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二极管（（421）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电流 -io（io）（每个二极管） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1SS423（te85l，f） | 0.4400 |  | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-75，SOT-416 | 1SS423 | 肖特基 | SSM | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 100mA | 620 MV @ 100 mA | 5 µA @ 40 V | 125°c （最大） | ||||||||||
 | 1SS413，L3M | 0.2700 | | 101 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，平坦的铅 | 1SS413 | 肖特基 | FSC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 20 v | 550 mv @ 50 mA | 500 na @ 20 V | 125°c （最大） | 50mA | 3.9pf @ 0v，1MHz | ||||||||||
 | CMS15（TE12L，Q，M） | 0.6800 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMS15 | 肖特基 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 60 V | 580 mv @ 3 a | 300 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 3a | 102pf @ 10V，1MHz | ||||||||||
| CMG06（TE12L，Q，M） | - | | 6508 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SOD-128 | CMG06 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | CMG06（TE12LQM） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 1a | - | |||||||||
 | TBAT54S，LM | 0.2100 | | 95 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | TBAT54 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对系列连接 | 30 V | 200mA | 580 mv @ 100 ma | 1.5 ns | 2 µA @ 25 V | -55°C〜150°C | |||||||||
 | CMS21（TE12L，Q，M） | 0.4900 | | 4683 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CMS21 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 0000.00.0000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
 | CUS551V30，H3F | 0.2700 | | 13 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS551 | 肖特基 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 470 mv @ 500 mA | 100 µA @ 20 V | 125°c （最大） | 500mA | - | ||||||||||
| CRZ22 （TE85L，Q，M） | - | | 8634 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ22 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | Rohs符合条件 | CRZ22（TE85LQM） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 16 V | 22 v | 30欧姆 | |||||||||||
| CRH01（TE85L，Q，M） | 0.5200 | | 54 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRH01 | 标准 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 200 v | 980 mv @ 1 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 1a | - | |||||||||
| Cry82 （TE85L，Q，m） | - | | 3176 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | ±10％ | -40°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | Cry82 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 4.9 V | 8.2 v | 30欧姆 | |||||||||||
 | CCS15S40，L3F | 0.3800 | | 48 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，没有铅 | CCS15S40 | 肖特基 | CST2C | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 550 MV @ 1.5 A | 200 µA @ 40 V | 125°c （最大） | 1.5a | 170pf @ 0v，1MHz | ||||||||||
| CLH02（TE16R，Q） | - | | 2543 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLH02 | 标准 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 300 v | 1.3 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -40°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||
 | 1SS413CT，L3F | 0.3000 | | 32 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-882 | 1SS413 | 肖特基 | SOD-882 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 20 v | 550 mv @ 50 mA | 500 na @ 20 V | -55°C〜125°C | 50mA | 3.9pf @ 0v，1MHz | ||||||||||
| CMS10I30A（TE12L，QM | 0.5700 | | 1159 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMS10 | 肖特基 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 360 mv @ 1 A | 100 µA @ 30 V | 150°C （最大） | 1a | 82pf @ 10V，1MHz | ||||||||||
| CMS14（TE12L，Q，M） | 0.5900 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMS14 | 肖特基 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 60 V | 580 mv @ 2 a | 200 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||
 | 1SS352，H3F | 0.1800 | | 236 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-76A | 1SS352 | 标准 | SC-76-2 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 80 V | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | 100mA | 3pf @ 0v，1MHz | |||||||||
| CLS01（TE16L，PAS，Q） | - | | 8647 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLS01 | 肖特基 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 470 mv @ 10 A | 1 ma @ 30 V | -40°C〜125°C | 10a | 530pf @ 10V，1MHz | |||||||||||
 | 1SS401（te85l，f） | 0.2700 | | 635 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-70，SOT-323 | 1SS401 | 肖特基 | SC-70 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 20 v | 450 mv @ 300 mA | 50 µA @ 20 V | 125°c （最大） | 300mA | 46pf @ 0v，1MHz | ||||||||||
 | 1SS361FV，L3F | 0.2000 | | 6067 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | 1SS361 | 标准 | VESM | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对普通阴极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C （最大） | |||||||||
| CMS20I40A （TE12L，QM | 0.2123 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMS20 | 肖特基 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 520 mv @ 2 a | 100 µA @ 40 V | 150°C （最大） | 2a | 62pf @ 10V，1MHz | ||||||||||
| CRZ20 （TE85L，Q，M） | 0.4900 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ20 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 14 V | 20 v | 30欧姆 | |||||||||||
 | HN1D01FE（TE85L，F） | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | HN1D01 | 标准 | ES6 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 2对公共阳极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 1.6 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C （最大） | |||||||||
 | BAS516，L3F | 0.1800 | | 9356 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | BAS516 | 标准 | ESC键 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 3 ns | 200 na @ 80 V | 150°C （最大） | 250mA | 0.35pf @ 0v，1MHz | |||||||||
| CRZ22（TE85L，Q） | - | | 5653 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | ±10％ | -40°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | CRZ22 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | （1 （无限） | CRZ22TR-NDR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 16 V | 22 v | 30欧姆 | |||||||||||
 | TRS12N65D，S1F | - | | 6487 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | TRS12N | 肖特基 | TO-247 | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 1对普通阴极 | 650 v | 6A（DC） | 1.7 V @ 6 A | 90 µA @ 650 V | 175°c （最大） | ||||||||||
 | 1SS416CT，L3F | 0.3000 | | 69 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-882 | 1SS416 | 肖特基 | CST2 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 30 V | 500 mv @ 100 ma | 50 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 100mA | 15pf @ 0v，1MHz | ||||||||||
| CUS06 （TE85L，Q，M） | - | | 6944 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS06 | 肖特基 | US-FLAT（1.25x2.5） | 下载 | Rohs符合条件 | CUS06（TE85LQM） | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 20 v | 450 mv @ 700 mA | 30 µA @ 20 V | -40°C〜150°C | 1a | 40pf @ 10V，1MHz | ||||||||||
| 1SS250（TE85L，F） | 0.0964 | | 9531 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1SS250 | 标准 | SC-59 | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 200 v | 1.2 V @ 100 ma | 60 ns | 1 µA @ 200 V | 125°c （最大） | 100mA | 3pf @ 0v，1MHz | |||||||||
| CRZ15（TE85L，Q，M） | 0.4800 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | CRZ15 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 10 V | 15 v | 30欧姆 | |||||||||||
| CLH07（TE16R，Q） | - | | 2938 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLH07 | 标准 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 400 v | 1.8 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 5a | - |
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