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二极管（（421）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电流 -io（io）（每个二极管） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向（最大） | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr，f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1SV228TPH3F | 0.4400 |  | 20 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1SV228 | S-Mini | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 13.7pf @ 8v，1MHz | 1对普通阴极 | 15 v | 2.6 | C3/C8 | - | |||||||||||||||||
 | CRS05（TE85L，Q，M） | 0.1326 | | 9706 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS05 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 450 MV @ 1 A | 200 µA @ 30 V | -40°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||
 | CES521，L3F | 0.1800 | | 64 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | CES521 | 肖特基 | ESC键 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 30 V | 500 mV @ 200 ma | 30 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 200mA | 26pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
 | TRS6E65F，S1Q | 2.7600 | | 40 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | TRS6E65 | SIC （碳化硅） | TO-220-2L | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.6 V @ 6 A | 0 ns | 30 µA @ 650 V | 175°c （最大） | 6a | 22pf @ 650V，1MHz | |||||||||||||||
| CMZ24（TE12L，Q，M） | 0.5400 | | 8 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-128 | CMZ24 | 2 w | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 17 V | 24 V | 30欧姆 | |||||||||||||||||
| Cry82 （TE85L，Q，m） | - | | 3176 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | ±10％ | -40°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | Cry82 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 4.9 V | 8.2 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||
 | 1SS378（te85l，f） | 0.3400 | | 55 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-70，SOT-323 | 1SS378 | 肖特基 | SC-70 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对普通阴极 | 10 v | 100mA | 500 mv @ 100 ma | 20 µA @ 10 V | 125°c （最大） | ||||||||||||||||
| CMH08A（TE12L，Q，M） | - | | 7466 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SOD-128 | CMH08A | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 400 v | 1.8 V @ 2 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||||
| CMS10I30A（TE12L，QM | 0.5700 | | 1159 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMS10 | 肖特基 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 360 mv @ 1 A | 100 µA @ 30 V | 150°C （最大） | 1a | 82pf @ 10V，1MHz | ||||||||||||||||
 | CUS08F30，H3F | 0.3300 | | 362 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS08F30 | 肖特基 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 220 mv @ 10 mA | 50 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 800mA | 170pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
 | TRS6V65H，LQ | 2.3200 | | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 4-VSFN暴露垫 | SIC （碳化硅） | 4-DFN-EP（8x8） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.35 V @ 6 A | 0 ns | 70 µA @ 650 V | 175°C | 6a | 392pf @ 1V，1MHz | ||||||||||||||||
| CMZ22（TE12L，Q，M） | - | | 5156 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-128 | CMZ22 | 2 w | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | Rohs符合条件 | CMZ22（TE12LQM） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 16 V | 22 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||
| CUS03 （TE85L，Q，M） | - | | 8668 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS03 | 肖特基 | US-FLAT（1.25x2.5） | 下载 | Rohs符合条件 | CUS03（TE85LQM） | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 520 MV @ 700 mA | 100 µA @ 40 V | -40°C〜150°C | 700mA | 45pf @ 10V，1MHz | ||||||||||||||||
| 1SS184，LF | 0.2400 | | 26 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1SS184 | 标准 | S-Mini | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对普通阴极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | |||||||||||||||
| 1SS300，LF | 0.2200 | | 127 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-70，SOT-323 | 1SS300 | 标准 | USM | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对公共阳极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | |||||||||||||||
| CRF03（TE85L，Q，M） | - | | 5105 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SOD-123F | CRF03 | 标准 | S-Flat（1.6x3.5） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 600 v | 2 V @ 700 MA | 100 ns | 50 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 700mA | - | ||||||||||||||
 | 1SS306TE85LF | 0.4400 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-61AA | 1SS306 | 标准 | SC-61B | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 2独立 | 200 v | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 60 ns | 1 µA @ 200 V | 125°c （最大） | |||||||||||||||
| TRS4E65F，S1Q | 2.3700 | | 174 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | TRS4E65 | SIC （碳化硅） | TO-220-2L | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.6 V @ 4 A | 0 ns | 20 µA @ 650 V | 175°c （最大） | 4a | 16pf @ 650V，1MHz | |||||||||||||||||
| 1S294，LF | 0.3300 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1S294 | 肖特基 | S-Mini | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 40 V | 600 mv @ 100 ma | 5 µA @ 40 V | 125°c （最大） | 100mA | 25pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
| CMS09（TE12L） | - | | 5132 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | Digi-Reel® | 过时的 | 表面安装 | SOD-128 | CMS09 | 肖特基 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 450 MV @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -40°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||
| CRG09A，LQ（M | - | | 8559 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRG09 | 标准 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | CRG09ALQ（m | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 400 v | 1.1 V @ 700 mA | 5 µA @ 400 V | 150°C （最大） | 1a | - | |||||||||||||||
 | CUHS15S30，H3F | 0.3700 | | 50 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，平坦的铅 | CUHS15 | 肖特基 | US2H | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 430 MV @ 1.5 A | 500 µA @ 30 V | 150°C | 1.5a | 200pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
| CMC02（TE12L，Q，M） | - | | 9346 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SOD-128 | CMC02 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | CMC02（TE12LQM） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 400 v | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||
 | HN2D01FU（TE85L，F） | - | | 6360 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | （CT） | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | HN2D01 | 标准 | US6 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 3独立 | 80 V | 80mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | |||||||||||||||
 | 1SS416CT，L3F | 0.3000 | | 69 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-882 | 1SS416 | 肖特基 | CST2 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 30 V | 500 mv @ 100 ma | 50 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 100mA | 15pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
 | CLS10F40，L3F | 0.4800 | | 93 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 0402（（1006公制） | CLS10F40 | 肖特基 | Cl2e | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 570 mv @ 1 a | 25 µA @ 40 V | 150°C | 1a | 130pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
| CMF03（TE12L，Q，M） | 0.5300 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMF03 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 900 v | 2.5 V @ 500 mA | 100 ns | 50 µA @ 900 V | -40°C〜125°C | 500mA | - | |||||||||||||||
| CuHS10F60，H3F | 0.4300 | | 25 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，平坦的铅 | CUHS10 | 肖特基 | US2H | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 60 V | 40 µA @ 60 V | 150°C （最大） | 1a | 130pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
| CUS15I30A （TE85L，QM | - | | 3931 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS15I30 | 肖特基 | US-FLAT（1.25x2.5） | 下载 | Rohs符合条件 | CUS15I30A （TE85LQM | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 460 mv @ 1.5 A | 60 µA @ 30 V | 150°C （最大） | 1.5a | 50pf @ 10V，1MHz | ||||||||||||||||
 | TRS24N65FB，S1F（s | - | | 9125 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | TRS24N65 | SIC （碳化硅） | TO-247 | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | trs24n65fbs1f（s | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 1对普通阴极 | 650 v | 12A（DC） | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 90 µA @ 650 V | 175°c （最大） |
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