RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4734A-T50R	0.0500	RFQ	9390	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载				Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 2 V						5.6 v	5欧姆
SB1100	0.0800	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		肖特基		do15/do204ac	下载				Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		790 mv @ 1 a		500 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	1a	-
1N4148TR	0.0200	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4148	标准		do-35	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
GBPC2502W	1.0000	RFQ	5822	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W		标准		GBPC-W	下载				Ear99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 200 V		25 a		单相	200 v
DF01S2	-	RFQ	2926	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		4-SDIP	下载					0000.00.0000	1					1.1 V @ 2 A		3 µA @ 100 V		2 a		单相	100 v
GBPC1206	2.6000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC		标准		GBPC	下载				Ear99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 6 A		5 µA @ 600 V		12 a		单相	600 v
1N4751A	0.0300	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜20°C	通过洞	轴向			1 w	轴向	下载				Ear99	8541.10.0050	9,779							5 µA @ 22.8 V						30 V	40欧姆
BZX84C18	0.0200	RFQ	4792	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT23-3（TO-236）	下载				Ear99	8541.10.0050	5,514							50 NA @ 12.6 V						18 V	45欧姆
1N5252BTR	0.0200	RFQ	7944	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 18 V						24 V	33欧姆
MB6S	1.0000	RFQ	1760年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	MB6	标准		MBS	下载				Ear99	8541.10.0080	1					1.05 V @ 400 mA		5 µA @ 600 V		500 MA		单相	600 v
US1KFA	1.0000	RFQ	3723	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-123W		标准		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		800 v		1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
GBPC1508	2.5700	RFQ	4019	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC		标准		GBPC	下载				Ear99	8541.10.0080	100					1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 800 V		15 a		单相	800 v
GBPC2510W	-	RFQ	1579年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W		标准		GBPC-W	下载				Ear99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 1 V		25 a		单相	1 kV
DF005M	0.2300	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.300英寸，7.62mm）		标准		DFM	下载				Ear99	8541.10.0080	1,296					1.1 V @ 1 A		10 µA @ 50 V		1 a		单相	50 V
GBPC12005	-	RFQ	1499年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC		标准		GBPC	下载				Ear99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 6 A		5 µA @ 50 V		12 a		单相	50 V
DFB2505	1.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P	DFB25	标准		TS-6P	下载				Ear99	8541.10.0080	199					1.1 V @ 25 A		10 µA @ 50 V		25 a		单相	50 V
1N4745ATR	0.0300	RFQ	16	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4745		1 w	do-41	下载				Ear99	8541.10.0050	10,193							5 µA @ 12.2 V						16 V	16欧姆
1N4753A-T50A	0.0300	RFQ	69	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载				Ear99	8541.10.0050	9,366							5 µA @ 27.4 V						36 V	50欧姆
SS13	0.1200	RFQ	416	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		肖特基		DO-214AC（SMA）	下载				Ear99	8541.10.0080	2,435	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V		500 mv @ 1 A		200 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	1a	-
UF4007	1.0000	RFQ	6139	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	UF400	标准		do-41	下载				Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1000 v		1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 1000 V	-50°C〜175°C	1a	-
BZX85C9V1	0.0300	RFQ	67	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C9		1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 6.8 V						9.1 v	5欧姆
FFAF40U60DNTU	1.2500	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3		标准		to-3pf	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	360	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	40a	2.1 V @ 40 A	110 ns	20 µA @ 600 V	-65°C〜150°C
flz11vc	0.0200	RFQ	7667	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	2,704					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 8 V						11 V	8.5欧姆
3N256	1.0000	RFQ	1219	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准		kbpm	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	30					1.1 V @ 3.14 A		5 µA @ 400 V		2 a		单相	400 v
1N4749A	0.0300	RFQ	90	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载				Ear99	8541.10.0050	9,779					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V						24 V	25欧姆
FFPF10U40STU	0.4100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.4 V @ 10 A	50 ns	30 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	10a	-
BZX79C6V8-T50A	-	RFQ	6600	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 ma		2 µA @ 4 V						6.8 v	15欧姆
S2B	-	RFQ	1122	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		标准		SMB（do-214AA）	下载				Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1.15 V @ 2 A	1.5 µs	5 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	2a	-
MMSZ5232B	0.0200	RFQ	303	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		5 µA @ 3 V						5.6 v	17欧姆
1N5234BTR	0.0200	RFQ	470	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V						6.2 v	7欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²