分区(421)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
CLS03(TE16R,Q)	-	询价	7771	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS03	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		60V		580毫伏@10安		1毫安@60伏	-40℃～125℃	10A	345pF@10V、1MHz
CUS15S40、H3F	0.3900	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS15S40	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		40V		450毫伏@1安		40V时为200μA	125℃（最高）	1.5A	170pF @ 0V、1MHz
CBS10S40,L3F	0.4300	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，无铅	CBS10S40	肖特基		CST2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		40V		550毫伏@1安		40V时为150μA	125℃（最高）	1A	120pF @ 0V、1MHz
1SS321，低频	0.3200	询价	41	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS321	肖特基		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		10V		1V@50mA		10V时为500nA	125℃（最高）	50毫安	3.2pF @ 0V、1MHz
DSF05S30U(TPH3,F)	-	询价	8061	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-76、SOD-323	DSF05	肖特基		南加州大学	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		450 毫伏 @ 500 毫安			125℃（最高）	500毫安	-
CMS01(TE12L)	-	询价	6249	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的			表面贴装	SOD-128	CMS01	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		370毫伏 @ 3安		5毫安@30伏	-40℃～125℃	3A	-
CUHS20F40,H3F	0.3600	询价	36	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入	CUHS20	肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		40V		540毫伏@2安		60μA@40V	150℃（最高）	2A	300pF @ 0V、1MHz
CRS06(TE85L,Q,M)	0.4700	询价	19号	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS06	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		20V		360毫伏@1安		1毫安@20伏	-40℃～125℃	1A	60pF@10V、1MHz
1SS226，低频	0.2300	询价	5380	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS226	标准		S-迷你型	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-1SS226，LFCT	EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	1对中央	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
1SS193，LF	0.2200	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS193	标准		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		80V		1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）	100毫安	3pF @ 0V、1MHz
CMS04(TE12L,Q,M)	0.7800	询价	34	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMS04	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		370毫伏@5安		8毫安@30伏	-40℃～125℃	5A	330pF@10V、1MHz
1SS424(TPL3,F)	0.2200	询价	62	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-79、SOD-523	1SS424	肖特基		ESC键	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度		20V		500毫伏@200毫安		20V时为50μA	125℃（最高）	200毫安	20pF @ 0V、1MHz
HN2S03FUTE85LF	0.4300	询价	第560章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN2S03	肖特基		美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	3 独立	20V	50毫安	550 毫伏 @ 50 毫安		20V时为500nA	125℃（最高）
1SS392，LF	0.3600	询价	13	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS392	肖特基		SC-59	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	1对共轴线	40V	100毫安	600 毫伏 @ 100 毫安		5μA@40V	125℃（最高）
CUS05F30,H3F	0.3100	询价	70	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS05F30	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		450 毫伏 @ 500 毫安		30V时为50μA		500毫安	120pF @ 0V、1MHz
1SV304TPH3F	0.4200	询价	121	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-76、SOD-323	1SV304			南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000										6.6pF @ 4V、1MHz	单身的	10V			3	C1/C4	-
1SV228TPH3F	0.4400	询价	20	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SV228			S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000										8V、1MHz时为13.7pF	1对共轴线	15V			2.6	C3/C8	-
CUS02(TE85L,Q,M)	-	询价	2445	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-76、SOD-323	库斯02	肖特基		美式床单 (1.25x2.5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	4,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		470 毫伏 @ 1 安		30V时为100μA	-40℃～150℃	1A	-
CMS21(TE12L,Q,M)	0.4900	询价	4683	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极					CMS21				-	符合ROHS3标准	1（无限制）			0000.00.0000	3,000
JDV2S41FS(TPL3)	-	询价	5763	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		125°C（太焦）	表面贴装	2-SMD，写入	JDV2S41			森林管理委员会	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000										16pF@2V，1MHz	单身的	15V				-	-
1SS272TE85LF	0.4900	询价	11	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-61AA	1SS272	标准		SC-61B	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	2 独立	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
1SV270TPH3F	0.4200	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-76、SOD-323	1SV270			南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000										8.7pF @ 4V、1MHz	单身的	10V			2	C1/C4	-
1SV280，H3F	0.4400	询价	7027	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV280			ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	4,000										2pF@10V，1MHz	单身的	15V			2.4	C2/C10	-
CRZ22(TE85L,Q,M)	-	询价	8634	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-123F	CRZ22		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合RoHS标准		CRZ22(TE85LQM)	EAR99	8541.10.0050	3,000					1V@200mA		16V时为10μA						22V	30欧姆
HN1D01F(TE85L,F)	0.4700	询价	3088	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74、SOT-457	HN1D01	标准		SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	2对共阳极	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
CLS02(TE16L、HIT、Q)	-	询价	7549	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS02	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		40V		550毫伏@10安		1毫安@40伏	-40℃～125℃	10A	420pF@10V、1MHz
CMS10I30A(TE12L,QM	0.5700	询价	第1159章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMS10	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		360毫伏@1安		30V时为100μA	150℃（最高）	1A	82pF@10V、1MHz
CLS10F40,L3F	0.4800	询价	93	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	0402（1006公制）	CLS10F40	肖特基		CL2E	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		40V		570毫伏@1安		40V时为25μA	150℃	1A	130pF @ 0V、1MHz
CUS10F30、H3F	0.3400	询价	43	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS10F30	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）		30V		500毫伏@1安		30V时为50μA	125℃（最高）	1A	170pF @ 0V、1MHz
TBAT54S,LM	0.2100	询价	95	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TBAT54	肖特基		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度	1对中央	30V	200毫安	580 毫伏 @ 100 毫安	1.5纳秒	2μA@25V	-55℃～150℃

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分区(421)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²