RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压-峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
FDLL400	0.0400	RFQ	71	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		标准		SOD-80	下载					Ear99	8542.39.0001	7,493	小信号= <200ma（io（io），任何速度		150 v		1.1 V @ 300 mA	50 ns	100 NA @ 150 V	175°c （最大）	200mA	2pf @ 0v，1MHz
FFSH15120ADN-F155	7.3100	RFQ	17	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）		TO-247-3	下载					Ear99	8541.10.0080	42	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	1200 v	8A（DC）	1.75 V @ 8 A		200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
flz2v4a	0.0300	RFQ	5302	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±4％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,092					1.2 V @ 200 ma		84 µA @ 1 V						2.4 v	35欧姆
1N5394	0.0400	RFQ	68	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	4,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.4 V @ 1.5 A		5 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	1.5a	25pf @ 4V，1MHz
1N5403	0.2900	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.2 V @ 3 A		5 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	3a	30pf @ 4V，1MHz
1N4750A_NL	0.0500	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	6,662							5 µA @ 20.6 V						27 V	35欧姆
S1M	0.0500	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		do-214ac，SMA	下载					Ear99	8541.10.0080	5,548	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.1 V @ 1 A	1.5 µs	5 µA @ 1 V	-50°C〜150°C	1a	-
SS23	1.0000	RFQ	6808	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		肖特基		DO-214AA（SMB）	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V		500 mv @ 2 a		400 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	2a	-
GBPC1206	2.6000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC		标准		GBPC	下载					Ear99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 6 A		5 µA @ 600 V		12 a		单相	600 v
BZX85C15TR5K-FS	0.0200	RFQ	190	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1
MMSZ5244B	-	RFQ	9892	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	622					900 mv @ 10 ma		100 na @ 10 V						14 V	15欧姆
MM5Z51V	-	RFQ	7130	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜150°C	表面安装				200兆		下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-MM5Z51V-600039			1							50 NA @ 35.7 V						51 v	180欧姆
1N754A_NL	0.0200	RFQ	7505	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,000					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						6.8 v	5欧姆
1N6002B	2.0000	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		100 NA @ 9.1 V						12 v	22欧姆
1N5231BTR	-	RFQ	1610	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V						5.1 v	17欧姆
FFPF05U60DNTU	0.2800	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包		标准		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	5a	2.3 V @ 5 A	80 ns	2.5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C
BZX55C6V8	0.0600	RFQ	209	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 mA		100 na @ 3 V						6.8 v	8欧姆
RGP10D	0.0600	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0080	4,915	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
1N748ATR	-	RFQ	2616	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	7,503					1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						3.9 v	23欧姆
FFPF06UP20STU	0.6100	RFQ	14	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.15 V @ 6 A	31 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	6a	-
RURD660S	1.0000	RFQ	6699	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		雪崩		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.5 V @ 6 A	60 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	6a	-
FFP04S60STU	0.4200	RFQ	8003	Fairchild半导体	Stealth™	管子	过时的			通过洞	TO-220-2		标准		TO-220AC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		2.6 V @ 4 A	25 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	4a	-
BZX84C3V9	0.0200	RFQ	30	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					BZX84C3				下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BZX84C3V9-600039	Ear99	8541.10.0050	1
MBR1545CT	1.0000	RFQ	2464	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3		肖特基		TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	15a	840 mv @ 15 A		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
1N6017B	1.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 39 V						51 v	180欧姆
DF02S	1.0000	RFQ	7019	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		DF-S	下载					Ear99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 1.5 A		10 µA @ 200 V		1 a		单相	200 v
MMSZ5245	0.0400	RFQ	7893	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	6,000					900 mv @ 10 ma		100 na @ 11 V						15 v	16欧姆
MM3Z75VC	0.0400	RFQ	172	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	7,340					1 V @ 10 mA		45 NA @ 52.5 V						75 v	240欧姆
FLZ10VC	1.0000	RFQ	2225	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		110 na @ 7 V						10.1 v	6.6欧姆
FFAF40U60DNTU	1.2500	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3		标准		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	360	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	40a	2.1 V @ 40 A	110 ns	20 µA @ 600 V	-65°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²