RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZX55C12	0.0600	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 mA		100 na @ 9 V				12 v	20欧姆
1N5400G	-	RFQ	1476	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向	1N5400	标准		Do-201 AD	下载					Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		50 V		980 mv @ 3 a		500 NA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	30pf @ 4V，1MHz
SBAS16DXV6T1G	0.0900	RFQ	107	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-SBAS16DXV6T1G-600039	Ear99	8541.10.0070	3,410
FFA20U20DNTU	0.8500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	20a	1.2 V @ 20 A	40 ns	20 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
1N5996B	2.0000	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V				6.8 v	8欧姆
1N6004B	1.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 11 V				15 v	32欧姆
RURP860	-	RFQ	7415	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2		标准		TO-220-2	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.5 V @ 8 A	70 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
RURD620	0.7100	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		标准		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1 V @ 6 A	30 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	6a	-
MMBD1705	0.3400	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对公共阳极	30 V	50mA	1.1 V @ 50 mA	700 ps	50 na @ 20 V	150°C （最大）
BZX55C7V5_NL	0.0200	RFQ	8115	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 mA		100 na @ 5 V				7.5 v	7欧姆
RGP10J	0.0600	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	RGP10	标准		DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
MM3Z6V2B	0.0300	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 10 mA		2.7 µA @ 4 V				6.2 v	9欧姆
1N5243B	0.0300	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539					900 mv @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V				13 V	13欧姆
1N914BWS	-	RFQ	5234	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-90，SOD-323F		标准		SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0070	15,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		75 v		1 V @ 100 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	150°C （最大）	150mA	4pf @ 0v，1MHz
1N5380BG	-	RFQ	7314	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	T-18，轴向			5 w	轴向	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 91.2 V				120 v	170欧姆
MMBZ5238B	0.0200	RFQ	118	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			225兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	500					900 mv @ 10 ma		3 µA @ 6.5 V				8.7 v	8欧姆
BAV21-T50A	244.9900	RFQ	85	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-				2156-BAV21-T50A			2	小信号= <200ma（io（io），任何速度		250 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	175°C	200mA	5pf @ 0v，1MHz
FLZ18VA	0.0200	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	15,000					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 13 V				16.7 v	19.4欧姆
MUR460FFG	1.0000	RFQ	4059	Fairchild半导体	SwitchMode™	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		标准		轴向	下载					Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.28 V @ 4 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	4a	-
ISL9K1560G3	1.3300	RFQ	1008	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-ISL9K1560G3-600039			1
FEP16BTA	0.6100	RFQ	6792	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	346	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	100 v	16a	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
1N459	1.0000	RFQ	5458	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N459	标准		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1 V @ 100 ma		25 NA @ 175 V	175°c （最大）	500mA	6pf @ 0v，1MHz
FFB20UP20DN	0.6300	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	10a	1.15 V @ 10 A	40 ns	10 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
BAV19	0.0200	RFQ	43	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	2,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		120 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 100 V	175°c （最大）	200mA	5pf @ 0v，1MHz
1N5254BTR	-	RFQ	6698	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-1N5254BTR-600039			1							100 na @ 21 V				27 V	41欧姆
FFPF10U60STU	0.2700	RFQ	174	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,110	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		2.2 V @ 10 A	90 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	10a	-
RURD4120S9A	0.5700	RFQ	5574	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	20	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1200 v		2.1 V @ 4 A	90 ns	100 µA @ 1200 V	-65°C〜175°C	4a	-
MMBD1703A	1.0000	RFQ	1287	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	30 V	50mA	1.1 V @ 50 mA	1 ns	50 na @ 20 V	150°C （最大）
S310-G	0.2000	RFQ	15	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	3,000
1N4002GP	0.1100	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	2,919	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1.1 V @ 1 A		5 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²