RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4148	-	RFQ	4088	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N414	标准		do-35	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
1N4752ATR	0.0300	RFQ	9158	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载				Ear99	8541.10.0050	8,208							5 µA @ 25.1 V						33 V	45欧姆
1N5260B	2.0500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0050	159					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 33 V						43 V	93欧姆
gbu8g	-	RFQ	2664	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-Esip，Gbu		标准		gbu	下载				Ear99	8541.10.0080	146					1 V @ 8 A		5 µA @ 400 V		5.6 a		单相	400 v
DFB2020	1.3600	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P		标准		TS-6P	下载				Ear99	8541.10.0080	240					1.1 V @ 20 A		10 µA @ 200 V		20 a		单相	200 v
MMBD2838	-	RFQ	6233	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准		SOT-23-3	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	75 v	200mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C〜150°C
MDB6S	-	RFQ	3110	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载				Ear99	8541.10.0080	1
1N5245B	0.0300	RFQ	65	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载				Ear99	8541.10.0050	11,539							100 na @ 11 V						15 v	16欧姆
GBPC1210	1.0000	RFQ	8187	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC		标准		GBPC	下载				Ear99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 6 A		5 µA @ 1 V		12 a		单相	1 kV
MM3Z10VC	0.0300	RFQ	57	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	11,539					1 V @ 10 mA		180 na @ 7 V						10 v	18欧姆
1N5249BTR	0.0200	RFQ	138	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 14 V						19 v	23欧姆
BZX79C18-T50A	0.0300	RFQ	45	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0050	11,539					1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 12.6 V						18 V	45欧姆
DF005S1	0.2100	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		4-SDIP	下载				Ear99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 1 A		3 µA @ 50 V		1 a		单相	50 V
NSR01F30NXT5G	0.0700	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	0201（0603公制）		肖特基		2-DSN（0.60x0.30）	下载				Ear99	8542.39.0001	4,157	小信号= <200ma（io（io），任何速度		30 V		500 mv @ 100 ma		50 µA @ 30 V	125°c （最大）	100mA	7pf @ 5V，1MHz
MM3Z39VB	1.0000	RFQ	6928	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 10 mA		45 NA @ 27.3 V						39 v	122欧姆
MM3Z56VC	-	RFQ	5457	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载				Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 10 mA		45 NA @ 39.2 V						56 v	188欧姆
MM3Z16VC	-	RFQ	1740年	Fairchild半导体	c	大部分	积极的	±5％	150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	-	Rohs不合规	供应商不确定	2156-MM3Z16VC-600039			1					1 V @ 10 mA		45 NA @ 11.2 V						16 V	37欧姆
1N978B	2.0200	RFQ	32	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	162							5 µA @ 38.8 V						51 v	125欧姆
KBU6M	-	RFQ	3266	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		标准		KBU	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	1					1 V @ 6 A		10 µA @ 1 V		6 a		单相	1 kV
FFPF06U20DNTU	0.3300	RFQ	11	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包		标准		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	6a	1.2 V @ 6 A	35 ns	6 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
kbu6j	0.7100	RFQ	5162	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		标准		KBU	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	84					1 V @ 6 A		10 µA @ 50 V		6 a		单相	600 v
MBRA3045NTU	-	RFQ	4216	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		肖特基		to-3p	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	760	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	30a	800 mv @ 30 a		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
kbu4b	1.0000	RFQ	4810	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		标准		KBU	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	200					1 V @ 4 A		5 µA @ 50 V		4 a		单相	100 v
1n961b	3.0600	RFQ	62	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	99							10 µA @ 7.6 V						10 v	8.5欧姆
1N5985B	2.0000	RFQ	53	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V						2.4 v	100欧姆
fep16ft	0.5500	RFQ	8	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	300 v	16a	1.3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-55°C〜150°C
1N960B	1.8400	RFQ	49	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	163							25 µA @ 6.9 V						9.1 v	7.5欧姆
kbu6k	-	RFQ	4104	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		标准		KBU	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	200					1 V @ 6 A		10 µA @ 800 V		6 a		单相	800 v
kbu6g	-	RFQ	7582	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		标准		KBU	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	200					1 V @ 6 A		10 µA @ 50 V		6 a		单相	400 v
1N746ATR	0.0200	RFQ	48	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	不适用			Ear99	8541.10.0050	5,000					1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						3.3 v	28欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²