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二极管（（421）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比	电容比条件	q @ vr，f
CRZ10（TE85L，Q）	-	RFQ	1889年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-40°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	CRZ10		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载		（1 （无限）	CRZ10TR-NDR	Ear99	8541.10.0050	3,000					1 V @ 200 MA		10 µA @ 6 V						10 v	30欧姆
BAS516，L3F	0.1800	RFQ	9356	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523	BAS516	标准		ESC键	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	8,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		1.25 V @ 150 mA	3 ns	200 na @ 80 V	150°C （最大）	250mA	0.35pf @ 0v，1MHz
CTS520，L3F	0.2000	RFQ	758	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-882	CTS520	肖特基		CST2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	10,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V		600 mv @ 200 ma		5 µA @ 30 V	125°c （最大）	200mA	16pf @ 0v，1MHz
CMS20I40A （TE12L，QM	0.2123	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128	CMS20	肖特基		M-Flat（2.4x3.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		520 mv @ 2 a		100 µA @ 40 V	150°C （最大）	2a	62pf @ 10V，1MHz
U20DL2C48A（TE24L，Q	-	RFQ	3820	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	U20DL2	标准		TO-220SM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	20a	980 mv @ 10 a	35 ns	50 µA @ 200 V	-
CRS12 （TE85L，Q，M）	0.4900	RFQ	5854	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	CRS12	肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		60 V		580 mv @ 1 a		100 µA @ 60 V	-40°C〜150°C	1a	-
CUHS20S40，H3F	0.3700	RFQ	14	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	2-SMD，平坦的铅	CUHS20	肖特基		US2H	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		470 mv @ 2 a		300 µA @ 40 V	150°C （最大）	2a	290pf @ 0v，1MHz
CMS04（TE12L）	-	RFQ	1186	东芝半导体和存储	-	（CT）	过时的			表面安装	SOD-128	CMS04	肖特基		M-Flat（2.4x3.8）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V		370 mv @ 5 a		8 ma @ 30 V	-40°C〜125°C	5a	-
1SV305，L3F	0.4400	RFQ	13	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	1SV305			ESC键	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	8,000										6.6pf @ 4V，1MHz	单身的	10 v			3	C1/C4	-
CRZ16 （TE85L，Q，M）	0.4900	RFQ	6370	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F	CRZ16		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0050	3,000					1 V @ 200 MA		10 µA @ 11 V						16 V	30欧姆
TBAT54A，LM	0.2100	RFQ	5743	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TBAT54	肖特基		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对公共阳极	30 V	100mA	580 mv @ 100 ma	1.5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）
1SS352，H3F	0.1800	RFQ	236	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-76A	1SS352	标准		SC-76-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		80 V		1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）	100mA	3pf @ 0v，1MHz
CRS09 （TE85L，Q，M）	0.5000	RFQ	174	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	CRS09	肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V		460 mv @ 1.5 A		50 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	1.5a	90pf @ 10V，1MHz
CRS20I40B （TE85L，QM	0.5000	RFQ	8276	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F	CRS20I40	肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		520 mv @ 2 a		100 µA @ 40 V	150°C （最大）	2a	62pf @ 10V，1MHz
CUS06 （TE85L，Q，M）	-	RFQ	6944	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-76，SOD-323	CUS06	肖特基		US-FLAT（1.25x2.5）	下载	Rohs符合条件		CUS06（TE85LQM）	Ear99	8541.10.0080	4,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		450 mv @ 700 mA		30 µA @ 20 V	-40°C〜150°C	1a	40pf @ 10V，1MHz
CRZ11（TE85L，Q）	-	RFQ	6761	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-40°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	CRZ11		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载		（1 （无限）	CRZ11TR-NDR	Ear99	8541.10.0050	3,000					1 V @ 200 MA		10 µA @ 7 V						11 V	30欧姆
TBAW56，LM	0.2100	RFQ	20	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-23-3平线	TBAW56	标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对公共阳极	80 V	215ma				-
1SS181，LF	0.2000	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	1SS181	标准		S-Mini	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对公共阳极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）
1SS423（te85l，f）	0.4400	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	1SS423	肖特基		SSM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	40 V	100mA	620 MV @ 100 mA		5 µA @ 40 V	125°c （最大）
1SS361FV，L3F	0.2000	RFQ	6067	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	1SS361	标准		VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	8,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
1SS379，LF	0.4200	RFQ	20	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	1SS379	标准		SC-59	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	80 V	100mA	1.3 V @ 100 mA		10 na @ 80 V	125°c （最大）
CRZ22（TE85L，Q）	-	RFQ	5653	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-40°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	CRZ22		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载		（1 （无限）	CRZ22TR-NDR	Ear99	8541.10.0050	3,000					1 V @ 200 MA		10 µA @ 16 V						22 v	30欧姆
1SS302TE85LF	-	RFQ	9514	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	1SS302	标准		SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）
CLS01（TE16L，PAS，Q）	-	RFQ	8647	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面安装	l-flat™	CLS01	肖特基		l-flat™（4x5.5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V		470 mv @ 10 A		1 ma @ 30 V	-40°C〜125°C	10a	530pf @ 10V，1MHz
1SS193S，LF（d	-	RFQ	7822	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	1SS193	标准		S-Mini	下载		（1 （无限）	1SS193SLF（d	Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		80 V		1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）	100mA	3pf @ 0v，1MHz
TRS12N65FB，S1F（s	-	RFQ	3099	东芝半导体和存储	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	TRS12N65	SIC （碳化硅）		TO-247	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	trs12n65fbs1f（s	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	650 v	6A（DC）	1.7 V @ 6 A	0 ns	90 µA @ 650 V	175°c （最大）
TBAT54S，LM	0.2100	RFQ	95	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TBAT54	肖特基		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	30 V	200mA	580 mv @ 100 ma	1.5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜150°C
HN1D01FE（TE85L，F）	0.4500	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	HN1D01	标准		ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	4,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2对公共阳极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	1.6 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
CMS15（TE12L，Q，M）	0.6800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128	CMS15	肖特基		M-Flat（2.4x3.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		60 V		580 mv @ 3 a		300 µA @ 60 V	-40°C〜150°C	3a	102pf @ 10V，1MHz
1SS309（TE85L，F）	0.4100	RFQ	385	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74A，SOT-753	1SS309	标准		SMV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	4个普通阴极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（421）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²