RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
GBPC2506W	-	RFQ	6685	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W		标准		GBPC-W	下载						0000.00.0000	1			1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 600 V		25 a		单相	600 v
1N462A	0.0400	RFQ	1791年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.10.0070	765	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）						-	-
1N4736A-T50A	0.0300	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4736		1 w	do-41	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,414					10 µA @ 4 V						6.8 v	3.5欧姆
1N966B	2.0200	RFQ	65	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	149					5 µA @ 12.2 V						16 V	17欧姆
BZX85C5V1-T50A	0.0400	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-		供应商不确定	到达受影响	2156-BZX85C5V1-T50A-600039			1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 2 V						5.1 v	10欧姆
1N749A	2.0800	RFQ	101	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	156			1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V						4.3 v	22欧姆
BZX55C16	0.0600	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000			1.3 V @ 100 mA		100 na @ 12 V						16 V	40欧姆
MM5Z12V	-	RFQ	7658	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F			200兆	SOD-523F	-		供应商不确定	供应商不确定	2156-MM5Z12V-600039			1					100 na @ 8 V						12 v	25欧姆
1N757A	2.0800	RFQ	133	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	145			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						9.1 v	10欧姆
1N5253B	3.7600	RFQ	483	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	80			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 19 V						25 v	35欧姆
FDH300A_NL	0.5700	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	125 v	1 V @ 200 MA		1 NA @ 125 V	175°c （最大）	200mA	6pf @ 0v，1MHz
BZX84C11	0.0200	RFQ	48	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装		BZX84				下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-BZX84C11-600039			1					100 na @ 8 V						11 V	20欧姆
gbu8a	0.8200	RFQ	890	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-Esip，Gbu		标准		gbu	下载					Ear99	8541.10.0080	367			1 V @ 8 A		5 µA @ 50 V		5.6 a		单相	50 V
1N4454	0.9200	RFQ	101	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载					Ear99	8541.10.0070	325	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1 V @ 10 mA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
DF08M	-	RFQ	3254	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.300英寸，7.62mm）		标准		DFM	下载					Ear99	8541.10.0080	1,202			1.1 V @ 1 A		10 µA @ 800 V		1 a		单相	800 v
1N5241BTR	0.0200	RFQ	392	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		2 µA @ 8.4 V						11 V	22欧姆
DFB2510	1.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P	DFB25	标准		TS-6P	下载					Ear99	8541.10.0080	199			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 100 V		25 a		单相	100 v
flz5v1b	-	RFQ	3154	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500			1.2 V @ 200 ma		190 na @ 1.5 V						5.1 v	17欧姆
MMBZ5242B	-	RFQ	6634	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			900 mv @ 10 ma		1 µA @ 9.1 V						12 v	30欧姆
FLZ24VC	0.0200	RFQ	9869	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	9,784			1.2 V @ 200 ma		133 na @ 19 V						23.8 v	29欧姆
MM5Z30V	1.0000	RFQ	2788	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±7％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			200兆	SOD-523F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					50 NA @ 21 V						30 V	80欧姆
MMBZ5233B-FS	0.0200	RFQ	97	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			900 mv @ 10 ma		5 µA @ 3.5 V						6 V	7欧姆
1n968btr	0.0400	RFQ	35	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	5,000					5 µA @ 15.2 V						20 v	25欧姆
MM3Z2V4C	0.0300	RFQ	106	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	8,663			1 V @ 10 mA		45 µA @ 1 V						2.4 v	94欧姆
BZX55C36	0.0300	RFQ	4663	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	9,000			1.3 V @ 100 mA		100 na @ 27 V						36 V	80欧姆
1N976B	1.8400	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					5 µA @ 32.7 V						43 V	93欧姆
S2D	-	RFQ	2723	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		标准		SMB（do-214AA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.15 V @ 2 A	1.5 µs	5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	2a	-
FFSPF0665A	-	RFQ	4447	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		SIC （碳化硅）		TO-220F-2FS	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FFSPF0665A	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	650 v	1.75 V @ 6 A	0 ns	200 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	6a	361pf @ 1V，100kHz
1N5263B	1.8600	RFQ	158	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±0.5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5263		500兆	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	162			900 mv @ 200 ma		100 na @ 41 V						56 v	150欧姆
1N959B	3.2100	RFQ	122	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	94					50 µA @ 6.2 V						8.2 v	6.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²