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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
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1N753ATR	0.0400	RFQ	79	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	5,000					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						6.2 v	7欧姆
kbu4b	1.0000	RFQ	4810	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	标准		KBU	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	200					1 V @ 4 A		5 µA @ 50 V		4 a		单相	100 v
1n961b	3.0600	RFQ	62	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	99							10 µA @ 7.6 V						10 v	8.5欧姆
MBRA3045NTU	-	RFQ	4216	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	肖特基		to-3p	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	760	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	30a	800 mv @ 30 a		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
1N746A	1.9200	RFQ	74	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	156					1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						3.3 v	28欧姆
FFAF10U120DNTU	1.4800	RFQ	360	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3	标准		to-3pf	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	1200 v	10a	3.5 V @ 10 A	100 ns	10 µA @ 1200 V	-65°C〜150°C
FES16DT	-	RFQ	7731	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2	标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	16a	170pf @ 4V，1MHz
1N5258B	2.0200	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	162					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 27 V						36 V	70欧姆
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kbu8d	-	RFQ	4108	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	标准		KBU	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	200					1 V @ 8 A		10 µA @ 200 V		8 a		单相	200 v
FFPF06U20DNTU	0.3300	RFQ	11	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	标准		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	6a	1.2 V @ 6 A	35 ns	6 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
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kbu8b	1.0000	RFQ	3826	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	标准		KBU	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	200					1 V @ 8 A		10 µA @ 100 V		8 a		单相	100 v
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1N978B	2.0200	RFQ	32	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	162							5 µA @ 38.8 V						51 v	125欧姆
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kbu8k	0.5400	RFQ	7963	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	标准		KBU	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	20					1 V @ 8 A		10 µA @ 800 V		8 a		单相	800 v
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flz13vc	0.0200	RFQ	7129	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	8,515					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 10 V						13.3 v	11.4欧姆
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3N258	0.5200	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm	标准		kbpm	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	30					1.1 V @ 3.14 A		5 µA @ 800 V		2 a		单相	800 v
1N6018B	2.0000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 43 V						56 v	200欧姆
FLZ15VC	1.0000	RFQ	2814	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 11 V						14.7 v	13.3欧姆
1N5985B	2.0000	RFQ	53	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V						2.4 v	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²