分区(421)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	当前 - 最大	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	电阻@If,F
CLS10F40,L3F	0.4800	询价	93	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	0402（1006公制）	CLS10F40	肖特基		CL2E	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			40V		570毫伏@1安		40V时为25μA	150℃	1A	130pF @ 0V、1MHz
CUS10F30、H3F	0.3400	询价	43	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS10F30	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		500毫伏@1安		30V时为50μA	125℃（最高）	1A	170pF @ 0V、1MHz
CUS03(TE85L,Q,M)	-	询价	8668	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUUS03	肖特基		美式床单 (1.25x2.5)	下载	符合RoHS标准			CUS03(TE85LQM)	EAR99	8541.10.0080	4,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			40V		520 毫伏 @ 700 毫安		40V时为100μA	-40℃～150℃	700毫安	45pF@10V，1MHz
CTS520,L3F	0.2000	询价	第758章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-882	CTS520	肖特基		CST2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0070	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		600 毫伏 @ 200 毫安		30V时为5μA	125℃（最高）	200毫安	16pF @ 0V、1MHz
TRS2E65F,S1Q	1.0500	询价	第1763章	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2	TRS2E65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-					EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)			650伏		1.6V@2A	0纳秒	650V时为20μA	175℃（最高）	2A	8.7pF@650V，1MHz
CUS06(TE85L,Q,M)	-	询价	6944	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-76、SOD-323	库斯06	肖特基		美式床单 (1.25x2.5)	下载	符合RoHS标准			CUS06(TE85LQM)	EAR99	8541.10.0080	4,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			20V		450 毫伏 @ 700 毫安		20V时为30μA	-40℃～150℃	1A	40pF@10V、1MHz
CLH01(TE16L,Q)	-	询价	6230	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLH01	标准		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			200V		980毫伏@3安	35纳秒	10μA@200V	-40℃～150℃	3A	-
CRF03(TE85L,Q,M)	-	询价	5105	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOD-123F	CRF03	标准		S-平面 (1.6x3.5)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			600伏		2V@700mA	100纳秒	50μA@600V	-40℃～150℃	700毫安	-
1SS378(TE85L,F)	0.3400	询价	55	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	1SS378	肖特基		SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		1对共轴线	10V	100毫安	500 毫伏 @ 100 毫安		10V时为20μA	125℃（最高）
CRS05(TE85L,Q,M)	0.1326	询价	9706	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS05	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		450毫伏@1安		30V时为200μA	-40℃～150℃	1A	-
CLS02(TE16R,Q)	-	询价	9054	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS02	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			40V		550毫伏@10安		1毫安@40伏	-40℃～125℃	10A	420pF@10V、1MHz
CRH01(TE85R,Q,M)	0.5200	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRH01	标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			200V		980毫伏@1安	35纳秒	10μA@200V	-40℃～150℃	1A	-
CUS05(TE85L,Q,M)	-	询价	2964	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-76、SOD-323	库斯05	肖特基		美式床单 (1.25x2.5)	-	符合RoHS标准			CUS05(TE85LQM)	EAR99	8541.10.0080	4,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			20V		370毫伏@700毫安		1毫安@20伏	-40℃～125℃	1A	40pF@10V、1MHz
TBAT54S,LM	0.2100	询价	95	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TBAT54	肖特基		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		1对中央	30V	200毫安	580 毫伏 @ 100 毫安	1.5纳秒	2μA@25V	-55℃～150℃
1SV308，L3F	0.4300	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）		SC-79、SOD-523	1SV308			ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0070	8,000		50毫安									0.5pF@1V、1MHz	PIN-单个	30V			1.5欧姆@10mA，100MHz
CCS15S40，L3F	0.3800	询价	48	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，无铅	CCS15S40	肖特基		CST2C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			40V		550毫伏@1.5安		40V时为200μA	125℃（最高）	1.5A	170pF @ 0V、1MHz
TRS8V65H,LQ	2.7700	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘		SiC（碳化硅）肖特基		4-DFN-EP (8x8)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	2,500人	无恢复T>500mA(Io)			650伏		1.35V@8A	0纳秒	650V时为90μA	175℃	8A	520pF@1V、1MHz
1SS417CT，L3F	0.3000	询价	12	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入	1SS417	肖特基		森林管理委员会	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0070	10,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度			40V		620 毫伏 @ 100 毫安		5μA@40V	125℃（最高）	100毫安	15pF @ 0V、1MHz
CMH05(TE12L,Q,M)	-	询价	7589	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOD-128	CMH05	标准		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合RoHS标准			CMH05(TE12LQM)	EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			400V		1.3V@1A	100纳秒	400V时为10μA	-40℃～150℃	1A	-
CBS10S30,L3F	0.4300	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，无铅	CBS10S30	肖特基		CST2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			20V		450毫伏@1安		30V时为500μA	125℃（最高）	1A	135pF @ 0V、1MHz
TRS12N65FB,S1F(S	-	询价	3099	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-247-3	TRS12N65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-247	-	符合RoHS标准	1（无限制）		TRS12N65FBS1F(S	EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)		1对共轴线	650伏	6A（室外）	1.7V@6A	0纳秒	650V时为90μA	175℃（最高）
CMG05(TE12L,Q,M)	-	询价	3727	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOD-128	CMG05	标准		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		CMG05(TE12LQM)	EAR99	8541.10.0080	3,000	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)			400V		1.1V@1A		400V时为10μA	-40℃～150℃	1A	-
CUS551V30,H3F	0.2700	询价	13	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS551	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			30V		470 毫伏 @ 500 毫安		100μA@20V	125℃（最高）	500毫安	-
TBAT54A,LM	0.2100	询价	5743	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TBAT54	肖特基		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		1对共阳极	30V	100毫安	580 毫伏 @ 100 毫安	1.5纳秒	2μA@25V	150℃（最高）
HN2D01FU(TE85L,F)	-	询价	6360	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN2D01	标准		美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		3 独立	80V	80毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
JDP2S08SC(TPL3)	0.4800	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）		0201（0603 公制）	JDP2S08			SC2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0070	10,000		50毫安									0.4pF@1V、1MHz	PIN-单个	30V			1.5欧姆@10mA，100MHz
1SS295(TE85L,F)	-	询价	8878	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）		TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS295			SC-59-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0070	3,000		30毫安									0.9pF@0.2V、1MHz	肖特基 - 1 对共阴极	4V			-
CUHS20S40,H3F	0.3700	询价	14	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入	CUHS20	肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			40V		470毫伏@2安		40V时为300μA	150℃（最高）	2A	290pF @ 0V、1MHz
CUHS15F60,H3F	0.4900	询价	9628	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入		肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）			60V		730 毫伏 @ 1.5 安		50μA@60V	150℃	1.5A	130pF @ 0V、1MHz
CRZ20(TE85L,Q,M)	0.4900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-123F	CRZ20		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0050	3,000						1V@200mA		14V时为10μA						20V	30欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分区(421)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²