ns | 200 na @ 80 V | 150°C （最大） | 250mA | 0.35pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
 | 1SS360，LJ（ct | 0.2300 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-75，SOT-416 | 1SS360 | 标准 | SSM | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对公共阳极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | ||||||||||||||||
| BAS316，H3F | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | BAS316 | 标准 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 3 ns | 200 na @ 80 V | 150°C （最大） | 250mA | 0.35pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
| CLS02（TE16L，SQC，Q） | - | | 2120 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLS02 | 肖特基 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 550 mv @ 10 a | 1 mA @ 40 V | -40°C〜125°C | 10a | 420pf @ 10V，1MHz | ||||||||||||||||||
| CRZ36 （TE85L，Q，M） | 0.4900 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ36 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 28.8 V | 36 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
 | TRS8A65F，S1Q | 3.6600 | | 139 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | TRS8A65 | SIC （碳化硅） | TO-220F-2L | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.6 V @ 8 A | 0 ns | 40 µA @ 650 V | 175°c （最大） | 8a | 28pf @ 650V，1MHz | ||||||||||||||||||
| DSF07S30U（tph3，f） | - | | 5138 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | DSF07 | 肖特基 | 南加州大学 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 450 mv @ 700 mA | 50 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 700mA | 170pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||||
| HN2S03T（TE85L） | - | | 3763 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | 4-SMD，平坦的铅 | HN2S03 | 肖特基 | tesq | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 2独立 | 20 v | 50mA | 550 mv @ 50 mA | 500 na @ 20 V | 125°c （最大） | ||||||||||||||||||
| CLS03（TE16L，PCD，Q） | - | | 5355 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLS03 | 肖特基 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 60 V | 580 mv @ 10 a | 1 mA @ 60 V | -40°C〜125°C | 10a | 345pf @ 10V，1MHz | ||||||||||||||||||
| CMH08（TE12L，Q，M） | - | | 9412 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SOD-128 | CMH08 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | Rohs符合条件 | CMH08（TE12LQM） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 400 v | 1.3 V @ 2 A | 100 ns | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 2a | - |
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