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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
MBRS130L	-	RFQ	5833	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	MBRS130	肖特基		SMB（do-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V		445 mv @ 2 a		1 ma @ 30 V	-65°C〜125°C	2a	-
1N5253BTR	0.0200	RFQ	54	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 19 V						25 v	35欧姆
fep16dt	0.5200	RFQ	236	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	16a	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
BZX85C47	0.0300	RFQ	32	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C47		1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		500 na @ 36 V						47 V	90欧姆
FFP06U20DNTU	0.2000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	6a	1.2 V @ 6 A	35 ns	6 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
FFAF20U20DNTU	0.8300	RFQ	720	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3		标准		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	20a	1.2 V @ 20 A	40 ns	20 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
US2FA	-	RFQ	9112	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,977	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		300 v		1 V @ 1.5 A	50 ns	5 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	1.5a	50pf @ 4V，1MHz
fypf1010dntu	0.6300	RFQ	383	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3完整包		肖特基		TO-220F-3	下载					Ear99	8541.10.0080	477	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	10a	950 MV @ 10 A		1 mA @ 100 V	-40°C〜150°C
1N5222B	0.0200	RFQ	94	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	15,000					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V						2.5 v	30欧姆
MM5Z22V	-	RFQ	6086	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F	MM5Z2		200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000							50 NA @ 15.4 V						22 v	55欧姆
MBR1645	1.0000	RFQ	1491	Fairchild半导体	SwitchMode™	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2	MBR1645	肖特基		TO-220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		630 MV @ 16 A		1 mA @ 45 V	-65°C〜175°C	16a	1400pf @ 5V，1MHz
ISL9R860S3ST_NL	0.7000	RFQ	583	Fairchild半导体	Stealth™	大部分	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		2.4 V @ 8 A	30 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	8a	-
1N5235BTR	0.0200	RFQ	254	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 5 V						6.8 v	5欧姆
S2M	-	RFQ	4700	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	S2M	标准		DO-214AA（SMB）	下载					Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.15 V @ 2 A	1.5 µs	1 µA @ 1000 V	-50°C〜150°C	2a	30pf @ 4V，1MHz
FFPF06F150STU	1.0000	RFQ	6048	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1500 v		1.6 V @ 6 A	170 ns	7 µA @ 1500 V	-65°C〜150°C	6a	-
1N754A	1.9300	RFQ	129	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	156					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						6.8 v	5欧姆
kbu4a	0.5700	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		标准		KBU	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	200					1 V @ 4 A		5 µA @ 50 V		4 a		单相	50 V
MMBZ5223B	0.0200	RFQ	99	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	SOT-23	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-MMBZ5223B-600039			1					900 mv @ 10 ma		75 µA @ 1 V						2.7 v	30欧姆
S3M-F065	1.0000	RFQ	6109	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-S3M-F065-600039			1
S310	0.3400	RFQ	378	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC		肖特基		SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8541.10.0080	948	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		850 mv @ 3 a		500 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	3a	-
1N4742ATR	1.0000	RFQ	9155	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	1							5 µA @ 9.1 V						12 v	9欧姆
EGP10D	0.1300	RFQ	84	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0080	2,342	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1a	-
BZX85C33-FS	-	RFQ	8662	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX85C33-FS	Ear99	8541.10.0050	1
ES1B	1.0000	RFQ	8391	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		do-214ac，SMA	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		920 MV @ 1 A	15 ns	5 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	1a	-
BAV21-T50R	0.0200	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-BAV21-T50R-600039			1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		250 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	175°c （最大）	200mA	5pf @ 0v，1MHz
1N6017B	1.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 39 V						51 v	180欧姆
RGP10B	0.0700	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0080	4,991	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
MMBZ5232B	0.0200	RFQ	8809	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.10.0050	14,852					900 mv @ 10 ma		5 µA @ 3 V						5.6 v	11欧姆
BZX79C7V5	0.0200	RFQ	405	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000					1.5 V @ 100 ma		1 µA @ 5 V						7.5 v	15欧姆
1N754A_NL	0.0200	RFQ	7505	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,000					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						6.8 v	5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²