RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZX84C4V3	0.0200	RFQ	90	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C4		250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	90欧姆
1N5236BTR	0.0200	RFQ	104	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V				7.5 v	6欧姆
MMBZ5232B	0.0200	RFQ	8809	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.10.0050	14,852					900 mv @ 10 ma		5 µA @ 3 V				5.6 v	11欧姆
BZX79C7V5	0.0200	RFQ	405	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000					1.5 V @ 100 ma		1 µA @ 5 V				7.5 v	15欧姆
1N6017B	1.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 39 V				51 v	180欧姆
1N5242BTR	0.0200	RFQ	103	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	30欧姆
1N4739A-T50A	0.0500	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	6,411							10 µA @ 7 V				9.1 v	5欧姆
1N4150TR	0.0200	RFQ	6219	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	5	小信号= <200ma（io（io），任何速度		50 V		1 V @ 200 MA	6 ns	100 na @ 50 V	175°c （最大）	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
1N5233B	0.0300	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％		通过洞				500兆	-	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539							5 µA @ 3.5 V				6 V	7欧姆
BAS21HT1G	-	RFQ	4608	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					BAS21				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS21HT1G-600039	Ear99	8541.10.0070	1
NSR15405NXT5G	0.1200	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	2-XDFN		肖特基		2-DSN（1.4x0.6）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-NSR15405NXT5G-600039	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		590 mv @ 1.5 A	33 ns	75 µA @ 40 V	150°C （最大）	1.5a	85pf @ 2V，1MHz
MBR1545CT	1.0000	RFQ	2464	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3		肖特基		TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	15a	840 mv @ 15 A		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
1N914B	0.0300	RFQ	140	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载					Ear99	8541.10.0070	11,539	小信号= <200ma（io（io），任何速度		100 v		1 V @ 200 MA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
1N748ATR	-	RFQ	2616	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	7,503					1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
BZX85C18-T50A-FS	0.0300	RFQ	16	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6.39％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 12.5 V				18 V	20欧姆
BZX55C15	0.0600	RFQ	40	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 mA		100 na @ 11 V				15 v	30欧姆
FFPF06UP20STU	0.6100	RFQ	14	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.15 V @ 6 A	31 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	6a	-
1N5992B	1.8400	RFQ	29	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V				4.7 v	70欧姆
BAR43	-	RFQ	7375	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAR4	肖特基		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	810	小信号= <200ma（io（io），任何速度		30 V		800 mv @ 100 ma	5 ns	500 na @ 25 V	150°C （最大）	200mA	-
1N977B	1.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163							5 µA @ 35.8 V				47 V	105欧姆
1N5407	-	RFQ	4168	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		标准		轴向	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1 V @ 3 A		10 µA @ 800 V	-65°C〜170°C	3a	-
fep16cta	0.6100	RFQ	130	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	150 v	16a	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55°C〜150°C
NTSV20120CTG	0.4900	RFQ	10	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-NTSV20120CTG-600039			1
MM5Z6V2	1.0000	RFQ	1926年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	MM5Z6		200兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000							3 µA @ 4 V				6.2 v	10欧姆
BZX85C4V3	0.0300	RFQ	94	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞				1 w		下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BZX85C4V3-600039			1							3 µA @ 1 V				4.3 v	13欧姆
1N4738A	0.0300	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	9,616					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 6 V				8.2 v	4.5欧姆
1N6005B	1.8400	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 12 V				16 V	36欧姆
1N5254B	3.7600	RFQ	140	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	80					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 21 V				27 V	41欧姆
MM5Z16V	0.0900	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F			200兆	SOD-523F	-		供应商不确定	到达不受影响	2156-MM5Z16V-600039			1							50 NA @ 11.2 V				16 V	40欧姆
RURD660	-	RFQ	4302	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-251-2，IPAK		标准		TO-251-2	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.5 V @ 6 A	60 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	6a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²