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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4154 | 1.2700 | ![]() | 218 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0070 | 237 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 35 v | 1 V @ 30 mA | 4 ns | 100 na @ 25 V | 175°c (最大) | 100mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5228BTR | 0.0200 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5228 | 500兆 | do-35 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | ||||||||||||||
![]() | ES2C | - | ![]() | 4914 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 标准 | SMB(do-214AA) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 900 mv @ 2 a | 20 ns | 5 µA @ 150 V | -50°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||
![]() | RS1AFA | - | ![]() | 4282 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | 标准 | SOD-123FA | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||
![]() | S210 | 0.3300 | ![]() | 571 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 915 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 850 mv @ 2 a | 400 µA @ 100 V | -65°C〜125°C | 2a | - | ||||||||||||||
![]() | FFPF06U150STU | 0.2300 | ![]() | 9529 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | 标准 | TO-220F-2L | - | rohs3符合条件 | 2156-FFPF06U150STU-FS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1500 v | 1.8 V @ 6 A | 150 ns | 10 µA @ 1500 V | -65°C〜150°C | 6a | - | |||||||||||
![]() | 1N756A | 1.9200 | ![]() | 141 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 1 V | 8.2 v | 8欧姆 | ||||||||||||||
![]() | BZX85C5V1 | 0.0300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±6% | - | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | BZX85C5 | 1.3 w | do-41g | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 1.5 V | 5.1 v | 10欧姆 | |||||||||||
![]() | SB2003M-TL-E | 0.1900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | 肖特基 | 6-MCPH | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-SB2003M-TL-E-600039 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 2 a | 20 ns | 30 µA @ 15 V | -55°C〜125°C | 2a | 75pf @ 10V,1MHz | ||||||||||||
![]() | EGP30C | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,212 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65°C〜150°C | 3a | 95pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||
![]() | FDLL914A | 0.0200 | ![]() | 6982 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 标准 | SOD-80 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,258 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 1 V @ 20 ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175°c (最大) | 200mA | 4pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||
![]() | FLZ30VC | 0.0200 | ![]() | 4458 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,045 | 1.2 V @ 200 ma | 133 na @ 23 V | 29.1 v | 46欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N459ATR | 0.0300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 11,539 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1 V @ 100 ma | 25 NA @ 175 V | 175°c (最大) | 500mA | 6pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||
![]() | FFPF06UP20STU | 0.6100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | 标准 | TO-220F-2L | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.15 V @ 6 A | 31 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 6a | - | ||||||||||||
![]() | MM5Z4V7 | 0.0300 | ![]() | 3685 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523F | 500兆 | SOD-523F | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-MM5Z4V7-600039 | 1 | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | 1N748ATR | - | ![]() | 2616 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,503 | 1.5 V @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | ||||||||||||||
![]() | RURD660S | 1.0000 | ![]() | 6699 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 雪崩 | TO-252,(-d-pak) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.5 V @ 6 A | 60 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 6a | - | ||||||||||
![]() | MBR1545CT | 1.0000 | ![]() | 2464 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 840 mv @ 15 A | 100 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | |||||||||||
![]() | 1N6017B | 1.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 ma | 100 na @ 39 V | 51 v | 180欧姆 | ||||||||||||||
![]() | FLZ10VC | 1.0000 | ![]() | 2225 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 ma | 110 na @ 7 V | 10.1 v | 6.6欧姆 | ||||||||||||||
![]() | MM3Z75VC | 0.0400 | ![]() | 172 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 200兆 | SOD-323F | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,340 | 1 V @ 10 mA | 45 NA @ 52.5 V | 75 v | 240欧姆 | |||||||||||||||
MMSZ5245 | 0.0400 | ![]() | 7893 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 11 V | 15 v | 16欧姆 | |||||||||||||
MMSZ5234B | 0.0200 | ![]() | 426 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | SOD-123 | MMSZ5234 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 7欧姆 | ||||||||||||
![]() | MMBZ5231B | - | ![]() | 1027 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 225兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17欧姆 | ||||||||||||
![]() | MBR2535CT | 1.0000 | ![]() | 7967 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR2535 | 肖特基 | TO-220-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 25a | 820 MV @ 25 A | 200 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | ||||||||||
![]() | 1N5257B-FS | 2.0200 | ![]() | 185 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 162 | 1.2 V @ 200 ma | 100 na @ 25 V | 33 V | 58欧姆 | ||||||||||||
![]() | MMBZ5254B | 0.0200 | ![]() | 516 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 225兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 21 V | 27 V | 41欧姆 | ||||||||||||
![]() | MBR1060 | - | ![]() | 3061 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SwitchMode™ | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | MBR106 | 肖特基 | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 800 mv @ 10 a | 1 mA @ 60 V | -65°C〜175°C | - | - | ||||||||||
![]() | MMBZ5241B | 0.0200 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBZ52 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 961 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 8.4 V | 11 V | 22欧姆 | |||||||||||
![]() | SS16 | - | ![]() | 8293 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | SS16 | 肖特基 | SMA(do-214ac) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,316 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 1 A | 200 µA @ 60 V | -65°C〜125°C | 1a | - |
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