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二极管（（421）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电流 -io（io）（每个二极管） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TRS4E65H，S1Q | 1.8500 |  | 400 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC （碳化硅） | TO-220-2L | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 264-TRS4E65H，S1Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.35 V @ 4 A | 0 ns | 55 µA @ 650 V | 175°C | 4a | 263pf @ 1V，1MHz | |||||||||
 | CMZ12（TE12L，Q，M） | 0.5400 | | 9594 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-128 | CMZ12 | 2 w | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 8 V | 12 v | 30欧姆 | |||||||||||
| CMZ15（te12l，Q，m） | 0.5400 | | 4730 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-128 | CMZ15 | 2 w | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 10 V | 15 v | 30欧姆 | |||||||||||
 | 1SS387，L3F | 0.2300 | | 107 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | 1SS387 | 标准 | ESC键 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 80 V | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | 100mA | 0.5pf @ 0v，1MHz | |||||||||
| CMG02（TE12L，Q，M） | - | | 8363 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SOD-128 | CMG02 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | CMG02（TE12LQM） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 400 v | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 2a | - | |||||||||
| TRS8V65H，LQ | 2.7700 | | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 4-VSFN暴露垫 | SIC （碳化硅） | 4-DFN-EP（8x8） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.35 V @ 8 A | 0 ns | 90 µA @ 650 V | 175°C | 8a | 520pf @ 1V，1MHz | ||||||||||
| CRS10I30C （TE85L，QM | 0.4500 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS10I30 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 360 mv @ 1 A | 100 µA @ 30 V | 150°C （最大） | 1a | 82pf @ 10V，1MHz | ||||||||||
 | 1SS383（te85l，f） | 0.4000 | | 31 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-82 | 1SS383 | 肖特基 | USQ | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 2独立 | 40 V | 100mA | 600 mv @ 100 ma | 5 µA @ 40 V | 125°c （最大） | ||||||||||
| CMF02A，LQ（M | - | | 5343 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 盒子 | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 600 v | 2 V @ 1 A | 100 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C | 1a | - | ||||||||||||
| CRZ10（TE85L，Q） | - | | 1889年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | ±10％ | -40°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | CRZ10 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | （1 （无限） | CRZ10TR-NDR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 6 V | 10 v | 30欧姆 | |||||||||||
 | BAS516，L3F | 0.1800 | | 9356 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | BAS516 | 标准 | ESC键 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 3 ns | 200 na @ 80 V | 150°C （最大） | 250mA | 0.35pf @ 0v，1MHz | |||||||||
 | CTS520，L3F | 0.2000 | | 758 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-882 | CTS520 | 肖特基 | CST2 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 600 mv @ 200 ma | 5 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 200mA | 16pf @ 0v，1MHz | ||||||||||
| CMS20I40A （TE12L，QM | 0.2123 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMS20 | 肖特基 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 520 mv @ 2 a | 100 µA @ 40 V | 150°C （最大） | 2a | 62pf @ 10V，1MHz | ||||||||||
 | 1SS272TE85LF | 0.4900 | | 11 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-61AA | 1SS272 | 标准 | SC-61B | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 2独立 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | |||||||||
| CMZ27（TE12L，Q，M） | 0.5400 | | 8 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-128 | CMZ27 | 2 w | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 19 V | 27 V | 30欧姆 | |||||||||||
 | CUS10F30，H3F | 0.3400 | | 43 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS10F30 | 肖特基 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 500 mv @ 1 A | 50 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 1a | 170pf @ 0v，1MHz | ||||||||||
| CUS05（TE85L，Q，M） | - | | 2964 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS05 | 肖特基 | US-FLAT（1.25x2.5） | - | Rohs符合条件 | CUS05（TE85LQM） | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 20 v | 370 mv @ 700 mA | 1 ma @ 20 V | -40°C〜125°C | 1a | 40pf @ 10V，1MHz | ||||||||||
 | TRS24N65D，S1F | - | | 3712 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | TRS24N | 肖特基 | TO-247 | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 1对普通阴极 | 650 v | 12A（DC） | 1.7 V @ 12 A | 90 µA @ 650 V | 175°c （最大） | ||||||||||
| CMS06（TE12L，Q，M） | 0.5400 | | 60 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMS06 | 肖特基 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 370 mv @ 2 a | 3 ma @ 30 V | -40°C〜125°C | 2a | 130pf @ 10V，1MHz | ||||||||||
 | TRS10A65F，S1Q | 4.5900 | | 4279 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | TRS10A65 | SIC （碳化硅） | TO-220F-2L | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.6 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175°c （最大） | 10a | 36pf @ 650V，1MHz | |||||||||||
 | HN2D01JE（TE85L，F） | 0.4100 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOT-553 | HN2D01 | 标准 | ESV | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 2独立 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 1.6 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C （最大） | |||||||||
 | 1SS250（TE85L，F） | 0.0964 | | 9531 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1SS250 | 标准 | SC-59 | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 200 v | 1.2 V @ 100 ma | 60 ns | 1 µA @ 200 V | 125°c （最大） | 100mA | 3pf @ 0v，1MHz | |||||||||
| 1SS388（tl3，f，d） | - | | 7479 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | 1SS388 | 肖特基 | ESC键 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 45 v | 600 mv @ 50 mA | 5 µA @ 10 V | -40°C〜100°C | 100mA | 18pf @ 0v，1MHz | |||||||||||
| CRZ20 （TE85L，Q，M） | 0.4900 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ20 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 14 V | 20 v | 30欧姆 | |||||||||||
| TRS12N65D，S1F | - | | 6487 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | TRS12N | 肖特基 | TO-247 | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 1对普通阴极 | 650 v | 6A（DC） | 1.7 V @ 6 A | 90 µA @ 650 V | 175°c （最大） | ||||||||||
| CMS10I40A （TE12L，QM | 0.5800 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMS10 | 肖特基 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 450 MV @ 1 A | 100 µA @ 40 V | 150°C （最大） | 1a | 62pf @ 10V，1MHz | ||||||||||
| CLH07（TE16R，Q） | - | | 2938 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLH07 | 标准 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 400 v | 1.8 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||
 | 1SS302TE85LF | - | | 9514 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-70，SOT-323 | 1SS302 | 标准 | SC-70 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | ||||||||||
| CLS01（TE16L，PAS，Q） | - | | 8647 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLS01 | 肖特基 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 470 mv @ 10 A | 1 ma @ 30 V | -40°C〜125°C | 10a | 530pf @ 10V，1MHz | |||||||||||
| 1SS193S，LF（d | - | | 7822 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1SS193 | 标准 | S-Mini | 下载 | （1 （无限） | 1SS193SLF（d | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 80 V | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | 100mA | 3pf @ 0v，1MHz |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
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