RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZX85C7V5	0.0300	RFQ	35	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C7		1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 4.5 V						7.5 v	3欧姆
BZX79C36	0.0200	RFQ	8801	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	3,575					1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 25.2 V						36 V	90欧姆
FLZ39VC	1.0000	RFQ	3777	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 30 V						36.9 v	72欧姆
1N4737A-T50A	0.0500	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-				2156-1N4737A-T50A			6,231							10 µA @ 5 V						7.5 v	4欧姆
MM5Z51V	-	RFQ	7130	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜150°C	表面安装				200兆		下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-MM5Z51V-600039			1							50 NA @ 35.7 V						51 v	180欧姆
flz9v1c	1.0000	RFQ	7960	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	27,500					1.2 V @ 200 ma		300 na @ 6 V						9.1 v	6.6欧姆
1N4151TR	0.0200	RFQ	158	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	30,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		75 v		1 V @ 50 mA	4 ns	50 na @ 50 V	175°c （最大）	150mA	2pf @ 0v，1MHz
MM3Z3V6C	0.0300	RFQ	128	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539					1 V @ 10 mA		4.5 µA @ 1 V						3.6 v	84欧姆
FLZ15VB	0.0200	RFQ	113	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 11 V						14.3 v	13.3欧姆
MMSZ5228B	-	RFQ	6434	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		10 µA @ 1 V						3.9 v	24欧姆
BZX85C9V1	0.0300	RFQ	67	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C9		1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 6.8 V						9.1 v	5欧姆
1N5394	0.0400	RFQ	68	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	4,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.4 V @ 1.5 A		5 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	1.5a	25pf @ 4V，1MHz
1N4728ATR	0.0300	RFQ	135	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,053							100 µA @ 1 V						3.3 v	10欧姆
FFB10UP20STM	0.8600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.15 V @ 10 A	45 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	10a	-
RHRG1560CC-F085	-	RFQ	2886	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3		标准		TO-247-3	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	15a	2.3 V @ 15 A	55 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
BZX79C24	0.0200	RFQ	31	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 16.8 V						24 V	70欧姆
MMSD4148-D87Z	-	RFQ	7730	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SOD-123		标准		SOD-123	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MMSD4148-D87Z-600039			1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	150°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
UF4005	0.0900	RFQ	80	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	UF400	标准		do-41	下载					Ear99	8541.10.0080	3,386	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 600 V	-50°C〜175°C	1a	-
1N5246BTR	0.0300	RFQ	60	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 12 V						16 V	17欧姆
1N4747A_NL	0.0400	RFQ	5486	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,940							5 µA @ 15.2 V						20 v	22欧姆
GBPC3508	3.0800	RFQ	100	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC		标准		GBPC	下载					Ear99	8541.10.0080	100					1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 800 V		35 a		单相	800 v
gbu6g	0.7000	RFQ	532	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-Esip，Gbu		标准		gbu	下载					Ear99	8541.10.0080	1					1 V @ 6 A		5 µA @ 400 V		4.2 a		单相	400 v
FLZ10VC	1.0000	RFQ	2225	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		110 na @ 7 V						10.1 v	6.6欧姆
1N6009B	1.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 18 V						24 V	62欧姆
BZX79C15	0.0300	RFQ	274	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539					1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 10.5 V						15 v	30欧姆
BZX79C2V7	0.0300	RFQ	37	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539					1.5 V @ 100 ma		75 µA @ 1 V						2.7 v	100欧姆
1N5233B.TA	0.0200	RFQ	2087	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载					Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V						6 V	7欧姆
1N914	0.0300	RFQ	89	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载					Ear99	8541.10.0070	11,539	小信号= <200ma（io（io），任何速度		100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
DFB2005	1.3600	RFQ	600	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P		标准		TS-6P	下载					Ear99	8541.10.0080	240					1.1 V @ 20 A		10 µA @ 50 V		20 a		单相	50 V
1N4757A	0.0300	RFQ	44	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	9,879					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 38.8 V						51 v	95欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²