RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
1N4746A_NL	0.0400	RFQ	5615	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000								5 µA @ 13.7 V						18 V	20欧姆
MMBD701	0.0600	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		280兆									1pf @ 20V，1MHz	肖特基 -单身	70V			-
MMSZ5229B	-	RFQ	7071	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000						900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V						4.3 v	23欧姆
MMBZ5221B	0.0200	RFQ	23	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.10.0050	15,000						900 mv @ 10 ma		100 µA @ 1 V						2.4 v	30欧姆
GF1G	-	RFQ	4274	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			400 v		1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
BZX85C20	1.0000	RFQ	2810	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C20		1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 ma		500 na @ 15 V						20 v	24欧姆
BZX79C6V2-T50R	0.0200	RFQ	810	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79C6		500兆	do-35	下载					Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 100 ma		3 µA @ 4 V						6.2 v	10欧姆
1n961btr	0.0200	RFQ	72	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	5,000								10 µA @ 7.6 V						10 v	8.5欧姆
1N5226BTR	0.0300	RFQ	54	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539						1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V						3.3 v	28欧姆
1N5224B	2.4100	RFQ	99	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5224		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	125						900 mv @ 200 ma		50 µA @ 1 V						2.8 v	30欧姆
FFPF15U20DNTU	0.5600	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包		标准		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1对普通阴极	200 v	15a	1.2 V @ 15 A	40 ns	15 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
flz2v2b	0.0200	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±4％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500						1.2 V @ 200 ma		55 µA @ 700 mV						2.3 v	35欧姆
3N250	0.3000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜165°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准		kbpm	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30						1 V @ 1 A		5 µA @ 600 V		1.5 a		单相	600 v
1N959B	3.2100	RFQ	122	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	94								50 µA @ 6.2 V						8.2 v	6.5欧姆
flz3v0a	-	RFQ	1071	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±4％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500						1.2 V @ 200 ma		35 µA @ 1 V						3 V	35欧姆
BZX85C3V3-FS	0.0300	RFQ	71	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6.06％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V						3.3 v	20欧姆
BZX85C5V1TR5K	0.0600	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	不适用				Ear99	8541.10.0050	5,000						1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 2 V						5.1 v	10欧姆
GBPC2506W	-	RFQ	6685	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W		标准		GBPC-W	下载						0000.00.0000	1						1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 600 V		25 a		单相	600 v
1N462A	0.0400	RFQ	1791年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.10.0070	765	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）									-	-
1N4736A-T50A	0.0300	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4736		1 w	do-41	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,414								10 µA @ 4 V						6.8 v	3.5欧姆
1N966B	2.0200	RFQ	65	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	149								5 µA @ 12.2 V						16 V	17欧姆
MM5Z3V9	0.0900	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F			200兆	SOD-523F	-		供应商不确定	供应商不确定	2156-MM5Z3V9-600039			1								3 µA @ 1 V						3.9 v	90欧姆
BZX85C5V1-T50A	0.0400	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-		供应商不确定	到达受影响	2156-BZX85C5V1-T50A-600039			1						1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 2 V						5.1 v	10欧姆
1N749A	2.0800	RFQ	101	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	156						1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V						4.3 v	22欧姆
BZX55C16	0.0600	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000						1.3 V @ 100 mA		100 na @ 12 V						16 V	40欧姆
EGP30A	0.2800	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-EGP30A-600039			1,156	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			50 V		950 mv @ 3 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	3a	95pf @ 4V，1MHz
MM5Z12V	-	RFQ	7658	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F			200兆	SOD-523F	-		供应商不确定	供应商不确定	2156-MM5Z12V-600039			1								100 na @ 8 V						12 v	25欧姆
1N757A	2.0800	RFQ	133	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	145						1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						9.1 v	10欧姆
1N5253B	3.7600	RFQ	483	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	80						1.2 V @ 200 ma		100 na @ 19 V						25 v	35欧姆
FDH300A_NL	0.5700	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			125 v		1 V @ 200 MA		1 NA @ 125 V	175°c （最大）	200mA	6pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²