RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
NTSV20120CTG	0.4900	RFQ	10	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-NTSV20120CTG-600039			1
BAR43	-	RFQ	7375	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAR4	肖特基		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	810	小信号= <200ma（io（io），任何速度	30 V	800 mv @ 100 ma	5 ns	500 na @ 25 V	150°C （最大）	200mA	-
BZX55C15	0.0600	RFQ	40	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000			1.3 V @ 100 mA		100 na @ 11 V						15 v	30欧姆
FFPF06UP20STU	0.6100	RFQ	14	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.15 V @ 6 A	31 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	6a	-
1N4731A-T50A	0.0200	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4731		1 w	do-41	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					10 µA @ 1 V						4.3 v	9欧姆
MMSD485B	0.0600	RFQ	98	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-123	MMSD48	标准		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）					150°C （最大）	-	-
RURD660	-	RFQ	4302	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-251-2，IPAK		标准		TO-251-2	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.5 V @ 6 A	60 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	6a	-
FFD08S60S-F085	-	RFQ	2501	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Stealth™II	大部分	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	2.6 V @ 8 A	30 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	8a	-
BAS16-D87Z	0.0600	RFQ	300	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					BAS16				下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BAS16-D87Z-600039			1
BZX55C6V2	0.0400	RFQ	86	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000			1.3 V @ 100 mA		100 na @ 2 V						6.2 v	10欧姆
1N756A_NL	-	RFQ	5328	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	16,000			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						8.2 v	8欧姆
1N3070	6.2400	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.10.0070	49	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1 V @ 100 ma	50 ns	100 NA @ 175 V	175°c （最大）	500mA	5pf @ 0v，1MHz
MMBZ5229B	-	RFQ	7436	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V						4.3 v	22欧姆
1N6015B	1.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 33 V						43 V	150欧姆
GBPC15005W	2.6200	RFQ	500	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC15005	标准		GBPC-W	下载					Ear99	8541.10.0080	125			1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 50 V		15 a		单相	50 V
1N5282	1.0000	RFQ	3457	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	80 V	900 mv @ 100 ma	4 ns	100 na @ 55 V	175°c （最大）	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
BZX79C3V6-T50A	0.0200	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	15,000			1.5 V @ 100 ma		15 µA @ 1 V						3.6 v	90欧姆
BZX85C4V3	0.0300	RFQ	94	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞				1 w		下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BZX85C4V3-600039			1					3 µA @ 1 V						4.3 v	13欧姆
MM5Z6V2	1.0000	RFQ	1926年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z6		200兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000					3 µA @ 4 V						6.2 v	10欧姆
FLZ27VA	0.0200	RFQ	4541	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,050			1.2 V @ 200 ma		133 na @ 21 V						24.9 v	38欧姆
1N5236BTR	0.0200	RFQ	104	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V						7.5 v	6欧姆
1n973btr	0.0200	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	5,000					5 µA @ 25.1 V						33 V	58欧姆
RURD420S9A	0.4600	RFQ	61	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RURD420S9A-600039			1
MMSZ5245	0.0400	RFQ	7893	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	6,000			900 mv @ 10 ma		100 na @ 11 V						15 v	16欧姆
ISL9R860PF2	-	RFQ	2419	Fairchild半导体	Stealth™	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载					Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	2.4 V @ 8 A	30 ns	100 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	8a	-
flz39vb	0.0200	RFQ	37	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500			1.2 V @ 200 ma		133 na @ 30 V						36.3 v	72欧姆
BZX55C24	0.0600	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000			1.3 V @ 100 mA		100 na @ 18 V						24 V	80欧姆
1N753A	1.9300	RFQ	118	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	156			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						6.2 v	7欧姆
1N5232BTR	0.0300	RFQ	34	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V						5.6 v	11欧姆
1N4744A-T50A	-	RFQ	6004	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-1N4744A-T50A-600039			1					5 µA @ 11.4 V						15 v	14欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²