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二极管（（421）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | 二极管配置 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电流 -io（io）（每个二极管） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向（最大） | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 电阻 @ if，f | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr，f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CRS30I40A （TE85L，QM | 0.4400 |  | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS30I40 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 550 mv @ 3 a | 100 µA @ 40 V | 150°C （最大） | 3a | 62pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||||
| CRZ11 （TE85L，Q，M） | - | | 2159 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ11 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | Rohs符合条件 | CRZ11（TE85LQM） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 7 V | 11 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
 | DSF01S30SL，L3F | 0.3500 | | 62 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，没有铅 | DSF01S30 | 肖特基 | SL2 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 30 V | 500 mv @ 100 ma | 50 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 100mA | 9.02pf @ 2V，1MHz | |||||||||||||||||
 | 1SV325，H3F | 0.3800 | | 7628 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | 1SV325 | ESC键 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.30.0080 | 4,000 | 12pf @ 4V，1MHz | 单身的 | 10 v | 4.3 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||||
 | TRS10E65H，S1Q | 2.8900 | | 340 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC （碳化硅） | TO-220-2L | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 264-TRS10E65H，S1Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.35 V @ 10 A | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175°C | 10a | 649pf @ 1V，1MHz | ||||||||||||||||
| CRZ30（TE85L，Q） | - | | 7496 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | ±10％ | -40°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | CRZ30 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | （1 （无限） | CRZ30TR-NDR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 21 V | 30 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
| CUS04（TE85L，Q，M） | - | | 2743 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS04 | 肖特基 | US-FLAT（1.25x2.5） | 下载 | Rohs符合条件 | CUS04（TE85LQM） | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 60 V | 580 mv @ 700 mA | 100 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 700mA | 38pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||||
 | TRS6E65C，S1AQ | - | | 2406 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | TRS6E65 | SIC （碳化硅） | TO-220-2L | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 90 µA @ 650 V | 175°c （最大） | 6a | 35pf @ 650V，1MHz | ||||||||||||||||
| Cls03（t6l，cano-o，q | - | | 8132 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLS03 | 肖特基 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 60 V | 580 mv @ 10 a | 1 mA @ 60 V | -40°C〜125°C | 10a | 345pf @ 10V，1MHz | ||||||||||||||||||
| CRS08 （TE85L，Q，M） | 0.5200 | | 29 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS08 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 360 mV @ 1.5 A | 1 ma @ 30 V | -40°C〜125°C | 1.5a | 90pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||||
| CRS20I40A （TE85L，QM | 0.5000 | | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRS20I40 | 肖特基 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 600 mv @ 2 a | 60 µA @ 40 V | 150°C （最大） | 2a | 35pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||||
 | 1SS402TE85LF | 0.3800 | | 25 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-82 | 1SS402 | 肖特基 | USQ | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 2独立 | 20 v | 50mA | 550 mv @ 50 mA | 500 na @ 20 V | 125°c （最大） | |||||||||||||||||
| 1SS405，H3F | 0.2700 | | 50 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | 1SS405 | 肖特基 | ESC键 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 20 v | 550 mv @ 50 mA | 500 na @ 20 V | 125°c （最大） | 50mA | 3.9pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
| CLH03（TE16R，Q） | - | | 2444 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLH03 | 标准 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 400 v | 35 ns | - | 3a | - | |||||||||||||||||||
| CRF02 （TE85L，Q，M） | 0.4700 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CRF02 | 标准 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 800 v | 3 V @ 500 MA | 100 ns | 50 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 500mA | - | ||||||||||||||||
| CRF03A，LQ（M | - | | 5905 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 盒子 | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 标准 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 600 v | 2 V @ 700 MA | 100 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C | 700mA | - | |||||||||||||||||||
 | CCS15S40，L3F | 0.3800 | | 48 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，没有铅 | CCS15S40 | 肖特基 | CST2C | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 550 MV @ 1.5 A | 200 µA @ 40 V | 125°c （最大） | 1.5a | 170pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
| 1SV280，H3F | 0.4400 | | 7027 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | 1SV280 | ESC键 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 2pf @ 10V，1MHz | 单身的 | 15 v | 2.4 | C2/C10 | - | ||||||||||||||||||
 | 1SV304TPH3F | 0.4200 | | 121 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | 1SV304 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 6.6pf @ 4V，1MHz | 单身的 | 10 v | 3 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||||
 | JDP2S02ACT（TPL3） | 0.4600 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | SOD-882 | JDP2S02 | CST2 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 50 mA | 0.4pf @ 1V，1MHz | PIN-单 | 30V | 1.5OHM @ 10mA，100MHz | ||||||||||||||||||||
 | 1SS295（te85l，f） | - | | 8878 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1S295 | SC-59-3 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 30 ma | 0.9pf @ 0.2V，1MHz | 肖特基 -1对普通阴极 | 4V | - | ||||||||||||||||||||
| CRZ10 （TE85L，Q，M） | 0.4900 | | 9265 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ10 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 6 V | 10 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
 | CUS01（TE85L，Q，M） | - | | 8070 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS01 | 肖特基 | US-FLAT（1.25x2.5） | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 390 mv @ 1 a | 1.5 ma @ 30 V | -40°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||||||
| 1SV270TPH3F | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | 1SV270 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 8.7pf @ 4V，1MHz | 单身的 | 10 v | 2 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||||
| 1SV308，L3F | 0.4300 | | 7 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | SC-79，SOD-523 | 1SV308 | ESC键 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 50 mA | 0.5pf @ 1V，1MHz | PIN-单 | 30V | 1.5OHM @ 10mA，100MHz | ||||||||||||||||||||
| CMS21（TE12L，Q，M） | 0.4900 | | 4683 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CMS21 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | JDP2S08SC（TPL3） | 0.4800 | | 10 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 0201（0603公制） | JDP2S08 | SC2 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 50 mA | 0.4pf @ 1V，1MHz | PIN-单 | 30V | 1.5OHM @ 10mA，100MHz | ||||||||||||||||||||
 | JDV2S41FS（TPL3） | - | | 5763 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | 2-SMD，平坦的铅 | JDV2S41 | FSC | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 16pf @ 2V，1MHz | 单身的 | 15 v | - | - | |||||||||||||||||||
 | HN1D01F（te85l，f） | 0.4700 | | 3088 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-74，SOT-457 | HN1D01 | 标准 | SM6 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 2对公共阳极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | ||||||||||||||||
| CRZ22 （TE85L，Q，M） | - | | 8634 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ22 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | Rohs符合条件 | CRZ22（TE85LQM） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 16 V | 22 v | 30欧姆 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
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