RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
MBRS340	-	RFQ	5928	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	DO-214AB，SMC		肖特基		SMC（do-214ab）	下载				Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		525 mv @ 3 a		2 ma @ 40 V	-65°C〜125°C	4a	-
MM3Z11VB	0.0300	RFQ	429	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	11,539					1 V @ 10 mA		900 na @ 8 V						11 V	18欧姆
MM3Z3V0B	0.0200	RFQ	5780	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 10 mA		9 µA @ 1 V						3 V	89欧姆
RHRG75120	-	RFQ	3744	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-247-2		标准		TO-247-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1200 v		3.2 V @ 75 A	100 ns	250 µA @ 1200 V	-65°C〜175°C	75a	-
flz5v6a	-	RFQ	9665	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		750 na @ 2.5 V						5.4 v	10.5欧姆
FFPF06U40DPTU	0.4800	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包		标准		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	400 v	6a	1.4 V @ 6 A	50 ns	20 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
S3M	0.1300	RFQ	43	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	S3M	标准		SMC（do-214ab）	下载				Ear99	8541.10.0080	2,412	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.15 V @ 3 A	1.5 µs	5 µA @ 1 V	-50°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
BZX79C43	0.2200	RFQ	8885	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	1,248					1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 30.1 V						43 V	150欧姆
1N5396	0.0200	RFQ	2751	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	1,195	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		500 v		1.4 V @ 1.5 A		5 µA @ 500 V	-55°C〜150°C	1.5a	25pf @ 4V，1MHz
1N6013B	2.0000	RFQ	29	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 27 V						36 V	95欧姆
1N4154TR	0.0200	RFQ	160	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		35 v		1 V @ 30 mA	4 ns	100 na @ 25 V	175°c （最大）	100mA	4pf @ 0v，1MHz
RURP1520	-	RFQ	7164	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.05 V @ 15 A	35 ns	100 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C	15a	-
1N5817	5.2900	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	1N5817	肖特基		do15/do204ac	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	57	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		750 mv @ 3 a		1 ma @ 20 V	-50°C〜150°C	1a	-
1N748A	1.9300	RFQ	112	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	156					1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						3.9 v	23欧姆
1N756A	1.9200	RFQ	141	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	156					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						8.2 v	8欧姆
MM3Z51VC	0.0300	RFQ	142	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	9,779					1 V @ 10 mA		45 NA @ 35.7 V						51 v	169欧姆
1N5988B	2.7500	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	110					1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V						3.3 v	95欧姆
1N5282TR	0.0200	RFQ	80	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		80 V		900 mv @ 100 ma	4 ns	100 na @ 55 V	175°c （最大）	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
S1J	1.0000	RFQ	8096	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		do-214ac，SMA	下载				Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.1 V @ 1 A	1.5 µs	5 µA @ 600 V	-50°C〜150°C	1a	-
1N5403	0.2900	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	1,250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.2 V @ 3 A		5 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	3a	30pf @ 4V，1MHz
flz8v2a	0.0200	RFQ	7850	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	7,870					1.2 V @ 200 ma		300 na @ 5 v						7.7 v	6.6欧姆
BZX84C16	-	RFQ	5966	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		50 NA @ 11.2 V						16 V	40欧姆
1N4148WT	0.0300	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装		1N4148	标准			下载				Ear99	8541.10.0070	11,539						4 ns			125mA	2pf @ 0v，1MHz
MMBZ5255B	0.0200	RFQ	200	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			225兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		100 na @ 21 V						28 V	44欧姆
MM3Z12VB	0.0300	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	10,017					1 V @ 10 mA		900 na @ 8 V						12 v	23欧姆
GBPC35005	2.6000	RFQ	9172	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC		标准		GBPC	下载				Ear99	8541.10.0080	100					1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 50 V		35 a		单相	50 V
1N6002B	2.0000	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		100 NA @ 9.1 V						12 v	22欧姆
MMBD1501	0.0700	RFQ	6003	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0070	2,960	小信号= <200ma（io（io），任何速度		200 v		1.1 V @ 200 ma		10 na @ 180 V	150°C （最大）	200mA	4pf @ 0v，1MHz
flz3v0b	-	RFQ	8459	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		35 µA @ 1 V						3.1 v	35欧姆
EGP30K	0.2800	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载				Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		800 v		1.7 V @ 3 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	3a	75pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²