RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZX84C11	0.0200	RFQ	48	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装		BZX84				下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-BZX84C11-600039			1							100 na @ 8 V						11 V	20欧姆
gbu8a	0.8200	RFQ	890	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-Esip，Gbu		标准		gbu	下载					Ear99	8541.10.0080	367					1 V @ 8 A		5 µA @ 50 V		5.6 a		单相	50 V
1N4454	0.9200	RFQ	101	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载					Ear99	8541.10.0070	325	小信号= <200ma（io（io），任何速度		75 v		1 V @ 10 mA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
DF08M	-	RFQ	3254	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.300英寸，7.62mm）		标准		DFM	下载					Ear99	8541.10.0080	1,202					1.1 V @ 1 A		10 µA @ 800 V		1 a		单相	800 v
1N5241BTR	0.0200	RFQ	392	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		2 µA @ 8.4 V						11 V	22欧姆
DFB2510	1.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P	DFB25	标准		TS-6P	下载					Ear99	8541.10.0080	199					1.1 V @ 25 A		10 µA @ 100 V		25 a		单相	100 v
flz5v1b	-	RFQ	3154	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		190 na @ 1.5 V						5.1 v	17欧姆
MMBZ5242B	-	RFQ	6634	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		1 µA @ 9.1 V						12 v	30欧姆
FLZ24VC	0.0200	RFQ	9869	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	9,784					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 19 V						23.8 v	29欧姆
MM5Z30V	1.0000	RFQ	2788	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±7％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			200兆	SOD-523F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							50 NA @ 21 V						30 V	80欧姆
MM5Z5V6	-	RFQ	1235	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±7.14％	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	SC-79，SOD-523			200兆	SOD-523F	-				2156-MM5Z5V6			1							1 µA @ 2 V						5.6 v	40欧姆
BZX79C20-T50A	0.0200	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79C20		500兆	do-35	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.5 V @ 100 ma		50 na @ 14 V						20 v	55欧姆
UF4003	0.1000	RFQ	104	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	UF400	标准		do-41	下载					Ear99	8541.10.0080	2,950	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-50°C〜175°C	1a	-
MBR4050PT	-	RFQ	2430	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3	MBR4050	肖特基		TO-247AD（TO-3P）	下载					Ear99	8541.10.0080	190	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	50 V	40a	720 mv @ 20 a		1 ma @ 50 V	-65°C〜150°C
1N5249B_NL	0.0200	RFQ	66	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 14 V						19 v	23欧姆
1N5234CTR	0.0200	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V						6.2 v	7欧姆
BAT43XV2	0.0300	RFQ	2524	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523		肖特基		SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,830	小信号= <200ma（io（io），任何速度		30 V		1 V @ 200 MA	5 ns	500 na @ 25 V	125°C	200mA	7pf @ 1V，1MHz
BZX85C30	0.0300	RFQ	78	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C30		1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		500 na @ 22 V						30 V	30欧姆
ES1D-F080	-	RFQ	2274	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-ES1D-F080-600039			1
BZX85C3V3	-	RFQ	9435	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX85C3V3-600039			1					1.2 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V						3.3 v	20欧姆
flz13va	0.0200	RFQ	16	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	16,705					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 10 V						12.5 v	11.4欧姆
MMBZ5245B	-	RFQ	8224	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		100 na @ 11 V						15 v	16欧姆
fes6d	-	RFQ	4553	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn		标准		TO-277-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.05 V @ 6 A	25 ns	2 µA @ 200 V		6a	60pf @ 4V，1MHz
1N459-T50R	0.0200	RFQ	60	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	不适用				Ear99	8541.10.0070	10,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1 V @ 100 ma		25 NA @ 175 V	175°c （最大）	500mA	6pf @ 0v，1MHz
EGP20KTA	0.1500	RFQ	34	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	EGP20	标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	4,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		800 v		1.7 V @ 2 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	2a	45pf @ 4V，1MHz
BZX79C10	0.0300	RFQ	203	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539					1.5 V @ 100 ma		200 na @ 7 V						10 v	20欧姆
MBRS140	-	RFQ	5077	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	MBRS140	肖特基		SMB（do-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		600 mV @ 1 A		1 mA @ 40 V	-65°C〜125°C	1a	-
MBR1050	0.7500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2	MBR105	肖特基		TO-220AC	下载					Ear99	8541.10.0080	437	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		950 MV @ 10 A		100 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	10a	400pf @ 4V，1MHz
EGP20B	0.2400	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载					Ear99	8541.10.0080	1,348	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		950 mv @ 2 a	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	2a	70pf @ 4V，1MHz
FLZ12VA	0.0200	RFQ	53	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 9 V						11.4 v	9.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²