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参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 当前 - 最大 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰（最大） 电压 - 齐纳分化（标称）(Vz) 阻抗（最大）(Zzt) 电阻@If,F 电容比 电容比条件 Q@Vr，F
1SV277TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV277TPH3F 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 125°C（太焦） 表面贴装 SC-76、SOD-323 1SV277 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 2.35pF @ 4V、1MHz 单身的 10V 2.3 C1/C4 -
CMG06A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMG06A,LQ(M -
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 ECAD 9033 0.00000000 东芝半导体和存储 - 盒子 的积极 表面贴装 SOD-128 标准 M-平 (2.4x3.8) 下载 EAR99 8541.10.0080 1 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 600伏 1.1V@1A 5μA@600V 150℃ 1A -
CRZ18(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ18(TE85L,Q,M) 0.4900
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOD-123F CRZ18 700毫W S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1V@200mA 13V时为10μA 18V 30欧姆
1SS360,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS360，LJ（CT） 0.2300
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-75、SOT-416 1SS360 标准 SSM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 1对共阳极 80V 100毫安 1.2V@100mA 4纳秒 80V时为500nA 125℃（最高）
CUS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I40A(TE85L,QM -
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 ECAD 第1671章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-76、SOD-323 CUS10I40 肖特基 美式床单 (1.25x2.5) 下载 符合RoHS标准 CUS10I40A(TE85LQM EAR99 8541.10.0080 4,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 490 毫伏 @ 700 毫安 60μA@40V 150℃（最高） 1A 35pF@10V，1MHz
1SS389,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS389，L3F 0.2000
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 ECAD 3437 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-79、SOD-523 1SS389 肖特基 ESC键 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 8,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 10V 500 毫伏 @ 100 毫安 10V时为20μA 125℃（最高） 100毫安 40pF @ 0V、1MHz
BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS316、H3F 0.1800
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-76、SOD-323 BAS316 标准 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 100伏 1.25V@150mA 3纳秒 80V时为200nA 150℃（最高） 250毫安 0.35pF @ 0V、1MHz
CRS30I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS30I30A(TE85L,QM 0.5000
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F CRS30I30 肖特基 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 490毫伏 @ 3安 30V时为100μA 150℃（最高） 3A 82pF@10V、1MHz
CLH02(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH02(TE16L,Q) -
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 ECAD 5715 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面贴装 L-薄™ CLH02 标准 L-FLAT™ (4x5.5) 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 300伏 1.3V@3A 35纳秒 10μA@300V -40℃～150℃ 3A -
1SS187,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS187，LF 0.2200
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 ECAD 4171 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 1SS187 标准 S-迷你型 - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 80V 1.2V@100mA 4纳秒 80V时为500nA 125℃（最高） 100毫安 4pF@0V、1MHz
1SS319(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS319(TE85L,F) 0.4000
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-61AA 1SS319 肖特基 SC-61B 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 2 独立 40V 100毫安 600 毫伏 @ 100 毫安 5μA@40V 125℃（最高）
BAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage BAV70，LM 0.2100
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 巴夫70 标准 SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 100伏 215毫安 1.25V@150mA 4纳秒 80V时为200nA 150℃（最高）
CMS02(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS02(TE12L) -
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 ECAD 6247 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 表面贴装 SOD-128 CMS02 肖特基 M-平 (2.4x3.8) 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 400毫伏@3安 30V时为500μA -40℃～125℃ 3A -
CUHS20F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20F60,H3F 0.3600
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-SMD，写入 肖特基 US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 60V 590毫伏@2安 60V时为70μA 150℃ 2A 300pF @ 0V、1MHz
CMH04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH04(TE12L,Q,M) 0.4500
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-128 CMH04 标准 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 980毫伏@1安 35纳秒 10μA@200V -40℃～150℃ 1A -
CLS02(T6L,CLAR,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02(T6L,CLAR,Q) -
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 ECAD 2894 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面贴装 L-薄™ CLS02 肖特基 L-FLAT™ (4x5.5) 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 550毫伏@10安 1毫安@40伏 -40℃～125℃ 10A 420pF@10V、1MHz
CRZ39(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ39(TE85L,Q,M) 0.4900
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 ECAD 7342 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOD-123F CRZ39 700毫W S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1V@200mA 10μA@31.2V 39伏 35欧姆
CUHS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S40,H3F 0.4800
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-SMD，写入 CUHS15 肖特基 US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 510毫伏@1.5安 40V时为200μA 150℃（最高） 1.5A 170pF @ 0V、1MHz
CUHS20S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S30,H3F 0.3700
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-SMD，写入 CUHS20 肖特基 US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 410毫伏@2安 30V时为500μA 150℃（最高） 2A 390pF @ 0V、1MHz
1SV271TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV271TPH3F -
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 ECAD 8514 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 125°C（太焦） SC-76、SOD-323 1SV271 南加州大学 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 50毫安 0.4pF@50V，1MHz PIN-单个 50V 4.5欧姆@10mA，100MHz
CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG05(TE85L,Q,M) 0.4600
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 ECAD 6290 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F CRG05 标准 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 800V 1.2V@1A 800V时为10μA -40℃～150℃ 1A -
CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ13(TE85L,Q,M) 0.4900
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 ECAD 3970 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOD-123F CRZ13 700毫W S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1V@200mA 9V时为10μA 13V 30欧姆
CRS04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS04(TE85L,Q,M) 0.4600
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 ECAD 112 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F CRS04 肖特基 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 40V 510毫伏@1安 40V时为100μA -40℃～150℃ 1A 47pF@10V、1MHz
CLH06(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH06(TE16L,Q) -
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 ECAD 9941 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面贴装 L-薄™ CLH06 标准 L-FLAT™ (4x5.5) 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 300伏 35纳秒 - 5A -
CRG02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG02(TE85L,Q,M) -
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 ECAD 第1132章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SOD-123F CRG02 标准 S-平面 (1.​​​​6x3.5) - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 400V 1.1V@700mA 400V时为10μA -40℃～150℃ 700毫安 -
1SS372(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS372(TE85L,F) 0.3700
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 ECAD 13 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-70、SOT-323 1SS372 肖特基 USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 10V 500 毫伏 @ 100 毫安 10V时为20μA 125℃（最高） 100毫安 20pF @ 0V、1MHz
CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A(TE85L,QM 0.4700
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 ECAD 3740 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F CRS10I40 标准 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 40V 490 毫伏 @ 700 毫安 60μA@40V 150℃（最高） 1A 35pF@10V，1MHz
CRZ12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ12(TE85L,Q,M) 0.4900
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOD-123F CRZ12 700毫W S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1V@200mA 8V时为10μA 12V 30欧姆
CRH01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01(TE85L) -
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 ECAD 9197 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 表面贴装 SOD-123F CRH01 标准 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 200V 980毫伏@1安 35纳秒 10μA@200V -40℃～150℃ 1A -
CRS01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS01(TE85L) -
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 ECAD 2998 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 表面贴装 SOD-123F CRS01 肖特基 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 30V 360毫伏@1安 1.5毫安@30伏 -40℃～125℃ 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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