分区(421)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)
CMH08A(TE12L,Q,M)	-	询价	7466	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOD-128	CMH08A	标准		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		400V		1.8V@2A	35纳秒	400V时为10μA	-40℃～150℃	2A	-
CUS15I30A(TE85L,QM	-	询价	3931	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS15I30	肖特基		美式床单 (1.25x2.5)	下载	符合RoHS标准		CUS15I30A(TE85LQM	EAR99	8541.10.0080	4,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		460毫伏@1.5安		30V时为60μA	150℃（最高）	1.5A	50pF@10V，1MHz
1SS302TE85LF	-	询价	9514	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-70、SOT-323	1SS302	标准		SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	1对中央	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
1SS423(TE85L,F)	0.4400	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	1SS423	肖特基		SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	1对中央	40V	100毫安	620 毫伏 @ 100 毫安		5μA@40V	125℃（最高）
TRS24N65D,S1F	-	询价	3712	东芝半导体和存储	-	管子	过时的			通孔	TO-247-3	TRS24N	肖特基		TO-247	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	30	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	650伏	12A（直流）	1.7V@12A		650V时为90μA	175℃（最高）
CMS15(TE12L,Q,M)	0.6800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMS15	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		60V		580毫伏 @ 3安		60V时为300μA	-40℃～150℃	3A	102pF@10V、1MHz
TRS12N65D,S1F	-	询价	6487	东芝半导体和存储	-	管子	过时的			通孔	TO-247-3	TRS12N	肖特基		TO-247	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	30	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	650伏	6A（室外）	1.7V@6A		650V时为90μA	175℃（最高）
U20DL2C48A(TE24L,Q	-	询价	3820	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	U20DL2	标准		TO-220SM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）	1对共轴线	200V	20A	980毫伏@10安	35纳秒	200V时为50μA	-
CRS09(TE85L,Q,M)	0.5000	询价	174	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS09	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		460毫伏@1.5安		30V时为50μA	-40℃～150℃	1.5A	90pF@10V，1MHz
HN1D02FU(T5L,F,T)	0.4700	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1D02	标准		ES6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	2对共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
1SS294，低频	0.3300	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS294	肖特基		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		40V		600 毫伏 @ 100 毫安		5μA@40V	125℃（最高）	100毫安	25pF @ 0V、1MHz
CUHS10F60,H3F	0.4300	询价	25	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入	CUHS10	肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		60V				40μA@60V	150℃（最高）	1A	130pF @ 0V、1MHz
1SS181，LF	0.2000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS181	标准		S-迷你型	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	1对共阳极	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
CMS14(TE12L,Q,M)	0.5900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMS14	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		60V		580毫伏@2安		60V时为200μA	-40℃～150℃	2A	-
1SS401(TE85L,F)	0.2700	询价	第635章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	1SS401	肖特基		SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		20V		450毫伏@300毫安		20V时为50μA	125℃（最高）	300毫安	46pF @ 0V、1MHz
1SS193S，LF（D	-	询价	7822	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS193	标准		S-迷你型	下载		1（无限制）	1SS193SLF(D	EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		80V		1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）	100毫安	3pF@0V、1MHz
CMS06(TE12L,Q,M)	0.5400	询价	60	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMS06	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		370毫伏@2安		3毫安@30伏	-40℃～125℃	2A	130pF@10V、1MHz
TRS24N65FB,S1F(S	-	询价	9125	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-247-3	TRS24N65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-247	-	符合RoHS标准	1（无限制）	TRS24N65FBS1F(S	EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)	1对共轴线	650伏	12A（直流）	1.7V@12A	0纳秒	650V时为90μA	175℃（最高）
CLS01(TE16L、PAS、Q)	-	询价	8647	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS01	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		470毫伏@10安		1毫安@30伏	-40℃～125℃	10A	530pF@10V、1MHz
CRS12(TE85L,Q,M)	0.4900	询价	5854	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS12	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		60V		580毫伏@1安		60V时为100μA	-40℃～150℃	1A	-
CRZ47(TE85L,Q)	-	询价	3679	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	±10%	-40℃～150℃	表面贴装	SOD-123F	CRZ47		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载		1（无限制）	CRZ47TR-NDR	EAR99	8541.10.0050	3,000					1V@200mA		10μA@37.6V				47V	65欧姆
CLS01(TE16R,Q)	-	询价	4086	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS01	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		470毫伏@10安		1毫安@30伏	-40℃～125℃	10A	530pF@10V、1MHz
CRZ18(TE85L,Q)	-	询价	4043	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	±10%	-40℃～150℃	表面贴装	SOD-123F	CRZ18		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000					1V@200mA		13V时为10μA				18V	30欧姆
1SS361FV，L3F	0.2000	询价	6067	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	1SS361	标准		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	1对共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	150℃（最高）
1SS413CT，L3F	0.3000	询价	32	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-882	1SS413	肖特基		SOD-882	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		20V		550 毫伏 @ 50 毫安		20V时为500nA	-55℃～125℃	50毫安	3.9pF @ 0V、1MHz
CRS10I30C(TE85L,QM	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS10I30	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		360毫伏@1安		30V时为100μA	150℃（最高）	1A	82pF@10V、1MHz
HN1D01FE(TE85L,F)	0.4500	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1D01	标准		ES6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	4,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	2对共阳极	80V	100毫安	1.2V@100mA	1.6纳秒	80V时为500nA	150℃（最高）
CES521，L3F	0.1800	询价	64	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-79、SOD-523	CES521	肖特基		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		30V		500毫伏@200毫安		30V@30μA	125℃（最高）	200毫安	26pF @ 0V、1MHz
CRF03A,LQ(M	-	询价	5905	东芝半导体和存储	-	盒子	的积极			表面贴装	SOD-123F		标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载				EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		600伏		2V@700mA	100纳秒	50μA@600V	150℃	700毫安	-
HN2D01JE(TE85L,F)	0.4100	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-553	HN2D01	标准		ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	4,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	2 独立	80V	100毫安	1.2V@100mA	1.6纳秒	80V时为500nA	150℃（最高）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分区(421)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²